CN203504509U - 强抗干扰能力的方波发生器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种电子电路,尤其涉及方波发生器(多谐振荡器)电路。一种强抗干扰能力的方波发生器,具体是:电源正端与电源接地端分别连接电阻R1和三极管Q1的CE端所串联的一路及电阻R4和三极管Q2的CE端所串联的另一路,电阻R2和电容C2串联后并接于电源正端与三极管Q1的C端之间,电阻R3和电容C1串联后并接于电源正端与三极管Q2的C端之间,电阻R2和电容C2的中间端连接于三极管Q2的B端,电阻R3和电容C1的中间端连接于三极管Q1的B端,三极管Q1的B端和电源接地端之间并联电容C3,三极管Q2的B端和电源接地端之间并联电容C4。本实用新型用于产生方波,可以有效地消除了传导、辐射、耦合的各种干扰,从而能确保振荡电路的高度稳定性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电子电路,尤其涉及方波发生器(多谐振荡器)电路。
背景技术
如图1所示,是一种典型非稳态多谐振荡器电路。此电路运作在以下两种状态:状态一, Q1导通,Q2截止;状态二,Q2导通,Q1截止。其基本原理是:由于电子器件的细微差异性,上电时,必然有一个管子先进入放大状态,由于C1、C2电容的正反馈作用,很快先进入放大状态的管子完全饱和导通,另一个管子则完全截止,直至C1、C2的充放电结束。一轮充放电的结束,随后其反向的充放电立即开始,使之前导通的管子进入截止,之前截止的管子进入导通,周而复始,二种状态交替进行,持续振荡,产生方波信号。
这种典型非稳态多谐振荡器电路在很多地方都在运用。但是这种电路在抗干扰稳定性上欠佳,在与高频高压的开关电源配合使用,或有高强度高频电磁场干扰的地方使用时,则极易受到干扰,轻者是频率不稳定,重者波形不对称。
实用新型内容
因此,针对现有的方波发生器(多谐振荡器电路)的抗干扰差的不足,本实用新型提出一种具有超强抗干扰能力的方波发生器。
本实用新型具体采用如下技术方案实现:
一种强抗干扰能力的方波发生器,具体是:电源正端与电源接地端分别连接电阻R1和三极管Q1的CE端所串联的一路及电阻R4和三极管Q2的CE端所串联的另一路,电阻R2和电容C2串联后并接于电源正端与三极管Q1的C端之间,电阻R3和电容C1串联后并接于电源正端与三极管Q2的C端之间,电阻R2和电容C2的中间端连接于三极管Q2的B端,电阻R3和电容C1的中间端连接于三极管Q1的B端,三极管Q1的B端和电源接地端之间并联电容C3,三极管Q2的B端和电源接地端之间并联电容C4。
优选的改进是,电容C3、C4的取值为电容C1、C2值的1至3倍范围内。
优选的改进是,电阻R5和正向连接的二极管D1串联后并接于电源正端与三极管Q1的C端之间,电阻R6和正向连接的二极管D2串联后并接于电源正端与三极管Q2的C端之间。
优选的改进是,电阻R5和二极管D1的中间端与电源接地端之间串接光耦器件D3,电阻R6和二极管D2的中间端与电源接地端之间串接光耦器件D4。
本实用新型采用如上技术方案,可以有效地消除了传导、辐射、耦合的各种干扰,从而能确保振荡电路的高度稳定性。本实用新型的方波发生器对于频率不要求精确,波形要求稳定且对称的场合非常适用。
附图说明
图1是现有的方波发生器的电路原理图。
图2是最佳实施例的方波发生器的电路原理图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。
再次参阅图1所示,本案发明人发现,普通方波发生器(多谐振荡器电路)易受干扰的主要原因是V2、V3点的输入阻抗太高,外部的干扰极易在V2点或V3点上叠加电压,从而改变了原有的充放电周期,进而改变了振荡频率,甚至是两边的对称性。
因此,本案发明人提出以下用于解决这一问题的改进电路。
参阅图2所示,该方波发生器的最大改进之处是,在三极管Q1和Q2的基极与地之间分别并联电容C3和C4。具体的电路实现是:电源正端与电源接地端分别连接电阻R1和三极管Q1的CE(集电极、发射极)端所串联的一路及电阻R4和三极管Q2的CE端所串联的另一路,电阻R2和电容C2串联后并接于电源正端与三极管Q1的C(集电极)端之间,电阻R3和电容C1串联后并接于电源正端与三极管Q2的C端之间,电阻R2和电容C2的中间端连接于三极管Q2的B(基极)端,电阻R3和电容C1的中间端连接于三极管Q1的B端,三极管Q1的B端和电源接地端之间并联电容C3,三极管Q2的B端和电源接地端之间并联电容C4。
该电路中,通过电容C3、C4的加入可以直接消除了V2、V3点的高频干扰。同时,发明人调试发现,电容C3、C4的取值为电容C1、C2值的1至3倍范围内较好。例如,C1=C2=C3=C4=50nF (一倍) ,或 C1=C2=50nF,C3=C4=100nF (二倍)。因电容C3、C4的值允许较大,所以有很强的高频吸收能力。
电容C3、C4的加入,对该电路振荡频率的影响不大,电容C3、C4取值较大时,振荡频率稍有下降,稍作微调即可。
本实用新型电路的最大特色是三极管Q1、Q2的BE间分别并联了电容C3和电容C4,而且电容C3和电容C4的值比电容C1、电容C2大1至3倍。初看起来,它不像个多谐振荡器,好像被电容C3、C4滤波了,振荡不起来。其实电容C3、C4与电容C1、C2只起了个分压的作用,只要电容C3、C4的值与电容C1、C2相比,其所分得的电压不会太低,振荡工作不仅能够正常,而且非常稳定,不易受外界干扰。这是由于电容C3、C4的加入,使三极管Q1、Q2的BE端高频输入阻抗大大降低的缘故。此外,当电源电压大于三极管Q1、Q2的BE端的反向击穿电压时,电容C1、C2的电压往往导致,三极管Q1、Q2的EB端击穿,轻者导致频率不稳定,重者导致可靠性下降。加了电容C3、C4后,只要电容C3、C4的取值得当,三极管Q1、Q2的EB端就不会被击穿,从而振荡的频率更加稳定,电路更加可靠。
由此可见,电容C3、C4的加入不仅可以完全消除外部电磁场的干扰,而且还可以防止当Vcc>Veb (Vcc是电源正端的电压,Veb是三极管Q1、Q2的发射极到基极的击穿电压)时,三极管Q1、Q2因反向击穿而影响工作频率和电路的可靠性。从而使整体电路更加稳定可靠。
为了进一步提高电路抗干扰能力,该电路还利用光耦隔离,以及加入二极管D1、D2和电阻R5、R6,具体的电路改变是:电阻R5和正向连接的二极管D1串联后并接于电源正端与三极管Q1的C端之间,电阻R6和正向连接的二极管D2串联后并接于电源正端与三极管Q2的C端之间。电阻R5和二极管D1的中间端(即二极管D1的正极)与电源接地端之间串接光耦器件D3,电阻R6和二极管D2的中间端(即二极管D2的正极)与电源接地端之间串接光耦器件D4。
图2所示的D3、D4为光耦器件,该方波发生器,通过使用光耦器件隔离输出,抗干扰能力更强。同时,二极管D1、D2和电阻R5、R6的加入,进一步有效地防止输出电路对振荡频率的影响,并确保输出电路是真正的方波信号。(图1中所示的现有多谐振荡器电路中,从三极管Q1Q2的集电极中输出,上升沿为圆弧状,不是真正的方波)。加入二极管D1、D2隔离后,输出即为真正的方波信号。
总之,该电路经电容C3、C4的高频滤波,二极管D1、D2的输出隔离和二极管D3、D4的光耦隔离这三大措施,有效地消除了传导、辐射、耦合的各种干扰,从而能确保振荡电路的高度稳定性。本实用新型的方波发生器对于频率不要求精确,波形要求稳定且对称的场合非常适用。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内,在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化,均为本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种强抗干扰能力的方波发生器,其特征在于:电源正端与电源接地端分别连接电阻R1和三极管Q1的CE端所串联的一路及电阻R4和三极管Q2的CE端所串联的另一路,电阻R2和电容C2串联后并接于电源正端与三极管Q1的C端之间,电阻R3和电容C1串联后并接于电源正端与三极管Q2的C端之间,电阻R2和电容C2的中间端连接于三极管Q2的B端,电阻R3和电容C1的中间端连接于三极管Q1的B端,三极管Q1的B端和电源接地端之间并联电容C3,三极管Q2的B端和电源接地端之间并联电容C4。
2.如权利要求1所述的强抗干扰能力的方波发生器,其特征在于:电阻R5和正向连接的二极管D1串联后并接于电源正端与三极管Q1的C端之间,电阻R6和正向连接的二极管D2串联后并接于电源正端与三极管Q2的C端之间。
3.如权利要求2所述的强抗干扰能力的方波发生器,其特征在于:电阻R5和二极管D1的中间端与电源接地端之间串接光耦器件D3,电阻R6和二极管D2的中间端与电源接地端之间串接光耦器件D4。
4.如权利要求1或2或3所述的强抗干扰能力的方波发生器,其特征在于:较佳的电容C3、C4的取值为电容C1、C2值的1至3倍范围内。
Priority Applications (1)
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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CN201320641184.0U Expired - Lifetime CN203504509U (zh) | 2013-10-17 | 2013-10-17 | 强抗干扰能力的方波发生器 |
Country Status (1)
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2013
- 2013-10-17 CN CN201320641184.0U patent/CN203504509U/zh not_active Expired - Lifetime
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