CN203339941U - 具备硬件过流保护的单芯片双路mosfet驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种具备硬件过流保护的单芯片双路MOSFET驱动电路，包括采用带双路驱动的单芯片U1进行驱动主辅MOSFET管，将主MOSFET管Q2的电流接入到芯片U1的硬件电流保护输入端CS电流反馈电路和把芯片U1内部产生的电压利用分压电阻设定出过流保护比例值，并滤波后输入到驱动芯片参考端的过流保护值设定电路；本保护电路线路结构简单，成本低，而且硬件过流保护实时性高。
Description
技术领域
本实用新型涉及电流保护电路，尤其是涉及用于有源钳位反激准谐振电路的具备硬件过流保护的单芯片双路MOSFET驱动电路。
背景技术
有源钳位反激准谐振电路以其高效率、低成本等优点被应用于微光伏变网逆变器领域，LC谐振电路使得逆变器的主开关管两端电压在谷底或接近于谷底时开通，从而降低了主开关的损耗。在驱动时，需要以互补的PWM波驱动两个MOSFET管，目前主要是用两块芯片进行分别驱动主MOSFET管和辅MOSFET管，再通过电阻采集主MOSFET管反激电流进行硬件过流保护；或者采用带双路驱动的单芯片驱动，然后用电流传感变压器，外加运算放大电路进行采样，利用软件进行过流保护。
对于第一种采用双芯片分别驱动主MOSFET管和辅MOSFET管的方式，其缺点在于：成本高，电路繁杂，可靠性一般；对于第二种采用带双路驱动的单芯片驱动主MOSFET管和辅MOSFET管，然后用电流传感变压器，外加运算放大电路进行采样，利用软件进行过流保护方式，其缺点在于：电流传感外加采样部分的电路复杂，成本高，而且采用的是软件进行过流保护，实时性差，保护性能难以保证。
实用新型内容
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种带双路驱动的单芯片驱动主辅MOSFET管，外加电阻采样的电流保护电路，该电路简单、成本低，硬件过流保护可靠性高。
本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是：
具备硬件过流保护的单芯片双路MOSFET驱动电路，包括电源，主、辅MOSFET管Q1、Q2，其特征在于还包括：
带双路驱动的芯片U1，所述芯片U1的第一信号输入端IN1与高频脉宽PWM_H输出端相连，第一信号输出端OUT1通过第二电阻R2与主MOSFET管Q2的栅极相连；所述芯片U1的第二信号输入端IN2与低频脉宽PWM_L输出端相连，第二信号输出端OUT2通过串联在一起的第一电阻R1和第一电容C1与辅MOSFET管Q1的栅极相连；所述芯片U1的驱动接地端PGND分别通过第三电阻R3与辅MOSFET管Q1的源极S端相连，通过第四电阻R4与主MOSFET管Q2的源极S端相连；
电流反馈电路， 设置在主MOSFET管Q2的源极S 与芯片U1的硬件电流保护输入端CS，将主MOSFET管Q2的电流接入到芯片U1的硬件电流保护输入端CS；
过流保护值设定电路，与芯片U1的电压输出端Vout和参考端ILIM相连，把芯片U1内部产生的电压利用分压电阻设定出过流保护比例值，并滤波后输入到驱动芯片参考端ILIM。
其中，所述电流反馈电路包括串联在一起的第五电阻R5和第六电阻R6及并联在所述第五电阻R5和第六电阻R6两端的第二电容C2，其中所述第五电阻R5与第二电容C2的连接端与芯片U1的硬件电流保护输入端相连，所述第五电阻R5和第六电阻R6的连接端与主MOSFET管Q2的源极S相连，所述第六电阻R6与第二电容C2的连接端直接接地。
其中，所述过流保护值设定电路包括串联连接的第七电阻R7和第八电阻R8及并联在第八电阻R8两端的第三电容C3，其中所述第七电阻R7与第八电阻R8的连接端与芯片U1的参考端ILIM相连，所述第七电阻R7的另一端与芯片U1的电压输出端Vout相连，所述第八电阻R8的另一端直接接地。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型的硬件电流保护电路采用带双路驱动的单芯片U1进行驱动主辅MOSFET管；外加将主MOSFET管Q2的电流接入到芯片U1的硬件电流保护输入端CS电流反馈电路， 和把芯片U1内部产生的电压利用分压电阻设定出过流保护比例值，并滤波后输入到驱动芯片参考端的过流保护值设定电路；整个保护电路线路结构简单，成本低，而且硬件过流保护实时性高。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然，所描述的附图只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得的其他设计方案和附图：
图1为本实用新型实施例的电路原理图。
具体实施方式
参照图1，本实用新型的一种具备硬件过流保护的单芯片双路MOSFET驱动电路，包括电源，主、辅MOSFET管Q1、Q2，带双路驱动的芯片U1、电流反馈电路2及过流保护值设定电路3，
所述芯片U1的第一信号输入端IN1与高频脉宽PWM_H输出端相连，第一信号输出端OUT1通过第二电阻R2与主MOSFET管Q2的栅极相连；所述芯片U1的第二信号输入端IN2与低频脉宽PWM_L输出端相连，第二信号输出端OUT2通过串联在一起的第一电阻R1和第一电容C1与辅MOSFET管Q1的栅极相连；所述芯片U1的驱动接地端PGND分别通过第三电阻R3与辅MOSFET管Q1的源极S端相连，通过第四电阻R4与主MOSFET管Q2的源极S端相连；
所述电流反馈电路2包括串联在一起的第五电阻R5和第六电阻R6及并联在所述第五电阻R5和第六电阻R6两端的第二电容C2，其中所述第五电阻R5与第二电容C2的连接端与芯片U1的硬件电流保护输入端相连，所述第五电阻R5和第六电阻R6的连接端与主MOSFET管Q2的源极S相连，所述第六电阻R6与第二电容C2的连接端直接接地；其中第三、第四电阻R3、R4可以阻止辅MOSFET管Q1的驱动电流和主MOSFET管Q2的驱动电流流经第六电阻R6，防止电路在谐振时或驱动开通时，因为瞬间驱动电流太大，而引起硬件过流保护触发；
所述过流保护值设定电路3包括串联连接的第七电阻R7和第八电阻R8及并联在第八电阻R8两端的第三电容C3，其中所述第七电阻R7与第八电阻R8的连接端与芯片U1的参考端ILIM相连，所述第七电阻R7的另一端与芯片U1的电压输出端Vout相连，所述第八电阻R8的另一端直接接地，该电路把芯片U1内部产生的电压利用分压电阻即串联连接的第七电阻R7和第八电阻R8设定出过流保护比例值，并滤波后输入到驱动芯片U1参考端ILIM。
以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (4)
1.具备硬件过流保护的单芯片双路MOSFET驱动电路，包括电源，主、辅MOSFET管Q1、Q2，其特征在于还包括：
带双路驱动的芯片U1，所述芯片U1的第一信号输入端IN1与高频脉宽PWM_H输出端相连，第一信号输出端OUT1通过第二电阻R2与主MOSFET管Q2的栅极相连；所述芯片U1的第二信号输入端IN2与低频脉宽PWM_L输出端相连，第二信号输出端OUT2通过串联在一起的第一电阻R1和第一电容C1与辅MOSFET管Q1的栅极相连；所述芯片U1的驱动接地端PGND分别通过第三电阻R3与辅MOSFET管Q1的源极S端相连，通过第四电阻R4与主MOSFET管Q2的源极S端相连；
电流反馈电路（2）， 设置在主MOSFET管Q2的源极S 与芯片U1的硬件电流保护输入端CS，将主MOSFET管Q2的电流接入到芯片U1的硬件电流保护输入端CS；
过流保护值设定电路（3），与芯片U1的电压输出端Vout和参考端ILIM相连，把芯片U1内部产生的电压利用分压电阻设定出过流保护比例值，并滤波后输入到驱动芯片参考端ILIM。
2.根据权利要求1所述的具备硬件过流保护的单芯片双路MOSFET驱动电路，其特征在于：所述电流反馈电路（2）包括串联在一起的第五电阻R5和第六电阻R6及并联在所述第五电阻R5和第六电阻R6两端的第二电容C2，其中所述第五电阻R5与第二电容C2的连接端与芯片U1的硬件电流保护输入端相连，所述第五电阻R5和第六电阻R6的连接端与主MOSFET管Q2的源极S相连，所述第六电阻R6与第二电容C2的连接端直接接地。
3.根据权利要求1所述的具备硬件过流保护的单芯片双路MOSFET驱动电路，其特征在于：所述过流保护值设定电路（3）包括串联连接的第七电阻R7和第八电阻R8及并联在第八电阻R8两端的第三电容C3，其中所述第七电阻R7与第八电阻R8的连接端与芯片U1的参考端ILIM相连，所述第七电阻R7的另一端与芯片U1的电压输出端Vout相连，所述第八电阻R8的另一端直接接地。
4.根据权利要求1所述的具备硬件过流保护的单芯片双路MOSFET驱动电路，其特征在于：所述芯片U1为UCD7201。
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| CN2013203359572U CN203339941U (zh) | 2013-06-09 | 2013-06-09 | 具备硬件过流保护的单芯片双路mosfet驱动电路 |
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| CN2013203359572U CN203339941U (zh) | 2013-06-09 | 2013-06-09 | 具备硬件过流保护的单芯片双路mosfet驱动电路 |
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| CN (1) | CN203339941U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103916006A (zh) * | 2014-04-08 | 2014-07-09 | 江苏银河电子股份有限公司 | 一种感性器件的驱动电路 |
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2013
- 2013-06-09 CN CN2013203359572U patent/CN203339941U/zh not_active Expired - Fee Related
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