CN203325977U - 一种有机发光二极管结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种有机发光二极管结构，包括基板、盖板和位于基板上的有机发光二极管，基板和盖板通过位于基板边缘的粘结材料粘结形成封装结构，有机发光二极管包括设置于基板上表面的阳极和依次叠加在阳极上面的有机层和阴极，所述有机发光二极管阳极或基板上还设有物理间隙柱，所述物理间隙柱的上表面高于有机发光二极管阴极的上表面，当所述有机发光二极管封装结构在外力作用下变形时，盖板或薄膜首先接触的是物理间隙柱，避免有机发光二极管被外力损坏，提高有机发光二极管的使用寿命，所述封装结构尤其适用于大尺寸和柔性有机发光二极管面板，本实用新型所述有机发光二极管结构简单，通用性好。

Description

一种有机发光二极管结构

技术领域

本实用新型属于有机电致发光显示技术领域，具体涉及一种有机发光二极管结构。 

背景技术

有机电致发光二极管（OLED），也叫有机发光二极管，其发光原理是给特定的有机材料施加电流，使电能转化为光能，从而发光，有机发光二极管具有全固态、主动发光、高亮度、高对比度、超薄超轻、低功耗、无视角限制、工作温度范围广等特性，被认为是下一代的平面显示的主力军。然而，OLED显示器，尤其是位于其中的电极和有机材料对于诸如氧气和湿气的外部环境因素极敏感，随着使用时间的增加，环境中的水气与氧气很容易渗入器件内部，使得金属电极与有机材料之间剥离、材料裂解和电极氧化，进而产生暗点，并且黑点随时间的增加会迅速扩大，这会大幅降低显示器件的发光强度和发光均匀度等发光品质，最终会导致整个器件损坏，大大缩短器件的寿命。因此，对OLED器件良好的封装是延长OLED器件寿命的最重要方式。 

传统的OLED封装工艺采用粘结剂粘结基板和封装玻璃盖板构成一气密空间形成对OLED器件保护的方法，此方法工艺成熟、简单并且坚固，但对于大尺寸器件的封装，由于玻璃盖板容易受重力等外力因素而变形，使盖板碰触到器件而使器件受到损坏；同时针对柔性器件，在采用柔性高分子薄膜作为盖板封装的时候，在器件弯曲、折叠的时候很容易造成封装薄膜于器件发光区域碰触而损坏器件。针对盖板封装的缺陷，人们开始把目光转向薄膜封装，薄膜封装是在OLED器件阴极表面沉积多层薄膜，其中以Vitex System的Barix封装技术为代表，这事一种基于复合物的途径来密封OLED的方法，在器件阴极表面制备有机、无机交替的多层薄膜，但是薄膜封装还是会有针孔产生，设备投资高，生产效率低，目前工艺不成熟，不能很好的解决器件因挤压而被破坏的问题。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中的上述问题，提供一种在变形情况下仍能保证有机发光二极管器件不被破坏的有机发光二极管结构。 

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案： 

一种有机发光二极管结构，包括基板、盖板和位于基板上的有机发光二极管，所述基板和盖板通过位于基板边缘的粘结材料粘结形成封装结构，所述有机发光二极管包括设置于基板上表面的阳极和依次叠加在阳极上面的有机层和阴极，其特征在于：所述有机发光二极管的阳极表面还设有物理间隙柱，所述物理间隙柱的上表面高于有机发光二极管阴极的上表面。 

进一步地，所述物理间隙柱也可以直接设置在基板的上表面，即上述方案中与物理间隙 柱重叠的阳极部分被物理间隙柱取代。 

进一步地，所述物理间隙柱的底面积为有机二极管阳极表面积的20～70%。 

进一步地，所述物理间隙柱的材质为光敏感树脂、无机绝缘材料或其他类的绝缘材料。 

进一步地，所述物理间隙柱的材质为丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-环氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯等单体的均聚物或共聚物、三氧化二铝、氮化硅或二氧化硅。 

进一步地，全部有机发光二极管的阳极上均设置有物理间隙柱。 

进一步地，全部或部分有机发光二极管的阳极上设置有物理间隙柱。 

进一步地，全部或部分有机发光二极管阳极处的基板上设置有物理间隙柱。 

进一步地，所述有机发光二极管除了发光层外还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层。 

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是： 

首先，本实用新型所述的有机发光二极管结构通过在二极管阳极部分表面上设置高于二极管阴极的物理间隙柱，当封装结构的盖板受外力作用发生变形时，首先接触的是物理间隙柱，避免了有机发光二极管的阴极和其余层的损坏，提高有机发光二极管的使用寿命；本实用新型尤其适用于大尺寸有机发光二极管面板和柔性有机发光二极管面板； 

其次，本实用新型所述的有机发光二极管结构尤其适用于大尺寸有机发光二极管面板和柔性有机发光二极管面板。 

附图说明

图1为本实用新型实施例1中的有机发光二极管结构的侧剖视图； 

图2为本实用新型实施例2中的有机发光二极管结构的侧剖视图。 

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。 

实施例1 

如图1所示，本实施例中的有机发光二极管结构，包括基板1、盖板3和位于基板上的有机发光二极管2，基板1和盖板3通过位于基板边缘的粘结材料4粘结形成封装结构；有机发光二极管2包括设置于基板上表面的阳极21和依次叠加在阳极21上面的有机层22和阴极23，所述阳极21上还设有物理间隙柱5，且物理间隙柱5的上表面高于有机发光二极管阴极23的的上表面，这样当封装结构受外力作用而变形时，变形的盖板3首先接触到的是物理 间隙柱5的上表面，而不会接触和破坏有机发光二极管2的阴极23及有机层22。 

为了保证封装结构的发光度和视角，本实施例中物理间隙柱5占有机二极管阳极21表面积的20%。 

本实施例中的物理间隙柱5的材质为丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-环氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯等单体的均聚物或共聚物。 

本实施例中全部有机发光二极管2的阳极21上均设置有物理间隙柱5。 

本实施例中的有机发光二极管的有机层22可以只包括至少一层发光层，也可以包括至少一层发光层和空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，即该有机发光二极管封装结构适用于各种有机发光二极管。 

实施例2 

如图1所示，本实施例中的有机发光二极管结构包括基板1、盖板3和位于基板上的有机发光二极管2，基板1和盖板3通过位于基板边缘的粘结材料4粘结形成封装结构；有机发光二极管2包括设置于基板上表面的阳极21和依次叠加在阳极21上面的有机层22和阴极23；所述阳极21上还设有物理间隙柱5，且物理间隙柱5的上表面高于有机发光二极管阴极23的的上表面，这样当封装结构受外力作用而变形时，变形的盖板3首先接触到的是物理间隙柱5的上表面，而不会接触到有机发光二极管2的阴极23及有机层22。 

为了保证封装结构的发光度和视角，物理间隙柱5占有机二极管阳极21表面积的40%。 

本实施例中的物理间隙柱5的材质为三氧化二铝、氮化硅或二氧化硅。 

本实施例中只在部分有机发光二极管2的阳极21上设置有物理间隙柱5，因为相比红光和蓝光，绿光的发光效率较高，所以将物理间隙柱5设置于发绿光的有机发光二极管2的阳极21表面，代替传统调整不同发光颜色二极管像素尺寸来调整不同颜色发光亮度比例的做法。 

本实施例中的有机发光二极管的有机层22可以只包括至少一层发光层，也可以包括至少一层发光层和空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，即该有机发光二极管封装结构适用于各种有机发光二极管。 

实施例3 

如图2所示，本实施例中的有机发光二极管结构包括基板1、盖板3和位于基板上的有机发光二极管2，基板1和盖板3通过位于基板边缘的粘结材料4粘结形成封装结构；有机发光二极管2包括设置于基板上表面的阳极21和依次叠加在阳极21上面的有机层22和阴极23；所述基板1上还设置有物理间隙柱5，即实施例1中与物理间隙柱5重叠的阳极部分被 物理间隙柱取代，物理间隙贯穿阳极、有机层和阴极，所述物理间隙柱5的上表面高于有机发光二极管2阴极23的上表面，即物理间隙柱5的上表面突出于有机发光二极管2的阴极23上表面，这样当封装结构受外力作用而变形时，变形的盖板3首先接触到的是物理间隙柱5的上表面，而不会接触到有机发光二极管2的阴极23及有机层22。 

为了保证封装结构的发光度和视角，物理间隙柱5占有机二极管阳极21表面积的60%。 

所述物理间隙柱5的材质为丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-环氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯等单体的均聚物或共聚物。 

本实施例中部分有机发光二极管2的阳极21上均设置有物理间隙柱5。 

本实施例中的有机发光二极管的有机层21可以只包括至少一层发光层，也可以包括至少一层发光层和空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，即该有机发光二极管封装结构适用于各种有机发光二极管。 

尽管这里参照本实用新型的多个解释性实施例对本实用新型进行了描述，但是，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。 

Claims (8)

1.一种有机发光二极管结构，包括基板、盖板和位于基板上的有机发光二极管，所述基板和盖板通过位于基板边缘的粘结材料粘结形成封装结构，所述有机发光二极管包括设置于基板上表面的阳极和依次叠加在阳极上面的有机层和阴极，其特征在于：所述有机发光二极管阳极表面还设有物理间隙柱，所述物理间隙柱的上表面高于有机发光二极管阴极的上表面。 

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于：所述物理间隙柱设置于基板的上表面。 

3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管结构，其特征在于：所述物理间隙柱的底面积为有机二极管阳极表面积的20～70%。 

4.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管结构，其特征在于：所述物理间隙柱的材质为光敏感树脂或无机绝缘材料。 

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管结构，其特征在于：所述物理间隙柱的材质为丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-环氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯等单体的均聚物或共聚物、三氧化二铝、氮化硅或二氧化硅。 

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于：全部或部分有机发光二极管的阳极上设置有物理间隙柱。 

7.根据权利要求2所述的有机发光二极管结构，其特征在于：全部或部分有机发光二极管阳极处的基板上设置有物理间隙柱。 

8.根据权利要求6或7所述的有机发光二极管结构，其特征在于：所述有机发光二极管的有机层包括至少一层发光层，还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层。 

Images