CN203300685U - 一种GaN基发光二极管外延片 - Google Patents
一种GaN基发光二极管外延片 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN（4）、MQW发光层（5）以及HT—pGaN层（7），其特征在于：所述MQW发光层（5）与HT—pGaN层（7）之间设置有LT—pGaN层（6），本实用新型有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED外延片技术领域，具体涉及一种GaN基发光二极管外延片。
背景技术
目前，蓝绿光发光二极管的主流是在蓝宝石或碳化硅衬底上生长GaN材料，其中绝大部分采用蓝宝石作为衬底，由于蓝宝石衬底与GaN材料之间较大的晶格失配与热失配，导致GaN外延层内产生高密度的缺陷，例如穿透位错。实验证明这些缺陷是III族氮化物基发光二极管中反向漏电电流产生的一个重要途径。现有的外延片在生产过程中，通常是在生长完MQW发光层InGaN/GaN的多量子阱层后直接生长高温p型GaN或者生长p型AlGaN, 上述生产过程由于生长温度较高，容易形成对临近周期的InGaN的破坏，使其In组分容易析出，导致ESD变差。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种GaN基发光二极管外延片，该技术方案有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。
本实用新型通过以下技术方案实现：
一种GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN（4）、MQW发光层（5）以及HT—pGaN层（7），其特征在于：所述MQW发光层（5）与HT—pGaN层（7）之间设置有LT—pGaN层（6）。
本实用新型进一步技术改进方案是：
所述LT—pGaN（6）厚度为60nm。
本实用新型与现有技术相比，具有以下明显优点：本实用新型在传统外延片的MQW发光层与HT—pGaN层之间设置LT—pGaN层，该层生长温度低，在量子阱后易形成不规则结构使得静电易分散，降低了瞬间放电产生的瞬间电流的密度，从而提高GaN基LED芯片抗ESD能力，同时也改善了量子阱界面质量，大大增强量子阱发光强度，从而提高了GaN基LED芯片的发光效率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图1中1为蓝宝石衬底层、2为Buffer—缓冲层、3为uGaN层、4为nGaN、5为MQW发光层、6为LT（低温）—pGaN层、7为HT（高温）—pGaN层。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型包括蓝宝石衬底层1、Buffer—缓冲层2、uGaN层3、nGaN4、MQW发光层5以及HT—pGaN层7，所述MQW发光层5与HT—pGaN层7之间设置有LT—pGaN层6，LT—pGaN层6厚度为60nm。
本实用新型未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
Claims (2)
1.一种GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN（4）、MQW发光层（5）以及HT—pGaN层（7），其特征在于：所述MQW发光层（5）与HT—pGaN层（7）之间设置有LT—pGaN层（6）。
2.根据权利要求1所述的一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于：所述LT—pGaN层（6）厚度为60nm。
Priority Applications (1)
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| CN2013203554166U CN203300685U (zh) | 2013-06-20 | 2013-06-20 | 一种GaN基发光二极管外延片 |
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2013
- 2013-06-20 CN CN2013203554166U patent/CN203300685U/zh not_active Expired - Fee Related
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