CN203206572U - 双全桥注入锁相功率合成金卤灯 - Google Patents
双全桥注入锁相功率合成金卤灯 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203206572U CN203206572U CN2013202275705U CN201320227570U CN203206572U CN 203206572 U CN203206572 U CN 203206572U CN 2013202275705 U CN2013202275705 U CN 2013202275705U CN 201320227570 U CN201320227570 U CN 201320227570U CN 203206572 U CN203206572 U CN 203206572U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- power
- self
- full
- oscillation
- bridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
本实用新型涉及电光源照明技术领域,具体是一种双全桥注入锁相功率合成金卤灯。两个RC振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡,自振荡芯片4及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器,功率合成匹配灯管触发电路灯管启辉,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6锁定相位,获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降,调频信号发生器三角波信号接入两个自振荡芯片4、6调频抑制灯光闪烁,灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片4、6的SD端,控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率管。适用于大功率金卤灯照明场合。
Description
技术领域
本实用新型涉及电光源照明技术领域,具体是一种双全桥注入锁相功率合成金卤灯。
背景技术
现有技术电子镇流器通常用LC或RC振荡器作为金卤灯电光源,产生的振荡频率受温度变化稳定性差影响功率不够稳定,导致光强下降,虽然这种电子镇流器结构简便,成本低。要得到大功率照明势必增大器件电流,致使振荡功率管功耗剧增温升过高导致振荡频率变化,结果会使灯光随频率变化功率幅值失衡。同时,大电流通过线圈温升高磁性导磁率下降,磁饱和电感量变小阻抗趋向零,灯具工作时间与温升正比,温升高加速器件老化,轻则灯管发光不稳定亮度下降,重则烧坏器件缩短使用寿命。由两个振荡逆变功率叠加拖动大功率灯具,解决器件功率容量限制。但是,功率合成振荡电压相位应一致,以克服非线性互调功率不均衡。
发明内容
本实用新型的目的是提供逆变振荡高稳频相位同步,大功率照明的一种双全桥注入锁相功率合成金卤灯。
本实用新型技术解决方案为:包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、金卤灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器,其中,基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成,第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻,并分别并接接地电容,同时,还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器,基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器,自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路,两个自振荡芯片振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡,输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率MOS场效应管两组互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B,自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器,功率合成升压馈送灯管触发电路灯管启辉,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片EXO端锁定相位,调频信号发生器三角波信号接入两个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁,灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端,控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS场效应管,电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆至功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、调频信号发生器、自振荡芯片及全桥逆变器A和自振荡芯片及全桥逆变器B的电源端;
其中,调频信号发生器由两个反相器IC1-3、IC14与电阻R15、R16、电容C21组成低频方波振荡器,经反相器IC1-5隔离由电阻R17、R18、C22积分成三角波,接入振荡驱动芯片RT端频率调制振荡波形抑制灯光闪烁;
灯管触发电路由灯管一端经电容C19接入相加耦合器T3电感L6,同时并接串联双向触发二极管VD13、电感L7的电容C20,电感L7并接脉冲点火变压器T4电感L8与稳压二极管VD14、VD15,脉冲点火变压器T4电感L8、L9、稳压二极管VD14、VD15穿过灯异常检测磁环电感L10接地,灯管另一端接脉冲点火变压器T4电感L9,灯异常检测磁环电感L10接二极管VD16、电容C24、电阻R19,经电阻R12、R13分压,由三极管VT1接入两个自振荡芯片SD端;
功率因数校正APFC由芯片IC3、功率MOS场效应管Q5、升压二极管VD12、磁性变压器T5及电阻、电容组成,整流桥堆输出经磁性变压器T5电感L11接Q5漏极、升压二极管VD12至电容C11作为APFC输出,二极管VD11供C11预充电,电阻R4接整流桥堆输出引入芯片IC3电源端,并与T5电感L12经二极管VD5检波电压为芯片IC3控制门限开启,电阻R2、R3接整流桥堆输出分压取样接入芯片IC3乘法器一端,乘法器另一端接电阻R8、R9分压取样输出电压,乘法器输出与Q5源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器,芯片IC3输出接Q5栅极,T5电感L13高频电压由二极管VD6~9整流、二极管VD10稳压、电容C12滤波为直流电压+15V接入基准晶振、分频器、调频信号发生器的电源端。
本实用新型产生积极效果:解决双全桥逆变振荡高稳频、相位同步功率合成,达到单个自振荡全桥逆变器难以得到的大功率金卤灯照明,避免器件温升高振荡频率变化功率失衡,稳定灯光延长使用寿命。
附图说明
图1本实用新型技术方案原理框图
图2基准晶振电路
图3电源滤波整流功率因数校正电路
图4双全桥注入锁相功率合成金卤灯电路
具体实施方式
参照图1、2、3、4(图4以自振荡芯片及全桥逆变器A电路为例,自振荡芯片及全桥逆变器B相同),本实用新型具体实施方式和实施例:包括电源滤波器EMI和整流桥堆13、功率因数校正APFC1、金卤灯管11、基准晶振2、分频器3、两个自振荡芯片4、6、全桥逆变器A5、全桥逆变器B7、相加耦合器8、调频信号发生器9、灯管触发电路10、灯管异常电流检测器12,其中,基准晶振2由石英晶体谐振器JT、两个反相器IC1-1、IC1-2及电阻R1、电容C0、C1、C2组成,第一个反相器IC1-1输入与输出两端跨接偏置电阻R1,并分别并接接地电容C1、C2,同时,还跨接串联微调电容C0的石英晶体谐振器JT,基准晶振2输出信号经第二个反相器IC1-2接入分频器,自振荡芯片IC4UBA2030T内含振荡器、全桥逆变驱动电路,两个自振荡芯片4、6振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡,输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率MOS场效应管Q1、Q2、Q3、Q4两组互补半桥合成的全桥逆变器A、全桥逆变器B,自振荡芯片4及全桥逆变器A5输出功率变压器T1与自振荡芯片6及全桥逆变器B7输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器8,功率合成匹配灯管触发电路10灯管11启辉,基准晶振2信号经分频器3分频÷N基准信号f0注入两个自振荡芯片4、6的EXO端锁定相位,调频信号发生器9三角波信号接入两个自振荡芯片4、6的RC端调频抑制灯光闪烁,灯管异常电流检测器12信号经三极管VT1接入两个自振荡芯片4、6的SD端,控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS场效应管,电网电源经电源滤波器EMI和整流桥堆13、功率因数校正APFC1输出电压接入基准晶振2、分频器3、调频信号发生器9、自振荡芯片4及全桥逆变器A5、自振荡芯片6及全桥逆变器B7的电源端。
IC3引脚符号功能:VCC芯片逻辑控制低压电源,IDET零电流检测,MULT乘法器输入,INV误差放大器输入,EA误差放大器输出,CS脉宽调制比较器,OUT驱动器输出,GND接地。
IC4引脚符号功能:HV高压电源,VDD低压电源,RC振荡器输入,EXO外接振荡器,GHL驱动Q1,GLL驱动Q2,GHR驱动Q3,GLR驱动Q4,SHL桥路输出,SHR桥路输出,BE桥路使能控制,BER桥路使能参考,DTC死区时间控制,FSL浮置电源,FSR浮置电源,SD关闭振荡,GND接地。
自振荡芯片IC4电源端HV接高压电源+560V,由芯片内部生成低压电源VDD供给产生振荡,电容C13滤除纹波,振荡启动自举电容C15充电,全桥逆变器对角线功率MOS管Q1、Q4导通,Q2、Q3截止,此时电容C16充电,Q1、Q4导通,Q2、Q3截止,轮流工作半个周期,输出电压波形方波。全桥交替切换由RC振荡器振荡频率的1/2频率控制,电阻R10控制振荡波形死区时间。
两个逆变器功率合成拖动大功率灯具,扩容可靠。但要求两个自振荡芯片振荡电压驱动逆变器相位一致,以消除非线性互调功率不均衡,获取稳定的输出功率。为此,引入注入锁相解决功率合成相位同步技术。
注入锁相无须压控调谐、鉴相器、环路滤波器,电路结构简单,性能优越,附加成本低。注入锁相本质上与环路锁相没差别,适于功率合成灯具稳定振荡频率相位同步,稳定输出功率避免器件温升过高功率失衡,延长使用寿命。
基准晶振石英谐振器频率受温度变化极小,高度稳定。基准信号经分频器注入自振荡芯片EXO端锁定相位。未注入基准信号自振荡芯片RC振荡器自由振荡频率,注入基准信号RC振荡电压与其矢量合成,通过自振荡芯片非线性变频锁定相位,振荡信号与注入基准信号仅有一个固定的相位差。同步带宽与注入功率正比,与RC振荡器有载Q值反比,由于基准信号注入RC振荡器的输入端,增益高,小功率锁定,两个自振荡芯片共接电阻R11和电容C14同步振荡,锁定时间快。基准信号分频注入选配较高频率的高稳频特性石英谐振器,锁定数十至数百千赫LC或RC振荡器。分频器IC2二进制或十进制计数器分频。
相加耦合器T3电感L5将两个推挽输出功率变压器T1、T2电感L2、L4反相激励电流叠加,相位差180°低次谐波相互抵消,输出电流变换加倍总和送到灯负载,输入电压、频率、相位及负载相同,电流相等均衡电阻R14无功率损耗。
调频信号发生器由两个反相器IC1-3、IC1-4产生低频方波信号,经反相器IC1-5缓冲隔离电阻R17、R18电容C22积分成三角波调制自振荡芯片RC振荡器的频率,低频三角波信号围绕基准晶振注锁中心频率周期变化,消除灯管电弧驻波声共振点,抑制闪烁稳定灯光。
灯管触发电路由高频电压对电容C20充电,当电压充至双向触发二极管VD13导通,电流经电感L7、脉冲点火变压器T4电感L8,电感L9感生高压脉冲,触发金卤灯管G气体导通启辉。灯管启辉后,VD13不再产生触发脉冲。稳压二极管VD14、VD15限止点火脉冲电压。
灯异常检测由灯电流互感磁环电感L10电压二极管VD16检波、电容C24、电阻R19滤波,经电阻R12、R13分压,三极管VT1触发两个自振荡芯片SD端,当触发电压4.5V~VDD高电平信号时,迅速停振快速关断全桥逆变器MOS功率管,以免受损。
电子镇流器接入交流电源呈阻抗性负载,输入电压和电流有较大相位差,功率因数低。由芯片IC3L6562、功率MOS管Q5等组成APFC提高功率因数,减小电流总谐波失真,输出电压恒定,保障双桥振荡幅值稳定灯光不变。电源滤波器EMI抑制振荡谐波干扰通过电网传输。
实施例电源AC85~265V,功率因数校正APFC直流输出电压560V,功率因数0.98,双桥逆变器电流0.54A,驱动250W金卤灯,效率83%,逆变电流小,功耗低,长时间照明灯光稳定,启辉自如。
Claims (4)
1.一种双全桥注入锁相功率合成金卤灯,包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、金卤灯管,其特征在于:还包括基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器,其中,基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成,第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻,并分别并接接地电容,同时,还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器,基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器,自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路,两个自振荡芯片振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡,输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率MOS场效应管两组互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B,自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器,功率合成匹配灯管触发电路灯管启辉,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片EXO端锁定相位,调频信号发生器三角波信号接入两个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁,灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端,控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS场效应管,电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、调频信号发生器、自振荡芯片及全桥逆变器A和自振荡芯片及全桥逆变器B的电源端。
2.根据权利要求1所述的双全桥注入锁相功率合成金卤灯,其特征在于:调频信号发生器由两个反相器IC1-3、IC1-4与电阻R15、R16、电容C21组成低频方波振荡器,经反相器IC1-5隔离由电阻R17、R18、C22积分成三角波,接入振荡驱动芯片RT端频率调制振荡波形抑制灯光闪烁。
3.根据权利要求1所述的双全桥注入锁相功率合成金卤灯,其特征在于:灯管触发电路由灯管一端经电容C19接入相加耦合器T3电感L6,同时并接串联双向触发二极管VD13、电感L7的电容C20,电感L7并接脉冲点火变压器T4电感L8与稳压二极管VD14、VD15,脉冲点火变压器T4电感L8、L9、稳压二极管VD14、VD15穿过灯异常检测磁环电感L10接地,灯管另一端接脉冲点火变压器T4电感L9,灯异常检测磁环电感L10接二极管VD16、电容C24、电阻R19,经电阻R12、R13分压,由三极管VT1接入两个自振荡芯片SD端。
4.根据权利要求1所述的双全桥注入锁相功率合成金卤灯,其特征在于:功率因数校正APFC由芯片IC3、功率MOS场效应管Q5、升压二极管VD12、磁性变压器T5及电阻、电容组成,整流桥堆输出经磁性变压器T5电感L11接Q5漏极、升压二极管VD12至电容C11作为APFC输出,二极管VD11供C11预充电,电阻R4接整流桥堆输出引入芯片IC3电源端,并与T5电感L12经二极管VD5检波电压为芯片IC3控制门限开启,电阻R2、R3接整流桥堆输出分压取样接入芯片IC3乘法器一端,乘法器另一端接电阻R8、R9分压取样输出电压,乘法器输出与Q5源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器,芯片IC3输出接Q5栅极,T5电感L13高频电压由二极管VD6~9整流、二极管VD10稳压、电容C12滤波为直流电压接入基准晶振、分频器、调频信号发生器的电源端。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013202275705U CN203206572U (zh) | 2013-04-15 | 2013-04-15 | 双全桥注入锁相功率合成金卤灯 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013202275705U CN203206572U (zh) | 2013-04-15 | 2013-04-15 | 双全桥注入锁相功率合成金卤灯 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN203206572U true CN203206572U (zh) | 2013-09-18 |
Family
ID=49150621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2013202275705U Expired - Fee Related CN203206572U (zh) | 2013-04-15 | 2013-04-15 | 双全桥注入锁相功率合成金卤灯 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN203206572U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104105295A (zh) * | 2013-04-15 | 2014-10-15 | 梅玉刚 | 双全桥注入锁相功率合成金卤灯 |
-
2013
- 2013-04-15 CN CN2013202275705U patent/CN203206572U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104105295A (zh) * | 2013-04-15 | 2014-10-15 | 梅玉刚 | 双全桥注入锁相功率合成金卤灯 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN203206572U (zh) | 双全桥注入锁相功率合成金卤灯 | |
CN203181350U (zh) | 双半桥注入锁相功率合成无极灯 | |
CN203181382U (zh) | 双全桥注入锁相功率合成高压钠灯 | |
CN203181347U (zh) | 双半桥注入锁相功率合成金卤灯 | |
CN203181355U (zh) | 双全桥注入锁相功率合成霓虹灯 | |
CN203181370U (zh) | 双半桥注入锁相功率合成高压钠灯 | |
CN203181329U (zh) | 双全桥注入锁相功率合成卤素灯组 | |
CN203181360U (zh) | 双全桥注入锁相功率合成无极灯组 | |
CN203181391U (zh) | 双全桥注入锁相功率合成荧光灯组 | |
CN203181379U (zh) | 双全桥注入锁相功率合成低压钠灯 | |
CN203181387U (zh) | 双半桥注入锁相功率合成荧光灯 | |
CN104105312B (zh) | 双半桥注入锁相功率合成高压钠灯 | |
CN203181351U (zh) | 双半桥注入锁相功率合成霓虹灯 | |
CN203181343U (zh) | 太阳能电源双全桥注入锁相功率合成金卤灯 | |
CN203181373U (zh) | 双半桥注入锁相功率合成低压钠灯 | |
CN203206571U (zh) | 直流低电压双推注入锁相功率合成金卤灯 | |
CN203181326U (zh) | 双半桥注入锁相功率合成卤素灯组 | |
CN104105308A (zh) | 双全桥注入锁相功率合成高压钠灯 | |
CN203181336U (zh) | 双半桥注入锁相功率合成黑光灯组 | |
CN203181320U (zh) | 双全桥注入锁相发光二极管led阵列灯 | |
CN203181338U (zh) | 双全桥注入锁相功率合成黑光灯组 | |
CN103338570B (zh) | 双全桥注入锁相功率合成霓虹灯 | |
CN104105295A (zh) | 双全桥注入锁相功率合成金卤灯 | |
CN103354692B (zh) | 双半桥注入锁相功率合成低压钠灯 | |
CN104105320B (zh) | 双全桥注入锁相功率合成荧光灯组 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130918 Termination date: 20140415 |