CN203181350U - 双半桥注入锁相功率合成无极灯 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电光源照明技术领域,具体是一种双半桥注入锁相功率合成无极灯。包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、无极灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片4、6、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器,两个自振荡芯片4、6的RC振荡器共接电阻R4、电容C5同步振荡,自振荡芯片4及半桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及半桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器,功率合成经磁环电感耦合到灯管启辉,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器锁定相位,获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降。适用于大功率无极灯照明场合。
Description
技术领域
本实用新型涉及电光源照明技术领域,具体是一种双半桥注入锁相功率合成无极灯。
背景技术
现有技术电子镇流器通用LC或RC振荡器作为无极灯电光源,产生的振荡频率受温度变化稳定性差影响功率不够稳定,导致光强下降,虽然这种电子镇流器,结构简便,成本低。要得到大功率照明势必增大器件电流,而振荡功率管功耗剧增温升过高导致振荡频率变化,结果会使灯光随频率变化功率幅值失衡。同时,大电流通过线圈温升高磁性导磁率下降,磁饱和电感量变小阻抗趋向零,灯具工作时间与温升正比,温升高加速器件老化,轻则灯管发光不稳定亮度下降,重则烧坏器件缩短使用寿命。
发明内容
本实用新型的目的是提供逆变振荡高稳频相位同步,大功率照明的一种双半桥注入锁相功率合成无极灯。
本实用新型技术解决方案为:包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC,无极灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、灯管异常电流检测器,其中,基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成,第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻,并分别并接接地电容,同时,还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器,基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器,自振荡芯片内含RC振荡器、半桥逆变驱动电路,两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R11、电容C15同步振荡,输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率MOS场效应管互补组成的半桥逆变器A、半桥逆变器B,自振荡芯片及半桥逆变器A输出功率变压器T2与自振荡芯片及半桥逆变器B输出功率变压器T3反相馈入相加耦合器,功率合成经磁环电感L13、L14耦合到无极灯管启辉,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器CT端锁定相位,灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片RC振荡器CT端控制振荡快速停振,电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及半桥逆变器A、自振荡芯片及半桥逆变器B的电源端;
其中,功率因数校正APFC由芯片IC4、功率MOS场效应管Q1、升压二极管VD11、磁性变压器T1及电阻、电容组成,整流桥堆输出经磁性变压器T1电感L3接Q1漏极、升压二极管VD11至电容C11作为功率因数校正APFC输出,电阻R4接整流桥堆输出引入芯片IC4电源端,并与磁性变压器T1电感L4经二极管VD5检波电压为芯片IC4控制门限开启,电阻R2、R3接整流桥堆输出分压取样接入芯片IC4乘法器一端,乘法器另一端接电阻R8、R9分压取样输出电压,乘法器输出与Q1源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器,芯片IC4输出接Q1栅极,磁性变压器T1电感L5高频电压由二极管VD6~9整流、二极管VD10稳压、电容C12滤波接基准晶振、分频器电源端。
本实用新型产生积极效果:解决双半桥逆变振荡高稳频、相位同步功率合成,达到单个自振荡半桥逆变器难以得到的大功率无极灯照明,避免器件温升高振荡频率变化功率失衡,稳定灯光延长使用寿命。
附图说明
图1本实用新型技术方案原理框图
图2基准晶振电路
图3双半桥注入锁相功率合成无极灯电路
具体实施方式
参照图1、2、3(图3以自振荡芯片及半桥逆变器A电路为例、自振荡芯片及半桥逆变器B相同),本实用新型具体实施方式和实施例:包括电源滤波器EMI与整流桥堆10、功率因数校正APFC1、无极灯管9、基准晶振2、分频器3、两个自振荡芯片4、6、半桥逆变器A5、半桥逆变器B7、相加耦合器8灯管异常电流检测器11,其中,基准晶振2由石英晶体谐振器JT、两个反相器IC1、IC2及电阻、电容C0、C1、C2组成,第一个反相器IC1输入与输出两端跨接偏置电阻R1,并分别并接接地电容C1、C2,同时,还跨接串联微调电容C0的石英晶体谐振器JT,基准晶振2输出信号经第二个反相器IC2接入分频器,自振荡芯片IC5IR2153内含RC振荡器、半桥逆变驱动电路,两个自振荡芯片4、6的RC振荡器共接电阻R11、电容C15同步振荡,输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率MOS场效应管Q2、Q3互补组成的半桥逆变器A5、半桥逆变器B7,自振荡芯片4及半桥逆变器A5输出功率变压器T2与自振荡芯片及半桥逆变器B输出功率变压器T3反相馈入相加耦合器8,功率合成经磁环电感L13、L14耦合无极灯管9启辉,基准晶振2信号经分频器3注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器CT端锁定相位,灯管异常电流检测器11信号经三极管接入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器CT端控制振荡快速停振,电网电源经电源滤波器EMI与整流桥堆10、功率因数校正APFC1输出电压+15V接入基准晶振2、分频器3,+400V接入自振荡芯片4及半桥逆变器A5和自振荡芯片6及半桥逆变器B7的电源端。
IC4引脚符号功能:VCC芯片逻辑控制低压电源,IDET零电流检测,MULT乘法器输入,INV误差放大器输入,EA误差放大器输出,CS脉宽调制比较器,OUT驱动器输出,GND接地。
IC5引脚符号功能:VCC芯片低压电源端,VB驱动器浮置电源,HO驱动Q2栅极,LO驱动Q3栅极,VS浮置电源回归,RT接振荡定时电阻,CT接振荡定时电容,OCM功率信号接地。
电阻R10电容C13将降压供给自振荡芯片IC5开启电源,产生振荡,驱动半桥功率MOS管Q2、Q3,使之轮流导通/截止,半桥逆变器中点输出方波电压经电阻R14、电容C17、二极管VD12、VD13整流对电容C13充电,提供自振荡芯片IC5电源,转换后电阻R10停止供电,降低功耗。二极管VD14对电容C16自举充电,浮置供电驱动半桥逆变器减少功耗。
两个逆变器功率合成拖动大功率灯具,扩容可靠,但两个自振荡芯片振荡电压相位应一致,以消除非线性互调功率不均衡,获取稳定的输出功率。为此,引入注入锁相解决功率合成相位同步技术。
基准晶振石英谐振器频率受温度变化极小,高度稳定。基准信号经分频器注入自振荡芯片RC振荡器锁定相位。未注入基准信号RC振荡器产生自由振荡频率,注入基准信号RC振荡电压与其矢量合成,通过自振荡芯片非线性变频锁定相位,振荡信号与注入基准信号仅有一个固定的相位差。同步带宽与注入功率正比,与RC振荡器有载Q值反比,由于基准信号注入RC振荡器的输入端,增益高,小功率即可锁定,两个自振荡芯片共接定时电阻R11、电容C15同步振荡锁定时间快。基准信号分频注入选配较高频率的高稳频特性谐振器,锁定数十至数百千赫LC或RC振荡器。分频器IC3二进制或十进制计数器分频。
注入锁相无须压控调谐、鉴相、环路滤波,电路简单性能优越,附加成本低。注入锁相本质上与环路锁相没差别,适合功率合成灯具稳定振荡频率相位同步,避免器件温升过高功率失衡,稳定灯光延长使用寿命。
相加耦合器T4电感L10将两个半桥输出功率变压器T2、T3电感L7、L9反相激励电流叠加,相位差180°低次谐波相互抵消,输出电流变换加倍总和送到灯负载,两个电流相等平衡电阻R17无功率损耗。
电阻R18、电容C21吸收抑制尖峰脉冲平滑灯光。电容C20电感L15谐振于注锁基准频率易于启辉。
灯异常检测由灯电流互感磁环电感L12感生电压二极管VD15检波、电容C22、电阻R19滤波经电阻R15、R16分压,三极管VT1触发两个自振荡芯片RC振荡器CT端,芯片内部的比较器电压降低到VCC/6以下,迅速停振快速关断逆变器功率管,免受损坏。
电子镇流器接入交流电源呈阻抗性负载,输入电压和电流有较大相位差,功率因数低,由芯片IC4L6562、功率MOS管Q1提高功率因数,减小电流总谐波失真,输出电压恒定,保障大功率振荡幅值稳定灯光。电源滤波器EMI抑制振荡谐波干扰通过电网传输。
实施例交流电AC90~250V,功率因数校正APFC输出DC400V,功率因数0.98,双半桥逆变电流0.58A,驱动两支100W无极灯管,效率86%。
Claims (2)
1.一种双半桥注入锁相功率合成无极灯,包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、无极灯管,其特征在于:还包括基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、灯管异常电流检测器,其中,基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成,第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻,并分别并接接地电容,同时,还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器,基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器,自振荡芯片内含RC振荡器、半桥逆变驱动电路,两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R11、电容C15同步振荡,输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率MOS场效应管互补组成的半桥逆变器A、半桥逆变器B,自振荡芯片及半桥逆变器A输出功率变压器T2与自振荡芯片及半桥逆变器B输出功率变压器T3反相馈入相加耦合器,功率合成经磁环电感L13、L14耦合到无极灯管启辉,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器CT端锁定相位,灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片RC振荡器CT端控制振荡快速停振,电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及半桥逆变器A和自振荡芯片及半桥逆变器B的电源端。
2.根据权利要求1所述的双半桥注入锁相功率合成无极灯,其特征在于:功率因数校正APFC由芯片IC4、功率MOS场效应管Q1、升压二极管VD11、磁性变压器T1及电阻、电容组成,整流桥堆输出经磁性变压器T1电感L3接Q1漏极、升压二极管VD11至电容C11作为功率因数校正APFC输出,电阻R4接整流桥堆输出引入芯片IC4电源端,并与磁性变压器T1电感L4经二极管VD5检波电压为芯片IC4控制门限开启,电阻R2、R3接整流桥堆输出分压取样接入芯片IC4乘法器一端,乘法器另一端接电阻R8、R9分压取样输出电压,乘法器输出与Q1源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器,芯片IC4输出接Q1栅极,磁性变压器T1电感L5高频电压由二极管VD6~9整流、二极管VD10稳压、电容C12滤波接基准晶振、分频器电源端。
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