CN203179059U - 基于单片机微控制器的超高频rfid标签 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于单片机微控制器的超高频RFID标签,包括稳压电路、上电复位电路、偏置电路、微处理器、EEPROM存储器和检波电路,所述检波电路包括第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、封装电路的等效串联电阻、负载电阻、电感和偏置电阻,所述封装电路的等效串联电阻的第一端、所述第一电容的第一端、所述第三电容的第一端、所述负载电阻的第一端和所述第一二级管的正极连接后接地,所述电感的第一端与所述封装电路的等效串联电阻的第二端连接,本实用新型成本较低,易于开发,具有识别距离远、通信速度快、尺寸小等特点,具有推广的价值。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种RFID标签,尤其涉及一种基于单片机微控制器的超高频RFID标签。
背景技术
RFID(Radio Frequency Identification,射频识别)技术是一种非接触式的自动识别技术,它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据,识别工作无须人工干预,因此广泛应用于工业生产自动化、供应链管理、物流货物跟踪、交通运输管理等领域。
当前国内对RFID标签的研究都集中在频率为125KHz、134KHz的低频和13.56MHz的高频频段,在860~960MHz的超高频段和2.45GHz以上的微波频段研究相对较少。而后者由于具有操作距离远、通信速度快、尺寸小等优点,未来的应用将更广泛。
实用新型内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单、操作距离远和通信速度快的一种基于单片机微控制器的超高频RFID标签。
为了达到上述目的,本实用新型采用了以下技术方案:
一种基于单片机微控制器的超高频RFID标签,包括稳压电路、上电复位电路、偏置电路、微处理器、EEPROM存储器和检波电路,所述检波电路包括第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、封装电路的等效串联电阻、负载电阻、电感和偏置电阻,所述封装电路的等效串联电阻的第一端、所述第一电容的第一端、所述第三电容的第一端、所述负载电阻的第一端和所述第一二级管的正极连接后接地,所述电感的第一端与所述封装电路的等效串联电阻的第二端连接,所述电感的第二端分别与所述第一电容的第二端和所述第二电容的第一端连接,所述第二二极管的正极分别与所述第一二极管的负极和所述第二电容的第二端连接,所述第二二极管的负极、所述第三电容的第二端、所述负载电阻的第二端和所述偏置电阻的第一端连接,所述偏置电阻的第二端与电源的正极连接,所述电源的负极接地。
具体地,所述微处理器通过I/O端口分别与所述上电复位电路、所述偏置电路、所述稳压电路和所述检波电路连接,所述微处理器的数据端口与所述EEPROM存储器的数据端口连接。
具体地,所述微处理器采用型号为P89C51X2的单片机。
本实用新型的有益效果在于:
本实用新型一种基于单片机微控制器的超高频RFID标签相对于一般的电子标签,具有,成本较低,易于开发,具有识别距离远、通信速度快、尺寸较小等特点。
附图说明
图1是本实用新型标签系统结构框图;
图2是本实用新型检波电路示意图。
图中:1-微处理器,2-上电复位电路,3-偏置电路,4-稳压电路,5-EEPROM存储器,6-检波电路。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
如图1和图2所示,一种基于单片机微控制器的超高频RFID标签,包括稳压电路4、上电复位电路2、偏置电路3、微处理器1、EEPROM存储器5和检波电路6,所述检波电路6包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一二极管D1、第二二极管D2、封装电路的等效串联电阻RS、负载电阻RL、电感L和偏置电阻,所述封装电路的等效串联电阻RS的第一端、所述第一电容C1的第一端、所述第三电容C3的第一端、所述负载电阻RL的第一端和所述第一二级管D1的正极连接后接地,所述电感L的第一端与所述封装电路的等效串联电阻RS的第二端连接,所述电感L的第二端分别与所述第一电容C1的第二端和所述第二电容C2的第一端连接,所述第二二极管D2的正极分别与所述第一二极管D1的负极和所述第二电容C2的第二端连接,所述第二二极管D2的负极、所述第三电容C3的第二端、所述负载电阻RL的第二端和所述偏置电阻的第一端连接,所述偏置电阻的第二端与电源的正极连接,所述电源的负极接地。
具体地,所述微处理器通过I/O端口分别与所述上电复位电路2、所述偏置电路3、所述稳压电路4和所述检波电路6连接,所述微处理器1的数据端口与所述EEPROM存储器5的数据端口连接。
具体地,所述微处理器1采用型号为P89C51X2的单片机。
使用本实用新型基于单片机微控制器的超高频RFID标签的工作原理如下:
微处理器1采用型号为P89C51X2的单片机,完成系统的信号处理及通信控制功能。P89C51X2单片机核心处理单元为80C51,带有64K字节的ROM,可供写入引导程序以及厂商信息使用;64K字节的RAM,可用做缓冲器,提高处理速度;4K字节的FLASH EEPROM内部程序存储器,可用来存储代码和数据,支持每字节最少10000次擦除或编程周期;提供内部振荡器,为基带数字信号处理单元提供可靠的时钟信号;内含计数器,可供防冲突处理部分计数使用;FLASH存储器中内含3个可编程保密位,可为片内的代码和数据提供不同级别的保护;支持掉电模式,可进一步降低功耗。
①当超高频RFID标签进入阅读器的射频场后,芯片上电复位;②微处理器完成初始化;③启动二进制树防冲突单元,读取“Select”标志位,如果等待一定时间后未被选中,则返回①状态,继续等待,如果收到“选中”指令,则继续下一步;④接收检波电路6送来的数字基带信号;⑤启动CRC纠错电路;⑥对基带信号进行Manchester解码;⑦对信号中的指令进行识别,如果发现满足指令执行的条件,就执行阅读器指定的操作,并根据通信协议,决定是否返回应答信号,反之,则向阅读器发出出错信息,并将工作状态返回至初始状态;⑧对应答信号进行FM0编码;⑨控制射频端的ASK调制和发射;⑩保持一定时间的静默后,进入下电复位状态。
Claims (3)
1.基于单片机微控制器的超高频RFID标签,包括稳压电路、上电复位电路和偏置电路,其特征在于:还包括微处理器、EEPROM存储器和检波电路,所述检波电路包括第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、封装电路的等效串联电阻、负载电阻、电感和偏置电阻,所述封装电路的等效串联电阻的第一端、所述第一电容的第一端、所述第三电容的第一端、所述负载电阻的第一端和所述第一二级管的正极连接后接地,所述电感的第一端与所述封装电路的等效串联电阻的第二端连接,所述电感的第二端分别与所述第一电容的第二端和所述第二电容的第一端连接,所述第二二极管的正极分别与所述第一二极管的负极和所述第二电容的第二端连接,所述第二二极管的负极、所述第三电容的第二端、所述负载电阻的第二端和所述偏置电阻的第一端连接,所述偏置电阻的第二端与电源的正极连接,所述电源的负极接地。
2.根据权利要求1所述的基于单片机微控制器的超高频RFID标签,其特征在于:所述微处理器通过I/O端口分别与所述上电复位电路、所述偏置电路、所述稳压电路和所述检波电路连接,所述微处理器的数据端口与所述EEPROM存储器的数据端口连接。
3.根据权利要求1所述的基于单片机微控制器的超高频RFID标签,其特征在于:所述微处理器采用型号为P89C51X2的单片机。
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