CN204667413U - 多功能rfid低频近接非接触式读取器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型一种多功能RFID低频近接非接触式读取器，包括射频接口单元和逻辑控制单元，射频接口单元包括电压调节器、时钟发生器、发射器和与发射器输出端连接的天线，所述发射器通过MOSFET单元连接至天线，MOSFET单元的源极接地，漏极接至天线，栅极接至逻辑控制单元，所述MOSFET单元包括第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一MOSFET和第二MOSFET并联连接。通过MOSFET设计提升了本实用新型读取器的输出功率，有效地扩增了读取器读取距离至6～10cm；通过微控制器与流量计量信号相连接，通过检测发射器和接收器的流量值，实现多输入点或多输出点的自动化控制，使用户更方便快捷的操作整个装置。
Description
技术领域
本实用新型涉及读取器技术领域，具体来说是一种多功能RFID低频近接非接触式读取器。
背景技术
Smart Tag(电子标签)又称射频标签、应答器、数据载体，读取器又称为读出装置、扫描器、读头、通信器、阅读器。电子标签与读取器之间通过耦合元件实现射频信号的空间的无接触耦合，在耦合通道内，根据时序关系，实现能量的传递和数据交换。
近年来，物联网产业在各地都有越来越热的发展趋势,于是作为基础产业的电子标签产业也迎来了新一轮的机遇和挑战。由于电子标签具有不易损坏，读取便利，体积小，可靠性高，安装位置隐蔽，同时可以节省大量人力物力等优点，电子标签应用越来越广泛。于是对于电子标签系统最基本的组成部分读取器成为人们的研究的对象。
目前，常用的无线射频读取器是一种能够阅读电子标签的自动识别设备，是一种非接触式的自动识别技术，通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据，识别工作无须人工干扰。当标签进入磁场后，接收读取器发出的射频信号，凭借感应电流所获得的能量发送出存储在芯片中的产品信息，根据应用需求的差异性，电磁波频率的频带可以划分成低频、高频、超高频和微波。
现有技术读取器读取距离过短，一般仅3～5cm，且一般无法满足多侦测点的自动化控制、及自动控制复合控制。
实用新型内容
鉴于上述现有技术存在的缺陷，本实用新型的目的是提出一种能够提高功率使用，降低成本，读取距离较远的多功能RFID低频近接非接触式读取器。本实用新型的目的将通过以下技术方案得以实现：
一种多功能RFID低频近接非接触式读取器，包括射频接口单元和逻辑控制单元，所述射频接口单元包括电压调节器、时钟发生器、发射器和与发射器输出端连接的天线，所述发射器通过MOSFET单元连接至天线，MOSFET单元的源极接地，漏极接至天线，栅极接至逻辑控制单元，所述MOSFET单元包括第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一MOSFET和第二MOSFET并联连接。
本实用新型进一步地，所述逻辑控制单元包括微控制器，所述微控制器上设置有数值量输入点DI和数字量输出点DO。
本实用新型进一步地，所述射频接口单元包括发射器，发射器通过导线连接所述微控制器的数字量输出点DO。
本实用新型进一步地，所述数字量输出点DO采用达灵顿电路。
本实用新型进一步地，所述射频接口单元包括接收器，接收器过导线连接所述微控制器的数字量输入点DI。
本实用新型进一步地，所述数字量输入点DI采用光耦合电晶体。
本实用新型进一步地，所述逻辑控制单元还包括存储单元。
本实用新型的有益效果主要体现在：通过MOSFET设计提升了本实用新型读取器的输出功率，有效地扩增了读取器读取距离至6～10cm；通过微控制器与流量计量信号相连接，通过检测发射器和接收器的流量值，实现本实用新型多输入点或多输出点的自动化控制，使用户更方便快捷的操作整个装置。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型多功能RFID低频近接非接触式读取器的MOSFET单元电路示意图；
图2是本实用新型多功能RFID低频近接非接触式读取器的结构框图。
具体实施方式
本实用新型揭示了多功能RFID低频近接非接触式读取器，有别于传统RFID低频近接非接触式读取器。下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1，本实用新型多功能RFID低频近接非接触式读取器，包括射频接口单元4和逻辑控制单元1，上述射频接口单元包括电压调节器、时钟发生器、发射器和与发射器输出端连接的天线3。上述发射器通过MOSFET单元连接至天线3，MOSFET单元2的源极接地、漏极接至天线3、栅极接至逻辑控制单元1。本实用新型读取器将MOSFET单元设置为包括第一MOSFET21和第二MOSFET22两个电路组成的功能单元，有效的提升了本实用新型读取器的输出功率，优选地，第一MOSFET21和第二MOSFET22并联连接。
具体地，上述逻辑控制单元1包括微控制器，在微控制器上设置有数值量输入点DI和数字量输出点DO。射频接口单元包括发射器，发射器通过导线连接微控制器的数字量输出点DO。数字量输出点DO采用达灵顿电路，达灵顿电路是将两只三极管适当的连接在一起，以组成一支等效的新的三极管，采用达灵顿电路，可使电流放大倍数很高，进而可以增加发射器的发射功率，解决低频干扰的问题。此外，射频接口单元还包括接收器，接收器过导线连接微控制器的数字量输入点DI，数字量输入点DI优选地采用光耦合电晶体，有利于稳定讯号。逻辑控制单元还包括存储单元，用于储存接收到信号的数据。
因此，通过MOSFET设计提升了本实用新型读取器的输出功率，有效地扩增了读取器读取距离至6～10cm；通过微控制器与流量计量信号相连接，通过检测发射器和接收器的流量值，实现本实用新型多输入点或多输出点的自动化控制，使用户更方便快捷的操作整个装置。本实用新型尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种多功能RFID低频近接非接触式读取器，包括射频接口单元（4）和逻辑控制单元（1），所述射频接口单元包括电压调节器、时钟发生器、发射器和与发射器输出端连接的天线（3），其特征在于：所述发射器通过MOSFET单元连接至天线（3），MOSFET单元（2）的源极接地，漏极接至天线（3），栅极接至逻辑控制单元（1），所述MOSFET单元包括第一MOSFET（21）和第二MOSFET（22），所述第一MOSFET（21）和第二MOSFET（22）并联连接。
2.根据权利要求1所述的多功能RFID低频近接非接触式读取器，其特征在于：所述逻辑控制单元（1）包括微控制器，所述微控制器上设置有数值量输入点DI和数字量输出点DO。
3.根据权利要求2所述的多功能RFID低频近接非接触式读取器，其特征在于：所述射频接口单元包括发射器，发射器通过导线连接所述微控制器的数字量输出点DO。
4.根据权利要求3所述的多功能RFID低频近接非接触式读取器，其特征在于：所述数字量输出点DO采用达灵顿电路。
5.根据权利要求1所述的多功能RFID低频近接非接触式读取器，其特征在于：所述射频接口单元包括接收器，接收器过导线连接所述微控制器的数字量输入点DI。
6.根据权利要求5所述的多功能RFID低频近接非接触式读取器，其特征在于: 所述数字量输入点DI采用光耦合电晶体。
7.根据权利要求1所述的多功能RFID低频近接非接触式读取器，其特征在于：所述逻辑控制单元还包括存储单元。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107463862A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-12-12 | 合肥新文远信息技术有限公司 | 一种非接触式rfid读取器 |
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2015
- 2015-06-05 CN CN201520384834.7U patent/CN204667413U/zh not_active Expired - Fee Related
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Granted publication date: 20150923 Termination date: 20180605 |