CN203149240U - 一种电场控制的反射型磁光开关 - Google Patents
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Abstract
实现电场对磁光开关的调控,是十分有意义的。本实用新型提供一种电场控制的反射型磁光开关,包括电极、压电体、磁性介质、激光源、探测器,其中,压电体的两面生长有电极,磁性介质生长于电极上,激光源与探测器位于磁性介质的上方,且激光源与探测器以磁性介质的法线呈镜面对称分布。本实用新型的激光源发射的激光照射到磁性介质上,反射到探测器中。当需要改变磁光开关的工作状态时,在电极上施加电压,压电体发生形变,应力传递给磁性介质,使得磁性介质的磁化强度发生变化,进而调控磁光开关的工作状态。本实用新型材料电场控制的结构,具有结构简单、控制精确、节约能源的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及磁光开关领域,尤其涉及到一种电场控制的反射型磁光开关。
背景技术
磁光克尔效应是指偏振光从磁性介质表面反射之后,受磁性介质的磁化强度影响,偏振光的偏振方向发生变化。利用这种反射型的磁光克尔效应能够做成反射型的磁光开关,能够调节偏振光的偏振态,通过与偏振片的配合实现光的通过与关断。一般来说,需要用磁场来改变磁性介质的磁化强度,进而改变磁光开关的工作状态,但是,磁场的产生往往比较复杂,需要用到电流的电磁感应,也存在着能源浪费的问题。如果直接用电场实现对磁光开关的调控,将是十分有意义的。
实用新型内容
本实用新型提供一种电场控制的反射型磁光开关,具有结构简单、控制精确、节约能源的优点。本实用新型所采取的技术方案为,一种电场控制的反射型磁光开关,包括电极、压电体、磁性介质、激光源、探测器,其中,压电体的两面生长有电极,磁性介质生长于电极上,激光源与探测器位于磁性介质的上方,且激光源与探测器以磁性介质的法线呈镜面对称分布。
本实用新型的激光源发射的激光照射到磁性介质上,反射到探测器中。当需要改变磁光开关的工作状态时,在电极上施加电压,压电体发生形变,应力传递给磁性介质,使得磁性介质的磁化强度发生变化,进而调控磁光开关的工作状态。本实用新型材料电场控制的结构,具有结构简单、控制精确、节约能源的优点。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中:1电极、2压电体、3磁性介质、4激光、5激光源、6探测器。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
图1为本实用新型的结构示意图,电极1、压电体2、磁性介质3、激光4、激光源5、探测器6,其中,压电体2的两面生长有电极1,磁性介质3生长于电极1上,激光源5与探测器6位于磁性介质3的上方,且激光源5与探测器6以磁性介质3的法线呈镜面对称分布。本实用新型的激光源5发射的激光4照射到磁性介质3上,反射到探测器6中。当需要改变磁光开关的工作状态时,在电极1上施加电压,压电体2发生形变,应力传递给磁性介质3,使得磁性介质3的磁化强度发生变化,进而调控磁光开关的工作状态。本实用新型材料电场控制的结构,具有结构简单、控制精确、节约能源的优点。
Claims (2)
1.一种电场控制的反射型磁光开关,包括电极、压电体、磁性介质、激光源、探测器,其特征在于:所述的压电体的两面生长有电极,磁性介质生长于电极上,激光源与探测器位于磁性介质的上方。
2.根据权利要求1所述的一种电场控制的反射型磁光开关,其特征在于:所述的激光源与探测器以磁性介质的法线呈镜面对称分布。
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CN 201320077540 CN203149240U (zh) | 2013-02-18 | 2013-02-18 | 一种电场控制的反射型磁光开关 |
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CN109633973A (zh) * | 2019-02-14 | 2019-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
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2013
- 2013-02-18 CN CN 201320077540 patent/CN203149240U/zh not_active Expired - Fee Related
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CN109633973A (zh) * | 2019-02-14 | 2019-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
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Legal Events
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GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20130821 Termination date: 20140218 |