CN203119064U - 一种增强型高频传导滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电磁技术领域，尤其是一种增强型高频传导滤波器。本实用新型包括金属屏蔽外壳和射频发射导体，所述金属屏蔽外壳内壁上设有绝缘保护层，绝缘保护层内部设有射频发射导体，所述射频发射导体上设有发射天线，射频发射导体两端伸出金属屏蔽外壳，并分别连接输入导线和输出导线，连接输入导线的一端连接有高频滤波电容，金属屏蔽外壳靠近输出导线的一端外壁上设有接地导体。本实用新型结构设计合理，利用高频吸收材料形成的高频电阻来抑制并过滤导线中的高频电磁干扰，通过高频滤波电容将高频干扰信号旁路入地，实现在电子电路中抑制传导高频电磁干扰的功能，具有很好的推广应用价值。
Description
技术领域
本实用新型涉及电磁技术领域，尤其是一种增强型高频传导滤波器。
背景技术
高频电磁骚扰信号在传输导线的传输过程中，部分信号会沿导线表面向空间辐射，产生射频干扰，要达到相关国际和国家标准规定的电磁射频限值，需要在传输线路中接入电磁兼容滤波器。现有的滤波器能有效过滤低频干扰信号，但对高频干扰信号的滤除效果不够理想，大量高频干扰信号进入供电电路，导致电子电气设备的电磁兼容不符合国标要求，需要针对高频电磁进行创新性改进。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了克服上述技术缺点提供一种增强型高频传导滤波器。
本实用新型解决技术问题采用的技术方案为：一种增强型高频传导滤波器，包括金属屏蔽外壳和射频发射导体，所述金属屏蔽外壳内壁上设有绝缘保护层，绝缘保护层内部设有射频发射导体，所述射频发射导体上设有发射天线，射频发射导体两端伸出金属屏蔽外壳，并分别连接输入导线和输出导线，连接输入导线的一端连接有高频滤波电容，金属屏蔽外壳靠近输出导线的一端外壁上设有接地导体。
所述射频发射导体为空心金属导线制成的并行弯曲开环结构体。
所述射频发射导体上包裹有高频吸收材料烧结粘合而成的高频电阻。
所述射频发射导体伸出金属屏蔽外壳的部分上包裹有电磁屏蔽护套。
所述高频滤波电容、高频电阻、接地导体之间连接为电气通路。
本实用新型所具有的有益效果是：本实用新型结构设计合理，利用高频吸收材料形成的高频电阻来抑制并过滤导线中的高频电磁干扰，通过高频滤波电容将高频干扰信号旁路入地，实现在电子电路中抑制传导高频电磁干扰的功能，具有很好的推广应用价值。
附图说明
附图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图1对本实用新型做以下详细说明。
如图1所示，本实用新型包括金属屏蔽外壳1和射频发射导体4，所述金属屏蔽外壳1内壁上设有绝缘保护层2，绝缘保护层2内部设有射频发射导体4，所述射频发射导体4上设有发射天线5，射频发射导体4两端伸出金属屏蔽外壳1，并分别连接输入导线8和输出导线9，连接输入导线8的一端连接有高频滤波电容6，金属屏蔽外壳1靠近输出导线9的一端外壁上设有接地导体10；所述射频发射导体4为空心金属导线制成的并行弯曲开环结构体；所述射频发射导体4上包裹有高频吸收材料烧结粘合而成的高频电阻3；所述射频发射导体4伸出金属屏蔽外壳1的部分上包裹有电磁屏蔽护套7；所述高频滤波电容6、高频电阻3、接地导体10之间连接为电气通路。工作过程中，金属屏蔽外壳1用于屏蔽内外高频信号串扰，高频信号通过高频电阻3时，射频干扰被吸收，并转换成热能耗散；少量的高频干扰信号经高频滤波电容6和接电导体10滤除，从而实现高频抑制效果。
Claims (5)
1.一种增强型高频传导滤波器，包括金属屏蔽外壳和射频发射导体，其特征在于：所述金属屏蔽外壳内壁上设有绝缘保护层，绝缘保护层内部设有射频发射导体，所述射频发射导体上设有发射天线，射频发射导体两端伸出金属屏蔽外壳，并分别连接输入导线和输出导线，连接输入导线的一端连接有高频滤波电容，金属屏蔽外壳靠近输出导线的一端外壁上设有接地导体。
2.根据权利要求1所述的一种增强型高频传导滤波器，其特征在于：所述射频发射导体为空心金属导线制成的并行弯曲开环结构体。
3.根据权利要求1所述的一种增强型高频传导滤波器，其特征在于：所述射频发射导体上包裹有高频吸收材料烧结粘合而成的高频电阻。
4.根据权利要求1所述的一种增强型高频传导滤波器，其特征在于：所述射频发射导体伸出金属屏蔽外壳的部分上包裹有电磁屏蔽护套。
5.根据权利要求1所述的一种增强型高频传导滤波器，其特征在于：所述高频滤波电容、高频电阻、接地导体之间连接为电气通路。
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| CN 201320093865 CN203119064U (zh) | 2013-03-01 | 2013-03-01 | 一种增强型高频传导滤波器 |
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| CN (1) | CN203119064U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111355007A (zh) * | 2020-02-15 | 2020-06-30 | 杭州电子科技大学 | 一种Y3Fe5O12磁子波导自旋波带通滤波器及其调控方法 |
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2013
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111355007A (zh) * | 2020-02-15 | 2020-06-30 | 杭州电子科技大学 | 一种Y3Fe5O12磁子波导自旋波带通滤波器及其调控方法 |
| CN111355007B (zh) * | 2020-02-15 | 2021-02-19 | 杭州电子科技大学 | 一种Y3Fe5O12磁子波导自旋波带通滤波器及其调控方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| DD01 | Delivery of document by public notice |
Addressee: Chen Jianbin Document name: Notification of Termination of Patent Right |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130807 Termination date: 20140301 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |