CN203117386U - 一种低功耗继电器检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低功耗继电器检测电路，包括：光电耦合器、电阻、二极管、电容。其中光电耦合器包括发光二极管和光敏三极管，发光二极管的正极和负极分别构成光电耦合器的输入正极和输入负极，光敏三极管的发射极和集电极构成光电耦合器的输出极。光电耦合器的输出极串联电阻，光电耦合器的输入正极和输入负极分别连接二极管的负极和正极构成二极管封闭回路，二极管封闭回路串联电容。本实用新型通过电容充放电过程中使用光电耦合器进行交流电通断检测，从而避免了以往电路中电流在电阻上发热所消耗的能量，一方面简化了电路，另一方面大大降低了检测电路所消耗的功率。
Description
技术领域
本实用新型涉及交流电通断检测电路。
背景技术
目前一般电子电器产品都带有继电器控制交流电路的开断，在通断命令发出后，需要对继电器的动作情况进行检测，检测继电器是否按照所发出的命令进行相应的动作，从而得知通断命令的成功与否。常用的检测电路往往元件比较多，而且功耗比较大，不但制造成本高，而且不利于降低能耗。
发明内容
本实用新型所要解决的问题是
1、简化继电器检测电路；
2、降低继电器检测电路功耗。
为解决上述问题，本实用新型的技术方案如下：
一种低功耗继电器检测电路，包括：光电耦合器、电阻、二极管、电容。其中光电耦合器包括发光二极管和光敏三极管，发光二极管的正极和负极分别构成光电耦合器的输入正极和输入负极，光敏三极管的发射极和集电极构成光电耦合器的输出极。光电耦合器的输出极串联电阻，光电耦合器的输入正极和输入负极分别连接二极管的负极和正极构成二极管封闭回路，二极管封闭回路串联电容。
本实用新型电容充放电过程中使用光电耦合器进行交流电通断检测，从而避免了以往电路中电流在电阻上发热所消耗的能量，一方面简化了电路，另一方面大大降低了检测电路所消耗的功率，检测电路功耗只需要0.001W左右。
附图说明
图1是本实用新型实施例1的电路图。其中光电耦合器中的光敏三极管为NPN型。
图2是本实用新型实施例2的电路图。其中光电耦合器中的光敏三极管为PNP型。
图3是本实用新型实施例1用于常闭继电器的电路图。
图4是本实用新型实施例2用于常开继电器的电路图。
图5是本实用新型实施例1用于常闭继电器，添加了限流电阻后的电路图。
图6是本实用新型实施例1用于常开继电器，添加了限流电阻后的电路图。
图7是本实用信息实施例3的电路图。其中，电容连接光电耦合器发光二极管的正极。
以上各图中，AC为电容、AD为二极管、AN为光电耦合器、AR为电阻、R2为限流电阻；1、2、3为交流电输入端，4为输出端，VCC为直流输入端；L为交流火线，N为交流零线。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步详细说明。
实施例1
一种低功耗继电器检测电路，如图1所示，包括：光电耦合器AN、电阻AR、二极管AD、电容AC。其中光电耦合器AN包括发光二极管和光敏三极管，发光二极管的正极和负极分别构成光电耦合器AN的输入正极和输入负极，光敏三极管的发射极和集电极构成光电耦合器AN的输出极。光电耦合器AN的光敏三极管为NPN型，光敏三极管AN的集电极串联电阻，光电耦合器AN的输入正极和输入负极分别连接二极管AD的负极和正极构成二极管封闭回路，二极管封闭回路串联电容AC，电容AC连接光电耦合器AN的发光二极管的负极和二极管AD的正极。该电路中，包括有三个交流电输入端分别是1、2、3，一个直流输入端VCC，一个输出端4，以及一个接地点。光电耦合器AN的光敏三极管的发射极连接接地点。光电耦合器AN的光敏三极管的集电极连接输出端4。直流输入端VCC经过电阻AR连接光电耦合器AN的光敏三极管的集电极。交流输入端1连接光电耦合器AN的发光二极管的正极和二极管AD的负极。交流输入端2连接光电耦合器AN的发光二极管的负极和二极管AD的正极。交流输入端3连接电容AC，经电容AC连接光电耦合器AN的发光二极管的负极和二极管AD的正极以及交流输入端2，即，交流输入端2和3分别位于电容AC的两端。
当上述电路用于检测继电器常开电路时，交流电的火线L经继电器连接交流输入端1，交流电的零线N连接交流输入端3，参考图6。当继电器断开时，光电耦合器AN的输入正极和输入负极无电压差，发光二极管无电流，光敏三极管处于阻断状态，输出端4为高电平输出。当继电器闭合时，交流电输入为正半周时，光电耦合器AN的输入正极和输入负极有电压差，电流经光电耦合器AN的发光二极管向电容AC充电，同时发光，光电耦合器AN的光敏三极管基极接收光后，集电极和发射极导通，输出端4为低电平输出；交流电输入为负半周时，光电耦合器AN的发光二极管阻断电流，电容AC经二极管AD放电。为避免电容充电放电时电流过大，充电放电速度过快，还可以在交流输入端1与继电器之间串联一限流电阻R2，如图6所示。
当上述电路用于检测继电器常闭电路时，交流电的火线L连接交流输入端1，交流电的交流电的火线L经继电器连接交流输入端2，零线连接交流输入端3，如图3所示。当继电器闭合时，光电耦合器AN的输入正极和输入负极无电压差，发光二极管无电流，光敏三极管处于阻断状态，输出端4为高电平输出。当继电器断开时，交流电输入为正半周时，光电耦合器AN的输入正极和输入负极有电压差，电流经光电耦合器AN的发光二极管向电容AC充电，同时发光，光电耦合器AN的光敏三极管基极接收光后，集电极和发射极导通，输出端4为低电平输出；交流电输入为负半周时，光电耦合器AN的发光二极管阻断电流，电容AC经二极管AD放电，输出端4为高电平输出。为避免电容充电放电时电流过大，充电放电速度过快，还可以在交流输入端1与继电器之间串联一限流电阻R2，如图5所示。
实施例2
一种低功耗继电器检测电路，如图2所示，包括：光电耦合器AN、电阻AR、二极管AD、电容AC。其中光电耦合器AN包括发光二极管和光敏三极管，发光二极管的正极和负极分别构成光电耦合器AN的输入正极和输入负极，光敏三极管的发射极和集电极构成光电耦合器AN的输出极。光电耦合器AN的光敏三极管为PNP型，光敏三极管AN的发射极串联电阻，光电耦合器AN的输入正极和输入负极分别连接二极管AD的负极和正极构成二极管封闭回路，二极管封闭回路串联电容AC，电容AC连接光电耦合器AN的发光二极管的负极和二极管AD的正极。该电路中，包括有三个交流电输入端分别是1、2、3，一个直流输入端VCC，一个输出端4，以及一个接地点。光电耦合器AN的光敏三极管的发射极经电阻AR连接接地点。光电耦合器AN的光敏三极管的发射极连接输出端4。直流输入端VCC连接光电耦合器AN的光敏三极管的集电极。交流输入端1连接光电耦合器AN的发光二极管的正极和二极管AD的负极。交流输入端2连接光电耦合器AN的发光二极管的负极和二极管AD的正极。交流输入端3连接电容AC，经电容AC连接光电耦合器AN的发光二极管的负极和二极管AD的正极以及交流输入端2，即，交流输入端2和3分别位于电容AC的两端。
当上述电路用于检测继电器常开电路时，交流电的火线L经继电器连接交流输入端1，交流电的零线N连接交流输入端3，如图4所示。当继电器断开时，光电耦合器AN的输入正极和输入负极无电压差，发光二极管无电流，光敏三极管处于阻断状态，输出端4为低电平输出。当继电器闭合时，交流电输入为正半周时，光电耦合器AN的输入正极和输入负极有电压差，电流经光电耦合器AN的发光二极管向电容AC充电，同时发光，光电耦合器AN的光敏三极管基极接收光后，集电极和发射极导通，输出端4为高电平输出；交流电输入为负半周时，光电耦合器AN的发光二极管阻断电流，电容AC经二极管AD放电；输出端4为低电平输出。为避免电容充电放电时电流过大，充电放电速度过快，还可以在交流输入端1与继电器之间串联一限流电阻R2，参考图6。
当上述电路用于检测继电器常闭电路时，交流电的火线L连接交流输入端1，交流电的交流电的火线L经继电器连接交流输入端2，零线连接交流输入端3，参考图5。当继电器闭合时，光电耦合器AN的输入正极和输入负极无电压差，发光二极管无电流，光敏三极管处于阻断状态，输出端4为低电平输出。当继电器断开时，交流电输入为正半周时，光电耦合器AN的输入正极和输入负极有电压差，电流经光电耦合器AN的发光二极管向电容AC充电，同时发光，光电耦合器AN的光敏三极管基极接收光后，集电极和发射极导通，输出端4为高电平输出；交流电输入为负半周时，光电耦合器AN的发光二极管阻断电流，电容AC经二极管AD放电，输出端4为低电平输出。为避免电容充电放电时电流过大，充电放电速度过快，还可以在交流输入端1与继电器之间串联一限流电阻R2，参考图5。
实施例3
如图7所示，不同于实施例1，电容AC连接光电耦合器AN的发光二极管的正极和二极管AD的负极。本领域技术人员理解，该实施例下，依旧工作正常。所不同的是，交流电正半周时，光电耦合器输出阻断，交流电处于负半周时，光电耦合器输出端接通。
Claims (5)
1.一种低功耗继电器检测电路，其特征在于，包括：光电耦合器、电阻、二极管、电容，其中光电耦合器包括发光二极管和光敏三极管，发光二极管的正极和负极分别构成光电耦合器的输入正极和输入负极，光敏三极管的发射极和集电极构成光电耦合器的输出极，光电耦合器的输出极串联电阻，光电耦合器的输入正极和输入负极分别连接二极管的负极和正极构成二极管封闭回路，二极管封闭回路串联电容。
2.如权利要求1所述的低功耗继电器检测电路，其特征在于，所述二极管连接所述光电耦合器发光二极管的负极。
3.如权利要求1所述的低功耗继电器检测电路，其特征在于，所述二极管连接所述光电耦合器发光二极管的正极。
4.如权利要求1所述的低功耗继电器检测电路，其特征在于，所述光电耦合器的光敏三极管为PNP型。
5.如权利要求1所述的低功耗继电器检测电路，其特征在于，所述光电耦合器的光敏三极管为NPN型。
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2013
- 2013-02-01 CN CN 201320056953 patent/CN203117386U/zh not_active Expired - Lifetime
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