CN203007380U

CN203007380U - 掩膜板

Info

Publication number: CN203007380U
Application number: CN 201220738819
Authority: CN
Inventors: 叶添昇
Original assignee: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2012-12-28
Filing date: 2012-12-28
Publication date: 2013-06-19
Anticipated expiration: 2022-12-28

Abstract

本实用新型揭示了一种掩膜板，包括低膨胀系数的陶瓷掩膜板框架，以及设置在所述陶瓷掩膜板框架上的孔眼掩模。本实用新型中的所述低膨胀系数的陶瓷掩膜板框架的密度低，在较低的质量下的抗拉伸强度高，所以不会给机械人带来传送质量超出限制的问题；并且，所述陶瓷掩膜板框架制作加工的平坦度高，从而得到更精确的玻璃基板图案。

Description

掩膜板

技术领域

本实用新型涉及背光源技术领域，特别是涉及一种掩膜板。

背景技术

应用有机电致发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)的显示器也被称为OLED显示器或者是有机电致发光显示器，它是一种新型的平板显示器，因其具有主动发光、对比度高以及响应速度快等优点，而得到广泛应用。如在一些手机中设置有机电致发光显示屏。

在制作OLED显示器的过程中需要将有机材料蒸镀到玻璃基板表面，而蒸镀有机材料的过程中需要采用掩膜板，以在玻璃基板上得到所需的图案。目前，现有技术中的掩膜板一般为金属掩膜板，如所述掩膜板框架的材质为Invar(因瓦合金，即含有35.4％镍的铁合金)，Invar的膨胀系数为1.2×10^-6℃^-1，密度为8.1g/cm³，热传导系数为10W/m.k，比热为515J/kg，抗拉伸强度为590Mpa，由于Invar具有以上优异的物理特性，因此，量产的所述掩膜板框架的材质一般均为Invar。

为了使所述掩膜板上的孔眼掩模具有较高的平坦度，需要将所述孔眼掩模拉伸后固定在所述掩膜板框架上，所述掩膜板框架需要满足所述孔眼掩模张网而要有满足的强度，所述掩膜板框架就需要增加厚度和重量，二材质为Invar所述掩膜板框架的密度较大，因此当所述掩膜板框架增加重量时，所述掩膜板框架变的很重让机械人传送框架时受到限制；并且，采用Invar的所述掩膜板框架制作加工的平坦度不高，仅为100um～150um，影响OLED的性能。

因此，如何提供一种掩膜板，可以在满足重量要求的前提下保证制作加工的平坦度，已成为本领域技术人员需要解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种掩膜板，可以在满足重量要求的前提下保证制作加工的平坦度。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种掩膜板，包括低膨胀系数的陶瓷掩膜板框架，以及设置在所述陶瓷掩膜板框架上的孔眼掩模。

进一步的，所述陶瓷掩膜板框架为膨胀系数低于2×10^-6℃^-1的陶瓷掩膜板框架。

进一步的，所述陶瓷掩膜板框架为密度低于4g/cm³的陶瓷掩膜板框架。

进一步的，所述陶瓷掩膜板框架为热传导系数高于10W/(m·K)的陶瓷掩膜板框架。

进一步的，所述陶瓷掩膜板框架为抗拉伸强度高于500Mpa的陶瓷掩膜板框架。

进一步的，所述陶瓷掩膜板框架为二氧化钛陶瓷掩膜板框架、二氧化锆陶瓷掩膜板框架、二氧化硅陶瓷掩膜板框架、三氧化二铝陶瓷掩膜板框架或五氧化二磷陶瓷掩膜板框架。

进一步的，所述孔眼掩模和所述陶瓷掩膜板框架焊接连接。

进一步的，所述孔眼掩模和所述陶瓷掩膜板框架通过双束激光焊接连接。

进一步的，所述孔眼掩模为拉伸孔眼掩模。

进一步的，所述孔眼掩模为膨胀系数高于所述陶瓷掩膜板框架的膨胀系数的孔眼掩模。

进一步的，所述孔眼掩模为陶瓷孔眼掩模、因瓦合金孔眼掩模或金属孔眼掩模。

与现有技术相比，本实用新型提供的掩膜板具有以下优点：

1、本实用新型提供一种掩膜板，该掩膜板包括低膨胀系数的陶瓷掩膜板框架，以及设置在所述陶瓷掩膜板框架上的孔眼掩模，与现有技术相比，该低膨胀系数的陶瓷掩膜板框架的密度低，在较低的质量下的抗拉伸强度高，所以不会给机械人带来传送质量超出限制的问题；并且，所述陶瓷掩膜板框架制作加工的平坦度高，从而得到更精确的玻璃基板图案。

2、本实用新型提供一种掩膜板，所述孔眼掩模和所述陶瓷掩膜板框架通过双束激光焊接连接，可以改善或避免所述陶瓷掩膜板框架在焊接时产生的热裂纹，提高所述陶瓷掩膜板框架的刚度。

附图说明

图1为本实用新型一实施例的掩膜板的示意图；

图2为本实用新型一实施例的陶瓷掩膜板框架的示意图；

图3为本实用新型一实施例的孔眼掩模的示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的掩膜板进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

本实用新型的核心思想在于，本实用新型提供一种掩膜板，该掩膜板包括低膨胀系数的陶瓷掩膜板框架，以及设置在所述陶瓷掩膜板框架上的孔眼掩模，使得所述陶瓷掩膜板框架在较低的质量下的抗拉伸强度高，所以不会给机械人带来传送质量超出限制的问题，并且，所述陶瓷掩膜板框架制作加工的平坦度高。

以下列举所述掩膜板的几个实施例，以清楚说明本实用新型的内容，应当明确的是，本实用新型的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本实用新型的思想范围之内。

图1为本实用新型一实施例的掩膜板的示意图，以下结合图1具体说明本实施例的掩膜板100。

如图1所示，所述掩膜板100包括低膨胀系数的陶瓷掩膜板框架110(具体结构参见图2)，以及设置在所述陶瓷掩膜板框架110上的孔眼掩模120。其中，所述孔眼掩模120上开设有不同形状的孔洞121(具体结构参见图3)，如矩形、圆形或其他不规则形状的孔洞121，用于在制备OLED的有机材料蒸镀过程中，在玻璃基板上得到所需的图案。在进行有机材料蒸镀时，将所述掩膜板100与玻璃基板吸附在一起，并在真空环境下，将有机材料或金属蒸汽逐渐沉积在玻璃基板上未被所述掩膜板100遮挡的区域上，从而形成所需的特定图案。由于陶瓷材料的密度比Invar的密度低，所以同样体积的所述陶瓷掩膜板框架110的重量较轻，可以在较低的质量下具有较高的抗拉伸强度，所以不会给机械人带来传送质量超出限制的问题。另外，相对Invar来讲，陶瓷材料的加工性和控制性比较好，所以所述陶瓷掩膜板框架110制作加工的平坦度高，能达到10um～20um，能在所述玻璃基板上制备出更精确的图案。

在本实施例中，所述陶瓷掩膜板框架110较佳地为膨胀系数低于2×10^-6℃^-1的陶瓷掩膜板框架，如所述陶瓷掩膜板框架110的材质可以选择膨胀系数为10^-6℃^-1、10^-7℃^-1等的陶瓷材料，低膨胀系数的陶瓷材料可以避免所述陶瓷掩膜板框架110在不同温度下的体积变化过大，从而避免所述陶瓷掩膜板框架110因塑性变形造成的孔洞121尺寸的公差。

在本实施例中，所述陶瓷掩膜板框架110较佳地为密度低于4g/cm³的陶瓷掩膜板框架，如所述陶瓷掩膜板框架110的材质可以选密度为1g/cm³、2g/cm³或更低密度的陶瓷材料，陶瓷材料的密度越低，在同样体积下的所述陶瓷掩膜板框架110越轻，因此可以增加所述陶瓷掩膜板框架110的厚度来提高所述陶瓷掩膜板框架110的强度，而不至于使所述掩膜板框架110的重量太大造成机械人传送受限。

在本实施例中，所述陶瓷掩膜板框架110较佳地为热传导系数高于10W/(m·K)的陶瓷掩膜板框架，如所述陶瓷掩膜板框架110的材质可以选热传导系数为1W/(m·K)、5W/(m·K)或更高热传导系数的陶瓷材料，陶瓷材料的热传导系数越高，所述陶瓷掩膜板框架110的导热性越好，可以防止所述陶瓷掩膜板框架110的温度过高。

在本实施例中，所述陶瓷掩膜板框架110较佳地为抗拉伸强度高于500Mpa的陶瓷掩膜板框架，如所述陶瓷掩膜板框架110的材质可以选抗拉伸强度为800Mpa、1000Mpa或更高抗拉伸强度的陶瓷材料，陶瓷材料的抗拉伸强度越高，所述陶瓷掩膜板框架110的刚性越好，在制备过程中可以承受更大的应力而保证不变形。

较佳的，所述陶瓷掩膜板框架110为二氧化钛陶瓷掩膜板框架、二氧化锆陶瓷掩膜板框架、二氧化硅陶瓷掩膜板框架、三氧化二铝陶瓷掩膜板框架或五氧化二磷陶瓷掩膜板框架等，均可保证所述陶瓷掩膜板框架110在较低的质量下具有较高的抗拉伸强度，并且制作加工的平坦度高，但所述陶瓷掩膜板框架110并不限于上述几种材质，只要能实现在较低的质量下具有较高的抗拉伸强度并且制作加工的平坦度高的作用，亦在本实用新型的思想范围之内。

较佳的，所述孔眼掩模120和所述陶瓷掩膜板框架110焊接连接，可以将所述孔眼掩模120固定在所述陶瓷掩膜板框架110上，方法简单并且固定牢固。优选的，所述孔眼掩模120和所述陶瓷掩膜板框架110通过双束激光焊接连接，所述双束激光焊接法是先用CO₂激光束将所述陶瓷掩膜板框架110进行加热，在焊接过程中CO₂(二氧化钛)激光束能与Nd-YAG(镭射)激光连续的相连接，确保焊接过程获得比较好的温控区域和焊接结果。使用双束激光焊接法可以避免和改善所述陶瓷掩膜板框架110在焊接时产生的热裂纹问题。

为了进一步避免所述孔眼掩模120发生塑性变形，较佳的，所述孔眼掩模120为拉伸孔眼掩模，即先将所述孔眼掩模120拉伸张平后，再将所述孔眼掩模120固定到所述陶瓷掩膜板框架110上，使得固定到所述陶瓷掩膜板框架110上的所述孔眼掩模120具有一预拉伸应力，当所述孔眼掩模120收到外应力时，所述预拉伸应力可以维持所述孔眼掩模120不发生塑性变形。较佳的，所述孔眼掩模120为膨胀系数高于所述陶瓷掩膜板框架110的膨胀系数的孔眼掩模，使得将将所述孔眼掩模120固定到所述陶瓷掩膜板框架110上后，所述预拉伸应力不会随温度变化而消失。

优选的，所述孔眼掩模120为陶瓷孔眼掩模、因瓦合金孔眼掩模或金属孔眼掩模，可以较佳的减少塑性变形造成的孔洞121尺寸的公差，但所述孔眼掩模120的材料并不限于陶瓷、因瓦合金、金属，只要具有足够的刚性即可。

本实用新型提供一种掩膜板并不限于上述实施例，如所述陶瓷掩膜板框架110和所述孔眼掩模120的形状并不限于方形，棱形、圆形或不规则图形亦可实现本实用新型的功能；所述孔眼掩模120和所述陶瓷掩膜板框架110并不限于焊接连接，如还可通过铆钉连接或胶连，亦在本实用新型的思想范围之内。

综上所述，本实用新型提供一种掩膜板，该掩膜板包括低膨胀系数的陶瓷掩膜板框架，以及设置在所述陶瓷掩膜板框架上的孔眼掩模，使得所述陶瓷掩膜板框架在较低的质量下的抗拉伸强度高，所以不会给机械人带来传送质量超出限制的问题，并且，所述陶瓷掩膜板框架制作加工的平坦度高。与现有技术相比，本实用新型提供的掩膜板具有以下优点：

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims

1.一种掩膜板，其特征在于，包括低膨胀系数的陶瓷掩膜板框架，以及设置在所述陶瓷掩膜板框架上的孔眼掩模。

2.如权利要求1所述掩膜板，其特征在于，所述陶瓷掩膜板框架为膨胀系数低于2×10^-6℃^-1的陶瓷掩膜板框架。

3.如权利要求1所述掩膜板，其特征在于，所述陶瓷掩膜板框架为密度低于4g/cm³的陶瓷掩膜板框架。

4.如权利要求1所述掩膜板，其特征在于，所述陶瓷掩膜板框架为热传导系数高于10W/(m·K)的陶瓷掩膜板框架。

5.如权利要求1所述掩膜板，其特征在于，所述陶瓷掩膜板框架为抗拉伸强度高于500Mpa的陶瓷掩膜板框架。

6.如权利要求1所述掩膜板，其特征在于，所述陶瓷掩膜板框架为二氧化钛陶瓷掩膜板框架、二氧化锆陶瓷掩膜板框架、二氧化硅陶瓷掩膜板框架、三氧化二铝陶瓷掩膜板框架或五氧化二磷陶瓷掩膜板框架。

7.如权利要求1所述掩膜板，其特征在于，所述孔眼掩模和所述陶瓷掩膜板框架焊接连接。

8.如权利要求7所述掩膜板，其特征在于，所述孔眼掩模和所述陶瓷掩膜板框架通过双束激光焊接连接。

9.如权利要求1所述掩膜板，其特征在于，所述孔眼掩模为拉伸孔眼掩模。

10.如权利要求9所述掩膜板，其特征在于，所述孔眼掩模为膨胀系数高于所述陶瓷掩膜板框架的膨胀系数的孔眼掩模。

11.如权利要求1所述掩膜板，其特征在于，所述孔眼掩模为陶瓷孔眼掩模、因瓦合金孔眼掩模或金属孔眼掩模。