CN202930012U - 恒流mosfet电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及LED背光驱动电路。本实用新型所要解决的技术问题是提供将MOSFET管漏极电压控制在安全范围内的恒流MOSFET电路。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：恒流MOSFET电路，包括恒流控制芯片和恒流MOSFET，还包括稳压二极管；所述稳压二极管的负极与恒流MOSFET的漏极相连，其正极接地；稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压。本实用新型的有益效果是：将恒流MOSFET漏极电压控制在安全范围内，保证恒流MOSFET在PWM调光过程中不被击穿损坏，成本低、实施简便、性能可靠，适用于LED液晶模组中。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种LED背光驱动电路，尤其是涉及一种恒流MOSFET电路。
背景技术
随着LED技术的发展，目前市场上使用LED作为背光源的液晶模组越来越多，背光驱动电路种类也较多。目前，绝大多数背光驱动电路是通过使用外部PWM信号控制LED灯条电流来实现背光亮度调节，其结构如图1和图2所示，恒流MOSFET电路包括恒流控制芯片和恒流MOSFET，恒流MOSFET可以外置于恒流控制芯片，也可以内置于恒流控制芯片上；背光驱动电路的输出电压U1或U2与LED灯条的正极相连，且与一个电容C1或C2串联接地；恒流MOSFET的栅极和恒流控制芯片相连，所述恒流MOSFET的源极通过一个电阻R1或R2与地相接，恒流MOSFET的漏极与LED灯条的负极相连。
调光过程中，背光驱动电路以一定频率控制恒流MOSFET导通和关断以调节LED灯条的工作电流。当恒流MOSFET关断时，由于电容的存在，提供给LED灯条正极的输出电压几乎保持不变，而LED灯条负极（即恒流MOSFET的漏极）会出现一个漏极电压VD。由于LED灯条的规格不同和恒流MOSFET的源极与漏极间的电阻阻值的不确定性，不同产品中漏极电压VD的值会有较大的变化。由于后级LED灯条恒流驱动电路中的恒流MOSFET仅靠自身的漏极电压VD耐压值保护，如果VD超过了恒流MOSFET漏极能够承受的最大电压，将会造成恒流MOSFET工作隐患而出现损坏，使电路无法正常工作。
稳压二极管的特点是反向通电尚未击穿前，其两端的电压基本保持不变，即稳压值。这样，当把稳压二极管接入电路后，若由于电源电压发生波动，或其他原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种将MOSFET管漏极电压控制在安全范围内的恒流MOSFET电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：恒流MOSFET电路，包括恒流控制芯片和恒流MOSFET，其特征在于，还包括稳压二极管；所述稳压二极管的负极与恒流MOSFET的漏极相连，其正极接地；稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压。
具体的，稳压二极管的稳压值不低于LED灯条正常工作电压值的1/2。
优选的，恒流MOSFET外置于恒流控制芯片。
优选的，恒流MOSFET内置在恒流控制芯片上。
本实用新型的有益效果是：将恒流MOSFET漏极电压控制在安全范围内，保证恒流MOSFET在PWM调光过程中不被击穿损坏，本实用新型的成本低、实施简便、性能可靠，可起到保护内置恒流MOSFET驱动芯片或外置恒流MOSFET的作用。本实用新型适用于LED液晶模组中。
附图说明
图1是现有技术中恒流MOSFET外置时恒流MOSFET电路的结构示意图；
图2是现有技术中恒流MOSFET内置时恒流MOSFET电路的结构示意图；
图3是本实用新型一个实施例的结构示意图；
图4是本实用新型另一个实施例的结构示意图；
其中，R1和R2为电阻，U1和U2为输出电压，C1和C2为电容，ZD1和ZD2为稳压二极管。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
恒流MOSFET电路，包括恒流控制芯片和恒流MOSFET，恒流MOSFET的漏极对地并联一个稳压二极管，稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压。
实施例1
如图3的恒流MOSFET电路，包括恒流控制芯片和恒流MOSFET，恒流MOSFET外置于恒流控制芯片，恒流MOSFET的漏极对地并联一个稳压二极管ZD1；稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压,且不低于LED灯条正常工作电压值的1/2，这样既可以保证电路能够正常工作，又可以对恒流MOSFET电路形成保护。
实施例2
如图4的恒流MOSFET电路，包括恒流控制芯片和恒流MOSFET，恒流MOSFET内置在恒流控制芯片上，恒流MOSFET的漏极对地并联一个稳压二极管ZD2；稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压,且不低于LED灯条正常工作电压值的1/2，这样既可以保证电路能够正常工作，又可以对恒流MOSFET电路形成保护。
Claims (4)
1.恒流MOSFET电路，包括恒流控制芯片和恒流MOSFET，其特征在于，还包括稳压二极管；所述稳压二极管的负极与恒流MOSFET的漏极相连，其正极接地；稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压。
2.如权利要求1所述的恒流MOSFET电路，其特征在于，稳压二极管的稳压值不低于LED灯条正常工作电压值的1/2。
3.如权利要求1或2所述的恒流MOSFET电路，其特征在于，恒流MOSFET外置于恒流控制芯片。
4.如权利要求1或2所述的恒流MOSFET电路，其特征在于，恒流MOSFET内置在恒流控制芯片上。
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| CN 201220644674 CN202930012U (zh) | 2012-11-29 | 2012-11-29 | 恒流mosfet电路 |
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Family
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| CN 201220644674 Expired - Lifetime CN202930012U (zh) | 2012-11-29 | 2012-11-29 | 恒流mosfet电路 |
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN103327669A (zh) * | 2013-06-08 | 2013-09-25 | 成都成电硅海科技股份有限公司 | Led驱动电路 |
| CN104883789A (zh) * | 2015-06-05 | 2015-09-02 | 罗成 | 用于led显示装置的恒流控制电路及该显示装置 |
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- 2012-11-29 CN CN 201220644674 patent/CN202930012U/zh not_active Expired - Lifetime
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| US10356874B2 (en) | 2016-03-08 | 2019-07-16 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Backlighting dimming circuit and liquid crystal display |
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