CN202918253U - Sf1000m36a型声表面波滤波器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种SF1000M36A型声表面波滤波器，包括两组基片，每组所述基片采用三重模纵向耦合结构设置，所述两组基片之间串联。本实用新型提供的声表面波滤波器采用三重模纵向耦合结构设置，两组基片之间串联，实现了一种高端阻带抑制度和带外抑制度较好、相对带宽控制精准、适用温度范围较大的声表面波滤波器。

Description

SF1000M36A型声表面波滤波器

技术领域

本实用新型涉及一种应用于移动通讯领域的高端阻带抑制度和带外抑制度较好、相对带宽控制精准、适用温度范围较大的声表面波滤波器，属于声表面波滤波技术领域。 

背景技术

随着移动通讯技术的发展进步，对移动通讯基站的要求也越来越高，特别是移动通讯基站需要一种高端阻带抑制度和带外抑制度较好、相对带宽控制精准、适用温度范围较大的滤波器来对信号进行有效地过滤。而现有的滤波设备无法实现在移动通讯领域的高端阻带抑制度和带外抑制度较好、相对带宽控制精准、适用温度范围较大的声表面波滤波。 

发明内容

本实用新型的目的是提供一种应用于移动通讯领域的高端阻带抑制度和带外抑制度较好、相对带宽控制精准、适用温度范围较大的声表面波滤波器。 

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的： 

一种声表面波滤波器，包括两组基片，每组所述基片采用三重模纵向耦合结构设置，所述两组基片之间串联。 

由上述实用新型明提供的技术方案可以看出，本实用新型提供的声表面波滤波器采用三重模纵向耦合结构设置，两组基片之间串联，实现了一种高端阻带抑制度和带外抑制度较好、相对带宽控制精准、适用温度范围较大的声表面波滤波器。 

附图说明

图1是本实用新型的具体实施方式提供的声表面波滤波器的结构示意图； 

图2是本实用新型的具体实施方式提供的声表面滤波器的封装结构示意图； 

图3是本实用新型的具体实施方式提供的声表面滤波器的典型频响图。 

具体实施方式

本实用新型具体实施方式提供了一种声表面波滤波器，如图1至图3所示，包括两组基片，每组所述基片采用三重模纵向耦合结构设置，所述两组基片之间串联。 

具体的，芯片的结构设计上，基片采用采用三重模纵向耦合设计，通过对两个独立设计单元并联，使带宽得到增加，进而做镜向串联，使带外抑制得到提升(大于45Db)。两个串联单元之间采用声表谐振器耦合，通过电声之间的反复转换，起到较好的隔离效果，对高端阻带抑制起到很大的抑制作用。通过合理选择输入输出IDT(叉指换能器)的指对数和耦合频率，有效而精准的控制了相对带宽(3.8%)。在材料的选取上，基片采用36LT衬底材料；同时采用SMD(表面贴装式)片式封装，提高了用户使用的方便性。 

当具有压电效应的晶体受到机械作用时，将产生与压力成正比的电场的现象；具有压电效应的晶体，在受到电信号的作用时，也会产生弹性形变而发出机械波（声波），即可把电信号转为声信号。由于这种声波只在晶体表面传播，故称为声表面波。声表面波技术的应用之一是声表面波滤波器，其工作原理是，电信号通过特殊的叉指换能器（IDT）在压电介质表面转换成高频率的声音信号，声信号经过一定的传播后，再通过输出叉指换能器（IDT）转换成电信号。其中对声信号的处理体现为对总体电信号的处理，既对电信号实现了滤波作用。对声信号的处理是技术关键点。声表面波滤波器（SAWF）具有体积小、重量轻、性能可靠、不需要复杂调整的优点，是无线通信中信号接收处理的关键器件。 

该产品的电性能值指标如下： 

技术参数	单位	典型值
			中心频率	MHz	999.49
插入损耗（1000MHz点处）	dB	1.85
			-3dB带宽	MHz	42.11
-40dB带宽	MHz	67.16
			带外抑制（F0±100MHz）	dB	57
带外抑制（F0±200MHz）	dB	56
			带外抑制（F0±300MHz）	dB	53
带外抑制2500MHz以远	dB	37
			系统阻抗	Ω	50

[0015] 以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。 

Claims (4)

1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括两组基片，每组所述基片采用三重模纵向耦合结构设置，所述两组基片之间串联。

2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述串联的两组基片采用声表谐振器耦合。

3.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述基片采用36LT衬底材料。

4.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述基片采用SMD片式封装。

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