CN202918252U - Sf600m5型声表面波滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种SF600M5型声表面波滤波器，所述滤波器采用三个换能器结构，在基片的中心设置发射换能器，在基片的两侧设置接收换能器。本实用新型提供的声表面波滤波器采用三换能器结构设置，且在基片的中心设置发射换能器，在基片的两侧设置接收换能器，实现了一种高带外抑制、低插损的声表面波滤波器。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种应用于移动通讯领域的高带外抑制、低插损的声表面波滤波器，属于声表面波滤波技术领域。
背景技术
随着移动通讯技术的发展进步，对移动通讯基站的要求也越来越高，特别是移动通讯基站需要一种高带外抑制、低插损的滤波器来对信号进行有效地过滤，同时对带外的信号进行高度的抑制，保证通带内信号的无干扰传送。而现有的滤波设备无法实现在移动通讯领域的高带外抑制、低插损的声表面波滤波。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种应用于移动通讯领域的高带外抑制、低插损的声表面波滤波器。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：
一种声表面波滤波器，所述滤波器采用三个换能器结构，在基片的中心设置发射换能器，在基片的两侧设置接收换能器。
由上述实用新型明提供的技术方案可以看出，本实用新型提供的声表面波滤波器采用三换能器结构设置，且在基片的中心设置发射换能器，在基片的两侧设置接收换能器，实现了一种高带外抑制、低插损的声表面波滤波器。
附图说明
图1是本实用新型的具体实施方式提供的声表面波滤波器的结构示意图；
图2是本实用新型的具体实施方式提供的声表面滤波器的封装结构示意图；
图3是本实用新型的具体实施方式提供的声表面滤波器的典型频响图。
具体实施方式
本实用新型具体实施方式提供了一种声表面波滤波器，如图1至图3所示，所述滤波器采用三个换能器结构，在基片的中心设置发射换能器，在基片的两侧设置接收换能器。
具体的，芯片的结构设计上，基片采用三个换能器结构设置，在基片的中心设置发射换能器，在基片的两侧设置接收换能器，由于单换能器的损耗不可避免有3dB的机电转换损耗，两组换能器的结构必然使滤波器产生6dB的损耗，因此采用三个换能器的设置能够解决低损耗问题。在材料的选取上，基片采用36LT(36度切割，其中LT表示钽酸锂)，温度系数为28ppm/℃，实现了产品频率的零温飘；通过芯片结构上的设计和材料上的选取，实现了产品的高带外抑制、低插损。其中，图2中的管脚2为输入，管脚6为输出，其它管脚接地。
当具有压电效应的晶体受到机械作用时，将产生与压力成正比的电场的现象；具有压电效应的晶体，在受到电信号的作用时，也会产生弹性形变而发出机械波（声波），即可把电信号转为声信号。由于这种声波只在晶体表面传播，故称为声表面波。声表面波技术的应用之一是声表面波滤波器，其工作原理是，电信号通过特殊的叉指换能器（IDT）在压电介质表面转换成高频率的声音信号，声信号经过一定的传播后，再通过输出叉指换能器（IDT）转换成电信号。其中对声信号的处理体现为对总体电信号的处理，既对电信号实现了滤波作用。对声信号的处理是技术关键点。声表面波滤波器（SAWF）具有体积小、重量轻、性能可靠、不需要复杂调整的优点，是无线通信中信号接收处理的关键器件。
该产品的电性能值指标如下： 
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到 的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种声表面波滤波器，其特征在于，所述滤波器采用三个换能器结构，在基片的中心设置发射换能器，在基片的两侧设置接收换能器。
2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述基片采用36LT，温度系数为28ppm/℃。
Priority Applications (1)
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| CN 201220517459 CN202918252U (zh) | 2012-10-10 | 2012-10-10 | Sf600m5型声表面波滤波器 |
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| CN 201220517459 Expired - Lifetime CN202918252U (zh) | 2012-10-10 | 2012-10-10 | Sf600m5型声表面波滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN202918252U (zh) |
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2012
- 2012-10-10 CN CN 201220517459 patent/CN202918252U/zh not_active Expired - Lifetime
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