CN202839708U - 一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮 - Google Patents
一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮。普通的化学腐蚀花篮中，硅片与硅片盒接触，形成单面硅片盒印，由于硅片盒印是无序的，筛选硅片的无盒印面作为电池的受光面时增加了工作量，降低了效率，并且由于人为的疏忽，部分硅片的片盒印面被用作受光面，降低了产品的品质，本实用新型单晶硅片化学腐蚀花篮就是将传统花篮底部的增设一块与水平面呈5°-10°的角度的斜板，使得硅片向同一方向倾斜，产生的片盒印均在同一面，解决了因花篮使用时需区分电池的受光面的烦恼，使得花篮在使用中更加方便。
Description
技术领域
本实用新型技术应用于晶体硅太阳能电池片制程中，单晶硅片的化学腐蚀制程工艺，特别是涉及一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮。
背景技术
目前，晶体硅太阳能电池制程中单晶硅片的化学腐蚀制程工艺中，硅片是垂直插在在片盒两边的卡槽中的，硅片在卡槽中是松动的，硅片一面的两条边随机的贴在卡槽的一边。在化学腐蚀液中，硅片贴在片盒卡槽上的两条边，由于与片盒接触，该区域化学腐蚀会受到影响，导致相对于其他区域该区域外观发白，形成单面片盒印，并且该区域光学反射率偏高，削弱化学腐蚀的作用：降低硅片表面的光学反射，提高电池的吸光率。虽然晶体硅太阳电池只需选取硅片的一面作为受光面，但是由于硅片在片盒中是随机的贴向一面的，所以产生的片盒印是无序的，所以在进入下道工序时，必须筛选硅片的无片盒印面作为电池的受光面。筛选时，增加人员的工作量，降低了生产效率，并且人为的筛选，总存在疏忽，仍有部分硅片的片盒印面被用作受光面，最终降低了产品的品质。
发明内容
本实用新型提供一种通过对化学腐蚀花篮的底部垫入倾斜角度的斜板，从而达到花篮中的硅片向同一方向倾斜，产生的硅片盒印均在同一面，选取硅片同一方向无硅片盒印面作为电池的受光面的化学腐蚀花篮。
本实用新型的技术方案是：
一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中：花篮中装有硅片盒，花篮底部设有斜板。
一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中：硅片盒位于花篮内斜板上方。
一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中：硅片盒与花篮的底板成5°-10°的夹角。
本实用新型的优点在于：普通的化学腐蚀花篮中，硅片与硅片盒接触，形成单面硅片盒印，由于硅片盒印是无序的，筛选硅片的无硅片盒印面作为电池的受光面时增加了工作量，降低了效率，并且由于人为的疏忽，部分硅片的硅片盒印面被用作受光面，降低了产品的品质，本实用新型单晶硅片化学腐蚀花篮就是将传统花篮底部的增设一块与水平面呈5°-10°的角度的斜板，使得硅片向同一方向倾斜，产生的片盒印均在同一面，解决了因花篮使用时需区分电池的受光面的烦恼，使得花篮在使用中更加方便。
附图说明
图1为本实用新型单晶硅片化学腐蚀花篮改进后的结构示意图；
附图标记：花篮1、硅片盒2、斜板3。
具体实施方式
实施例1、一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中：花篮1中装有硅片盒2，花篮1底部设有斜板3。
实施例2、一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中：硅片盒2位于花篮1内斜板3上方。
实施例3、一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其中：硅片盒2与花篮1的底板成5°-10°的夹角。
Claims (3)
1.一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮，其特征在于：花篮（1）中装有硅片盒（2），花篮（1）底部设有斜板（3）。
2.如权利要求1所述的化学腐蚀花篮，其特征在于：硅片盒（2）位于花篮（1）内斜板（3）上方。
3.如权利要求1或2所述的化学腐蚀花篮，其特征在于：硅片盒（2）与花篮（1）的底板成5°-10°的夹角。
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|---|---|---|---|
| CN2012202548680U CN202839708U (zh) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | 一种新型的单晶硅片化学腐蚀花篮 |
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Publications (1)
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| CN202839708U true CN202839708U (zh) | 2013-03-27 |
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ID=47951344
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Country Status (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109174885A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-01-11 | 蚌埠国显科技有限公司 | 一种玻璃浸泡治具 |
| CN109243970A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-18 | 杭州中芯晶圆半导体股份有限公司 | 一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法 |
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2012
- 2012-06-01 CN CN2012202548680U patent/CN202839708U/zh not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN109243970A (zh) * | 2018-09-04 | 2019-01-18 | 杭州中芯晶圆半导体股份有限公司 | 一种提高半导体硅片端面腐蚀能力的腐蚀方法 |
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|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 334100 Jiangxi Province, Shangrao City Economic Development Zone in the area Patentee after: JIANGXI ZHANYU NEW ENERGY CO., LTD. Address before: 334100 Jiangxi Province, Shangrao City Economic Development Zone in the area Patentee before: SRPV High-tech Co.,Ltd. |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200226 Address after: No. 8, Xingye Avenue, economic and Technological Development Zone, Shangrao, Jiangxi Province Patentee after: Jiangxi Zhanyu Xinneng Technology Co., Ltd Address before: 334100 rising area, Shangrao Economic Development Zone, Jiangxi, China Patentee before: JIANGXI ZHANYU NEW ENERGY CO., LTD. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20130327 |
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| CX01 | Expiry of patent term |