CN202796001U - 发光器件的像素电路和显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种发光器件的像素电路和显示装置，用以避免OLED的衰减。所述电路中，开关晶体管的源极连接列数据线，栅极连接所述行扫描线，漏极连接第一存储电容的第一端，第一存储电容的第二端连接所述电源线第一端；驱动晶体管的源极连接电源线的第一端，栅极连接第一存储电容的第一端，漏极连接OLED的第一端；第一补偿晶体管的源极连接第一存储电容的第一端，栅极连接发光控制线，漏极连接第二补偿晶体管的源极和OLED的第一端，第二补偿晶体管的栅极连接行扫描线，漏极连接OLED的第二端和电源线的第二端。所述显示装置包括上述发光器件的像素电路。

Description

发光器件的像素电路和显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件的像素电路和显示装置。

背景技术

有源发光二极管显示器（AMOLED）的发光元件为有机发光二极管（OLED），其发光亮度和提供给OLED器件的驱动电流的大小成正比，故为了实现最佳的显示效果，需要较大的驱动电流。而低温多晶硅背板技术，由于可以提供较高的迁移率，是AMOLED显示背板技术的最佳选择。

低温多晶硅技术固有的阈值电压漂移的问题，会造成像素电路产生的驱动电流的不均匀性，进而造成显示亮度的不均匀性。为了能有效补偿薄膜晶体管（TFT）阈值电压的漂移，在进行电路设计中常常引入补偿技术，从而获得较好的显示亮度均匀性。

但是，OLED器件存在着自身的寿命问题，即电气性能会随着使用时间的增加而有所衰减。因此在使用过程中，在OLED器件上的电压降会有所增加，表现为，采用相同的驱动电压，却产生不同的驱动电流，造成OLED器件的亮度降低。又由于每个像素点上的OLED器件的性能不完全相同，因而造成各个像素点的OLED器件的亮度变化不相同，最终导致显示亮度不均匀。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种发光器件的像素电路和显示装置，用以实现对发光器件的像素电路中有机发光二极管OLED的衰减的补偿，从而避免由于各个像素点的OLED器件的亮度变化不相同导致的显示亮度不均匀。

本实用新型实施例提供的一种发光器件的像素电路，包括：

列数据线、行扫描线、开关晶体管、第一存储电容、驱动晶体管、电源线第一端、电源线第二端、第一补偿晶体管、第二补偿晶体管、有机发光二极管OLED和OLED发光控制线；其中，

所述开关晶体管的源极连接所述列数据线，栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述第一存储电容的第一端，所述第一存储电容的第二端连接所述电源线第一端；

所述驱动晶体管的源极连接所述电源线的第一端，栅极连接所述第一存储电容的第一端，漏极连接所述OLED的第一端；

所述第一补偿晶体管的源极连接所述第一存储电容的第一端，栅极连接所述OLED发光控制线，漏极连接所述第二补偿晶体管的源极和所述OLED的第一端，第二补偿晶体管的栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述OLED的第二端和所述电源线的第二端。

本实用新型实施例提供的一种显示装置，包括所述的发光器件的像素电路。

本实用新型实施例提供的发光器件的像素电路、显示装置及驱动方法，解决了由于OLED电气性能衰减而造成的在其上的电压降不同的问题，从而解决了OLED显示亮度不均匀的问题，提高了发光器件的显示均匀性。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种发光器件的像素电路；

图2为图1中的发光器件的像素电路的控制信号时序图；

图3为本实用新型实施例提供的另一种发光器件的像素电路；

图4为图3中的发光器件的像素电路的控制信号时序图；

图5为本实用新型实施例提供的再一种发光器件的像素电路；

图6为图5中的发光器件的像素电路的控制信号时序图；

图7为图3中的发光器件的像素电路在图2控制信号时序图的第一阶段的工作状态图；

图8为图3中的发光器件的像素电路在图2控制信号时序图的第二阶段的工作状态图；

图9为图3中的发光器件的像素电路在图2控制信号时序图的第三阶段的工作状态图。

具体实施方式

本实用新型实施例提供了一种发光器件的像素电路及驱动方法和显示装置，用以实现对有源发光器件的像素电路中有机发光二极管OLED的衰减的补偿，从而避免由于各个像素点的OLED器件的亮度变化不相同导致的显示亮度不均匀。

下面结合附图和实施例对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。

实施例1

参见图1，本实用新型实施例提供的一种发光器件的像素电路，包括：

开关晶体管101、列数据线102、行扫描线103、第一存储电容104、电源线第一端105、驱动晶体管106、第一补偿晶体管107、OLED发光控制线108、第二补偿晶体管109、OLED 110和电源线第二端111；和；其中，

所述开关晶体管101的源极连接所述列数据线102，栅极连接所述行扫描线103，漏极连接所述第一存储电容104的第一端，所述第一存储电容104的第二端连接所述电源线第一端105；

所述驱动晶体管106的源极连接所述电源线105的第一端，栅极连接所述第一存储电容104的第一端，漏极连接所述OLED 110的第一端；

所述第一补偿晶体管107的源极连接所述第一存储电容104的第一端，栅极连接所述OLED发光控制线108，漏极连接所述第二补偿晶体管109的源极和所述OLED 110的第一端，第二补偿晶体管109的栅极连接所述行扫描线103，漏极连接所述OLED110的第二端和所述电源线的第二端111。

较佳地，所述驱动晶体管106为P型薄膜晶体管TFT，所述OLED110的第一端为OLED110的阳极，所述OLED110的第二端为OLED110的阴极，所述电源线第一端105的电压VDD比所述电源线第二端111的电压VSS高。

较佳地，所述开关晶体管101、第一补偿晶体管107和第二补偿晶体管109为P型或者N型薄膜晶体管TFT。

较佳地，所述第一存储电容104电容值的量级在10^-13f。

本实用新型实施例1提供的发光器件的像素电路的驱动方法如下：

参见图2，为上述有源发光器件的像素电路的控制信号时序图；

参见图1，在第一阶段即t2阶段，也称为数据写入阶段。行扫描信号103为低电平则开关晶体管101打开，列数据线102提供的信号data写入该像素电路，则此时第一存储电容104的第一端A₀点的电压为Vdata，且该电压由第一存储电容104存储。与此同时第二补偿晶体管109也处于导通状态，则第一补偿晶体管107的漏极和第二补偿晶体管109的源极的连接点B₀点的电压为电源线第二端111的电压VSS,同时OLED发光控制线108提供的信号为高电平，则第一补偿晶体管关闭，避免了OLED对第一存储电容104第一端A₀点的电压的干扰，即驱动晶体管DTFT106栅极的电压为Vdata；

在t3阶段，也称为显示阶段。行扫描信号103跳变为高电平，开关晶体管101关闭，此时OLED发光控制线108提供的信号为低电平，第一补偿晶体管107导通，OLED 110器件上的电压降Voled被引入，则DTFT 106的源级电压为(Vdd-Voled),同时A₀点的电压（Vss+Vdata-Voled）由第一存储电容104保持，即驱动晶体管DTFT 106的栅极电压，该电压确保DTFT 106工作在饱和区，则此时DTFT 106的漏极电流为

$\mathrm{Id}=\frac{1}{2}\mathrm{\μCox}(W/L){\left(\right|{\mathrm{Vgs},}_{\mathrm{DTFT}}|-|\mathrm{Vth}\left|\right)}^2$

$=\frac{1}{2}\mathrm{\μCox}(W/L){[\mathrm{Vdd}-\mathrm{Voled}-(\mathrm{Vdata}+\mathrm{Vss}-\mathrm{Voled})-\mathrm{Vth}]}^2$

$=\frac{1}{2}\mathrm{\μCox}(W/L)(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vss}-\mathrm{Vdata}-\mathrm{Vth})2$

其中，W为DTFT 106沟道的宽度，L是沟道的长度，C是沟道与栅极间的电容，μ是沟道的载流子迁移率，均相对固定，与OLED 110器件上的电压降Voled无关，则OLED 110器件上的电压变化，不会对DTFT 106的漏极电流，即像素电路的驱动电流产生影响，驱动电流流入OLED110，点亮显示。

需要说明的是，本实施例是以所述驱动晶体管106，所述开关晶体管101、第一补偿晶体管107和第二补偿晶体管109为P型薄膜晶体管TFT为例进行说明；当然，其中任一个或全部晶体管为N型薄膜晶体管TFT均可以，只是相应的改变各晶体管在第一阶段和第二阶段中的电平信号，以及电源线第一端和第二端的电压。其中，P型薄膜晶体管TFT为低电平时开启，N型薄膜晶体管TFT为高电平时开启。其余实施例也相同，不再赘述。

实施例2

参见图3，本实用新型实施例2提供的发光器件的像素电路，包括：

开关晶体管S101、列数据线S102、行扫描线S103、第一存储电容S104、电源线第一端S105、驱动晶体管S106、第一补偿晶体管S107、OLED发光控制线S108、第二补偿晶体管109、OLED S110和电源线第二端S111；其中，

所述开关晶体管S101的源极连接所述列数据线S102，栅极连接所述行扫描线S103，漏极连接所述第一存储电容S104的第一端，所述第一存储电容S104的第二端连接所述电源线第一端S105；

所述驱动晶体管S106的源极连接所述电源线S105的第一端，栅极连接所述第一存储电容S104的第一端，漏极连接所述OLED S110的第一端；

所述第一补偿晶体管S107的源极连接所述第一存储电容S104的第一端，栅极连接所述OLED发光控制线S108，漏极连接所述第二补偿晶体管S109的源极和所述OLED S110的第一端，第二补偿晶体管S109的栅极连接所述行扫描线S103，漏极连接所述OLEDS110的第二端和所述电源线的第二端S111。

较佳地，所述发光器件的像素电路，还包括第二存储电容S112，其第一端连接所述开关晶体管S101的漏极，第二端连接所述第一存储电容S104的第一端，用以保证驱动晶体管S106的栅极电压不会因为开关晶体管的漏电而衰减；

较佳地，所述发光器件的像素电路，还包括第三补偿晶体管S113，其源极连接所述驱动晶体管S106的漏极，栅极连接所述发光控制线S108，漏极连接所述第二补偿晶体管S109的源极，用以保证OLEDS110在驱动电流稳定时驱动；

较佳地，第三补偿晶体管S113为P型或者N型薄膜晶体管TFT；

较佳地，所述发光器件的像素电路，还包括初始化晶体管S114、初始化线S115和参考电源S116；

所述初始化晶体管S114的源极连接所述参考电源S116，栅极连接所述初始化线S115第一端，漏极连接所述第一存储电容S104的第一端;所述初始化线S115第二端连接信号发生器，提供初始化信号，用以电路状态的初始化；

较佳地，所述初始化晶体管S114为P型或者N型薄膜晶体管TFT；

较佳地，所述发光器件的像素电路，还包括第四补偿晶体管S117，所述第四补偿晶体管S117的栅极连接所述行扫描线S103，源极连接所述驱动晶体管S106的栅极，漏极连接所述驱动晶体管S106的漏极，用于向第一存储电容S104预先存入所述驱动晶体管的阈值电压；

较佳地，所述第四补偿晶体管S117为P型或者N型薄膜晶体管TFT；

较佳地，所述驱动晶体管S106为P型薄膜晶体管TFT，所述OLEDS110的第一端为OLEDS110的阳极，所述OLEDS110的第二端为OLEDS110的阴极，所述电源线第一端105的电压VDD比所述电源线第二端111的电压VSS高；

较佳地，所述开关晶体管S101、第一补偿晶体管S107和第二补偿晶体管109为P型或者N型薄膜晶体管TFT；

较佳地，所述第一存储电容S104和第二存储电容S112的电容值的量级在10^-13f。

本实用新型实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围，其中，第二存储电容112、第三补偿晶体管113、初始化晶体管S114、初始化线S115、参考电源S116和第四补偿晶体管S117不是必须同时存在于所述有源发光器件的像素电路中，所述电路包含其中任一项均可实现本实用新型的目的。

本实用新型实施例2提供的有源发光器件的像素电路的驱动方法如下：

参见图4，为上述有源发光器件的像素电路的控制信号时序图；

参见图7，在t1阶段，也称为初始化阶段。初始化信号S115为低电平，初始晶体管S114打开，将参考电源S116提供的Vref写入第一存储电容的第一端A1点，此时第二存储电容S1112右侧C₂点的电压亦为Vref，完成像素状态的初始化；

参见图8，在t2阶段，也称为数据写入阶段。初始化信号S115跳变为高电平，初始化晶体管S114关闭，Vref电压由第一存储电容S104保持。同时，行扫描信号S103为低电平，则开关晶体管S101打开，列数据线S102提供的信号data写入该像素电路，则此时第二存储电容S112右侧C₂点电压为（Vdata+Vref）。而同时由于行扫描信号S103有效，第四补偿晶体管S117导通，则此时驱动晶体管DTFT S106栅极端和漏极端相连，形成一个diode-connection，二极管连接，则此时其阈值电压Vth，Vth被记录下来且由第一存储电容S104保持。综合考虑，此时A₁点电压，即驱动晶体管DTFT S106栅极的电压为（Vdata+Vref-Vth），且该电压由第一存储电容S104存储。此阶段OLED发光控制线S108提供的信号为高电平，确保第三补偿晶体管S113关闭，则数据的写入像素这一动作，并不会对有机发光二极管OLEDS110的发光状态产生影响，避免了显示的闪烁。与此同时第二补偿晶体管S109也处于导通状态，则B₁点的电压为电源线第二端S111的电压VSS,同时OLED发光控制线S 108提供的信号为高电平，则第一补偿晶体管关闭，避免了OLED S110对第一存储电容S104第一端A₁点的电压的干扰，即驱动晶体管DTFT S106栅极的电压为（Vdata+Vref-Vth）；

参见图9，在t3阶段，也称为显示阶段。行扫描信号S103跳变为高电平，开关晶体管S101和第四补偿晶体管S117关闭，此时OLED发光控制线S108提供的信号为低电平，第一补偿晶体管S107导通，第三补偿晶体管S113导通，OLED S110器件上的电压降Voled被引入，则DTFT S106的源级电压为(Vdd-Voled),同时A₁点的电压（Vss+Vdata+Vref-Vth-Voled）由第一存储电容S104保持，即驱动晶体管DTFT S106的栅极电压，该电压确保DTFT S106工作在饱和区，则此时DTFT S106的漏极电流为

$\mathrm{Id}=\frac{1}{2}\mathrm{\μCox}(W/L){\left(\right|{\mathrm{Vgs},}_{\mathrm{DTFT}}|-|\mathrm{Vth}\left|\right)}^2$

$=\frac{1}{2}\mathrm{\μCox}(W/L){[\mathrm{Vdd}-\mathrm{Voled}-(\mathrm{Vss}+\mathrm{Vdata}+\mathrm{Vref}-\mathrm{Vth}-\mathrm{Voled})-\mathrm{Vth}]}^2$

$=\frac{1}{2}\mathrm{\μCox}(W/L)(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vss}-\mathrm{Vdata}-\mathrm{Vth})2$

其中，W为DTFTS106沟道的宽度，L是沟道的长度，C是沟道与栅极间的电容，μ是沟道的载流子迁移率，均相对固定。该电流值与阈值电压Vth和OLED S1110器件上的电压降Voled无关，则驱动晶体管DTFT S106的阈值电压Vth的漂移和OLED S110器件上的电压变化，不会对DTFT S106的漏极电流，即像素电路的驱动电流产生影响。与此同时，OLED发光控制线S108提供的信号有效，第三补偿晶体管S113导通，该像素驱动电流经第三补偿晶体管S 113流入OLED S110，点亮显示;

较佳地，Vref可以选择接地，起到对A₁点电位的复位的作用，同时如果在电源线第一端S105端有导线电阻或寄生电阻引起的电压降，即IR drop，则对Vref的数值可以进行调整，使其能与IR drop引起的电压降互相抵消，则此时，该像素电路结构还可以补偿电源的IR drop引起的像素电流波动的问题。

实施例3

参见图5，本实用新型实施例3提供的有源发光器件的像素电路，包括：

开关晶体管S201、列数据线S202、行扫描线S203、第一存储电容S204、电源线第一端S205、驱动晶体管S206、第一补偿晶体管S207、OLED发光控制线S208、第二补偿晶体管S209、OLEDS 210和电源线第二端S211；；其中，

所述开关晶体管S201的源极连接所述列数据线S202，栅极连接所述行扫描线S203，漏极连接所述第一存储电容S204的第一端，所述第一存储电容S104的第二端连接所述电源线第一端S205；

所述驱动晶体管S206的源极连接所述电源线S205的第一端，栅极连接所述第一存储电容S204的第一端，漏极连接所述OLED S210的第一端；

所述第一补偿晶体管S207的源极连接所述第一存储电容S104的第一端，栅极连接所述OLED发光控制线S208，漏极连接所述第二补偿晶体管S109的源极和所述OLED S210的第一端，第二补偿晶体管S209的栅极连接所述行扫描线S203，漏极连接所述OLEDS210的第二端和所述电源线的第二端S211；

较佳地，所述发光器件的像素电路，还包括第二存储电容S212，其第一端连接所述开关晶体管S201的漏极，第二端连接所述第一存储电容S204的第一端，用以保证驱动晶体管S206的栅极电压不会因为开关晶体管的漏电而衰减；较佳地，所述发光器件的像素电路，还包括第三补偿晶体管S213，其源极连接所述驱动晶体管S206的漏极，栅极连接所述发光控制线S208，漏极连接所述第二补偿晶体管S209的源极，用以保证OLEDS210在驱动电流稳定时驱动；

较佳地，所述第三补偿晶体管S213为P型或者N型薄膜晶体管TFT；

较佳地，所述发光器件的像素电路，还包括初始化晶体管S214、初始化线S215和参考电源S216；

所述初始化晶体管S214的源极连接所述参考电源S216，栅极连接所述初始化线S215第一端，漏极连接所述第一存储电容S204的第一端;所述初始化线S215第二端连接信号发生器，提供初始化信号，用以电路状态的初始化；

较佳地，所述初始化晶体管S214为P型或者N型薄膜晶体管TFT；

较佳地，所述发光器件的像素电路，还包括第四补偿晶体管S217，所述第四补偿晶体管S217的栅极连接所述行扫描线S203，源极连接所述驱动晶体管S206的栅极，漏极连接所述驱动晶体管S206的漏极，用于向第一存储电容S204预先存入所述驱动晶体管的阈值电压；

较佳地，所述第四补偿晶体管S217为P型或者N型薄膜晶体管TFT；

较佳地，所述驱动晶体管S206为N型薄膜晶体管TFT，所述OLEDS110的第一端为OLEDS210的阴极，所述OLEDS110的第二端为OLEDS110的阳极，所述电源线第一端S205的电压VSS比所述电源线第二端S211的电压VDD低。

较佳地，所述开关晶体管S201、第一补偿晶体管S207和第二补偿晶体管S209为P型或者N型薄膜晶体管TFT。

较佳地，所述第一存储电容S204和第二存储电容S212的电容值的量级在10^-13f。

本实用新型实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围，其中，第二存储电容212、第三补偿晶体管213、初始化晶体管S214、初始化线S215、参考电源S216和第四补偿晶体管S217不是必须同时存在于所述有源发光器件的像素电路中，所述电路包含其中任一项均可实现本实用新型的目的。

本实用新型实施例3提供的有源发光器件的像素电路的驱动方法如下：参见图6，为上述发光器件的像素电路的控制信号时序图；

参见图5，在t1阶段，初始化信号S215为高电平，初始晶体管S214打开，将参考电源S216提供的Vref写入第一存储电容的第一端A₂点，此时第二存储电容S212右侧C₂的电压亦为Vref，完成像素状态的初始化；

在t2阶段，初始化信号S215跳变为低电平，初始化晶体管S214关闭，Vref电压由第一存储电容S204保持。同时，行扫描信号S203有效，则开关晶体管S201打开，列数据线S202提供的信号data写入该像素电路，则此时第二存储电容S112右侧C₂点的电压为（Vdata+Vref）。而同时由于行扫描信号S203为高电平，第四补偿晶体管S217导通，则此时驱动晶体管DTFT S206栅极端和漏极端相连，形成一个diode-connection，二极管连接，则此时其阈值电压Vth，Vth被记录下来且由第一存储电容S204保持。综合考虑，此时A₂点电压，即驱动晶体管DTFT S206栅极的电压为（Vdata+Vref-Vth），且该电压由第一存储电容S204存储。此阶段OLED发光控制线S208提供的信号为低电平，确保第三补偿晶体管S213关闭，则数据的写入像素这一动作，并不会对有机发光二极管OLED S210的发光状态产生影响，避免了显示的闪烁。与此同时第二补偿晶体管S209也处于导通状态，则B₂点的电压为电源线第二端S211的电压VDD,同时OLED发光控制线S208提供的信号为低电平，则第一补偿晶体管关闭，避免了OLED S110对第一存储电容S104第一端A₂点的电压的干扰，即驱动晶体管DTFT S106栅极的电压为（Vdata+Vref-Vth）；

在t3阶段，行扫描信号S203为低电平，开关晶体管S201和第四补偿晶体管S217关闭，此时OLED发光控制线S208提供的信号为高电平，第一补偿晶体管S207导通，第三补偿晶体管S213导通，OLED S210器件上的电压降Voled被引入，则DTFT S206的源级电压为(Vss-Voled),同时A₂点的电压（Vdd+Vdata+Vref-Vth-Voled）由第一存储电容S204保持，即驱动晶体管DTFT S206的栅极电压，该电压确保DTFT S206工作在饱和区，则此时DTFT S206的漏极电流为

$\mathrm{Id}=\frac{1}{2}\mathrm{\μCox}(W/L){\left(\right|{\mathrm{Vgs},}_{\mathrm{DTFT}}|-|\mathrm{Vth}\left|\right)}^2$

$=\frac{1}{2}\mathrm{\μCox}(W/L){[\mathrm{Vdd}+\mathrm{Vdata}+\mathrm{Vref}-\mathrm{Vth}-\mathrm{Voled}-(\mathrm{Vss}-\mathrm{Voled})-\mathrm{Vth}]}^2$

$=\frac{1}{2}\mathrm{\μCox}(W/L)(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vss}-\mathrm{Vdata}-\mathrm{Vth})2$

其中，W为DTFT S206沟道的宽度，L是沟道的长度，C是沟道与栅极间的电容，μ是沟道的载流子迁移率，均相对固定。该电流值与阈值电压Vth和OLED S210器件上的电压降Voled无关，则驱动晶体管DTFT S206的阈值电压Vth的漂移和OLED S210器件上的电压变化，不会对DTFT S206的漏极电流，即像素电路的驱动电流产生影响。与此同时，OLED发光控制线S208提供的信号有效，第三补偿晶体管S213导通，该像素驱动电流经第三补偿晶体管S213流入OLED S210，点亮显示；

较佳地，Vref可以选择接地，起到对A₂点电位的复位的作用，同时如果在电源线第一端S205端有导线电阻或寄生电阻引起的电压降，即IR drop，则对Vref的数值可以进行调整，使其能与IR drop引起的电压降互相抵消，则此时，该像素电路结构还可以补偿电源的IR drop引起的像素电流波动的问题。

本实用新型实施例提供的一种显示装置，包括上述任一发光器件的像素电路。

综上所述，本实用新型实施例提供的一种有源发光器件的像素电路及驱动方法和显示装置，所述电路包括：列数据线、行扫描线、开关晶体管、第一存储电容、驱动晶体管、电源线第一端、电源线第二端、第一补偿晶体管、第二补偿晶体管、有机发光二极管OLED和OLED发光控制线；其中，所述开关晶体管的源极连接所述列数据线，栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述第一存储电容的第一端，所述第一存储电容的第二端连接所述电源线第一端；所述驱动晶体管的源极连接所述电源线的第一端，栅极连接所述第一存储电容的第一端，漏极连接所述OLED的第一端；所述第一补偿晶体管的源极连接所述第一存储电容的第一端，栅极连接所述发光控制线，漏极连接所述第二补偿晶体管的源极和所述OLED的第一端，第二补偿晶体管的栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述OLED的第二端和所述电源线的第二端。所述显示装置包括上述发光器件的像素电路。本实用新型实施例提供的发光器件的像素电路及驱动方法和显示装置，解决了由于OLED电气性能衰减而造成的在其上的电压降不同的问题，从而解决了OLED显示亮度不均匀的问题，进而提高了发光器件的显示均匀性。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种发光器件的像素电路，其特征在于，该电路包括：列数据线、行扫描线、开关晶体管、第一存储电容、驱动晶体管、电源线第一端、电源线第二端、第一补偿晶体管、第二补偿晶体管、有机发光二极管OLED和OLED发光控制线；其中，

所述开关晶体管的源极连接所述列数据线，栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述第一存储电容的第一端，所述第一存储电容的第二端连接所述电源线第一端；

所述驱动晶体管的源极连接所述电源线的第一端，栅极连接所述第一存储电容的第一端，漏极连接所述OLED的第一端；

所述第一补偿晶体管的源极连接所述第一存储电容的第一端，栅极连接所述发光控制线，漏极连接所述第二补偿晶体管的源极和所述OLED的第一端，第二补偿晶体管的栅极连接所述行扫描线，漏极连接所述OLED的第二端和所述电源线的第二端。

2.根据权利要求1所述的发光器件的像素电路，其特征在于，还包括第二存储电容，其第一端连接所述开关晶体管的漏极，第二端连接所述第一存储电容的第一端。

3.根据权利要求1或2所述的发光器件的像素电路，其特征在于，还包括第三补偿晶体管，其源极连接所述驱动晶体管的漏极，栅极连接所述发光控制线，漏极连接所述第二补偿晶体管的源极。

4.根据权利要求3所述的发光器件的像素电路，其特征在于，所述第三补偿晶体管为P型或者N型薄膜晶体管TFT。

5.根据权利要求1或2所述的发光器件的像素电路，其特征在于，还包括初始化晶体管、初始化线和参考电源；

所述初始化晶体管的源极连接所述参考电源，栅极连接所述初始化线第一端，漏极连接所述第一存储电容的第一端;所述初始化线第二端连接信号发生器，提供初始化信号，用以电路状态的初始化。

6.根据权利要求5所述的发光器件的像素电路，其特征在于，所述初始化晶体管为P型或者N型薄膜晶体管TFT。

7.根据权利要求1或2所述的发光器件的像素电路，其特征在于，还包括第四补偿晶体管，所述第四补偿晶体管的栅极连接所述行扫描线，源极连接所述驱动晶体管的栅极，漏极连接所述驱动晶体管的漏极，用于向第一存储电容预先存入所述驱动晶体管的阈值电压。

8.根据权利要求4所述的发光器件的像素电路，其特征在于，所述第四补偿晶体管为P型或者N型薄膜晶体管TFT。

9.根据权利要求1所述的发光器件的像素电路，其特征在于，所述驱动晶体管为P型薄膜晶体管TFT，所述OLED的第一端为OLED的阳极，所述OLED的第二端为OLED的阴极，所述电源线第一端的电压比所述电源线第二端的电压高；或者，

所述驱动晶体管为N型薄膜晶体管TFT，所述OLED的第一端为OLED的阴极，所述OLED的第二端为OLED的阳极，所述电源线第一端的电压比所述电源线第二端的电压低。

10.根据权利要求1所述的发光器件的像素电路，其特征在于，所述开关晶体管、第一补偿晶体管和第二补偿晶体管为P型或者N型薄膜晶体管TFT。

11.根据权利要求1所述的发光器件的像素电路，其特征在于，所述第一存储电容和所述第二存储电容的电容值的量级在10^-13f。

12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置中包括权利要求1～11任一权项所述的发光器件的像素电路。

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