CN202786494U - 直拉单晶炉保温结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种直拉单晶炉保温结构，其包括加热器和设置在所述加热器下方的保温组件，所述保温组件包括保温体、将所述保温体固定在其中的上反射板和下反射板，以及卡设在所述下反射板环形台阶上的挡环。通过在加热器的下方设置保温组件，且保温组件包括起保温作用的保温体及用于将保温体固定在其中的上反射板和下反射板，有效地防止热能从加热器的下方流失，达到减少能耗并缩短熔料时间的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体及光伏材料制备设备，尤其涉及一种直拉单晶炉保温结构。
背景技术
直拉单晶硅炉是一种硅的定向凝固设备，其功能是将单晶硅按照设定工艺经过熔料、引晶、放肩、转肩、等径和收尾几个阶段后成为有一定晶体生长方向的晶棒。直拉单晶炉是一种能耗较高、工时较长的生产设备，在同样的晶体方向及晶体尺寸条件下，缩短工时、减少能耗是希望得到改善的。在现有的直拉单晶炉中，为了减少能耗在拉晶炉内的加热器的周围设置隔热材料，如设计有保温罩，现有技术中在加热器的周围设计保温罩的技术方案存在如下不足：在融化阶段加热器底部向下方散热而浪费热能并使熔料时间加长，且无法根据需要对保温材料的厚度进行调节，达到提高保温效果的目的。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种直拉单晶炉，旨在防止热能从加热器的下方流失，达到减少能耗并缩短熔料时间的目的。
本实用新型提供了一种直拉单晶炉保温结构，包括加热器和设置在所述加热器下方的保温组件，所述保温组件包括保温体、将所述保温体固定在其中的上反射板和下反射板，以及卡设在所述下反射板环形台阶上的挡环。所述保温体的材料为软毡或者硬毡。
优选地，所述保温组件还包括固定所述上反射板和下反射板的螺杆和调节螺母，所述上反射板上设置有第一上通孔，所述下反射板上设置有与所述第一上通孔对应的第一下通孔，所述螺杆穿过所述第一上通孔和所述第一下通孔与所述调节螺母配合将所述上反射板和下反射板固定连接。
优选地，所述第一上通孔和第一下通孔同轴，其数量均为2个以上，且分别均匀分布在所述上反射板和下反射板上。
优选地，所述上反射板的外周边凸出形成围框。所述围框的高度为1mm~50mm，厚度为1mm~50mm。
优选地，所述上反射板的材料为C/C复合材料、硬毡或石墨，所述下反射板的材料为C/C复合材料、硬毡或石墨。
优选地，所述上反射板的中心设置有供外部构件穿过的第二上通孔，所述下反射板中心设置有与所述第二上通孔对应的第二下通孔，所述第二下通孔设置有环形台阶，所述挡环穿过所述第二上通孔并卡设在所述环形台阶上。
本实用新型通过在加热器的下方设置保温组件，且保温组件包括起保温作用的保温体及用于将保温体固定在其中的上反射板和下反射板，有效地减少热能从加热器的下方流失，达到减少能耗并缩短熔料时间的目的。
附图说明
图1为本实用新型实施例中直拉单晶炉保温结构的剖视图；
图2为图1中A部分的放大示意图；
图3为本实用新型实施例中保温组件的结构示意图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
参照图1和图2，图1为本实用新型实施例中直拉单晶炉保温结构的剖视图，图2为图1中A部分的放大示意图。本实用新型直拉单晶炉保温结构包括加热器1和设置在加热器1下方的保温组件，保温组件包括上反射板21、下反射板22、起保温作用的保温体（图中未示出）和挡环25，优选地，保温体的材料为软毡或者硬毡。保温体设置在上反射板21和下反射板22之间，上反射板21和下反射板22用于将保温体固定。上反射板21的中部设置有供外部构件穿过的第二上通孔212，下反射板22上设置有与第二上通孔212对应的第二下通孔221，第二下通孔221设置有环形台阶222，挡环25穿过第二上通孔212并卡设在环形台阶222上。设置挡环的目的是：不仅能保护在工作转动时的托杆等部件，还能在调节保温体的厚度或调节上反射板21和下反射板22之间的距离时起到导向作用时，防止它们上反射板21和下反射板22发生相对运动从而保护螺杆。
为了实现调节保温体的厚度，达到调节保温效果的目的，在具体实施例中，保温组件还包括固定上反射板21和下反射板22的螺杆23和调节螺母24，上反射板21上设置有第一上通孔，下反射板22上设置有与第一上通孔对应的第一下通孔，螺杆23穿过第一上通孔和第一下通孔与调节螺母24配合将上反射板21和下反射板22固定连接。当增加保温体的厚度时，通过拧松调节螺母24，将上反射板21和下反射板22之间的间距调大；当减少保温体的厚度时，通过拧紧调节螺母24，将上反射板21和下反射板22之间的间距缩短。优选地，第一上通孔和第一下通孔同轴，其数量均为2个以上，且分别均匀分布在上反射板21和下反射板22上。具体地，第一上通孔的数量为4个，第一下通的数量为4个。在其他变形实施例中，第一上通孔不限于均匀分布在上反射板21上，对应的第一下通孔不限于均匀分布在下反射板22上。
在拉晶的生成过程中，温度过高或其他原因可能出现漏硅现象，为了在出现漏硅现象时保护其他构件，如保护直拉单晶炉中的支撑角及电极头等。在具体实施例中，结合参照图3，图3为本实用新型实施例中保温组件的结构示意图，上反射板21的外周边凸出形成围框211。围框211的设置一方面可有效阻止硅料流向加热器的支撑角及电极头等构件上；另一方面可起到导流作用，可将漏出的硅料引导至直拉单晶炉中的底板，减少发生安全事故的风险。优选地，围框的高度为1mm~50mm，厚度为1mm~50mm。
为了进一步防止热量从加热器1的下方流失，在具体实施例中，上反射板21的材料为石墨、C/C复合材料或硬毡，下反射板22的材料为石墨、C/C复合材料或硬毡。
本实用新型通过在加热器1的下方设置保温组件，且保温组件包括起保温作用的保温体及用于将保温体固定在其中的上反射板21和下反射板22，有效地减少热能从加热器1的下方流失且可增加经反射而辐射至坩埚的热能，达到减少能耗并缩短熔料时间的目的。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种直拉单晶炉保温结构，其特征在于，包括加热器和设置在所述加热器下方的保温组件，所述保温组件包括保温体、将所述保温体固定在其中的上反射板和下反射板，以及卡设在所述下反射板环形台阶上的挡环。
2.根据权利要求1所述的直拉单晶炉保温结构，其特征在于，所述保温体的材料为软毡或者硬毡。
3.根据权利要求1所述的直拉单晶炉保温结构，其特征在于，所述保温组件还包括固定所述上反射板和下反射板的螺杆和调节螺母，所述上反射板上设置有第一上通孔，所述下反射板上设置有与所述第一上通孔对应的第一下通孔，所述螺杆穿过所述第一上通孔和所述第一下通孔与所述调节螺母配合将所述上反射板和下反射板固定连接。
4.根据权利要求3所述的直拉单晶炉保温结构，其特征在于，所述第一上通孔和第一下通孔同轴，其数量均为2个以上，且分别均匀分布在所述上反射板和下反射板上。
5.根据权利要求1至4任一项所述的直拉单晶炉保温结构，其特征在于，所述上反射板的外周边凸出形成围框。
6.根据权利要求5所述的直拉单晶炉保温结构，其特征在于，所述围框的高度为1mm~50mm，厚度为1mm~50mm。
7.根据权利要求6所述的直拉单晶炉保温结构，其特征在于，所述上反射板的材料为C/C复合材料、硬毡或石墨，所述下反射板的材料为C/C复合材料、硬毡或石墨。
8.根据权利要求7所述的直拉单晶炉保温结构，其特征在于，所述上反射板的中心设置有供外部构件穿过的第二上通孔，所述下反射板中心设置有与所述第二上通孔对应的第二下通孔，所述第二下通孔设置有环形台阶，所述挡环穿过所述第二上通孔并卡设在所述环形台阶上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201220428055.9U CN202786494U (zh) | 2012-08-27 | 2012-08-27 | 直拉单晶炉保温结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201220428055.9U CN202786494U (zh) | 2012-08-27 | 2012-08-27 | 直拉单晶炉保温结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202786494U true CN202786494U (zh) | 2013-03-13 |
Family
ID=47813790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201220428055.9U Expired - Lifetime CN202786494U (zh) | 2012-08-27 | 2012-08-27 | 直拉单晶炉保温结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202786494U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105352324A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-02-24 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法 |
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2012
- 2012-08-27 CN CN201220428055.9U patent/CN202786494U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105352324A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-02-24 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法 |
| CN105352324B (zh) * | 2015-10-13 | 2018-01-09 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法 |
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