CN202772184U - 一种发光二极管基板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型适用于光电技术领域，提供了一种发光二极管基板，所述发光二极管基板包括一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。本实用新型结构简单，使用该发光二极管基板的LED，散热效果好，保证了LED的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型属于光电技术领域，尤其涉及一种发光二极管基板。
背景技术
以蓝宝石为衬底的发光二极管LED，主要是蓝光、绿光以及加荧光粉后的白光LED。
目前，发光二极管LED的取光效率较低，大部分能量都转换为热量，为了保证LED的寿命，一般要求散热效果较好的结构，但是，蓝宝石和GaN材料的散热效果较差，如果LED芯片的热量散不出去，则会加速芯片的老化，芯片失效。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种发光二极管基板，旨在解决现有技术中蓝宝石和GaN材料的散热效果较差，如果LED芯片的热量散不出去，则会加速芯片的老化，芯片失效的问题。
本实用新型是这样实现的，一种发光二极管基板，所述发光二极管基板包括一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。
本实用新型结构简单，使用该发光二极管基板的LED，散热效果好，保证了LED的使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型提供的发光二极管基板的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本实用新型。
图1示出了本实用新型提供的发光二极管基板的结构示意图，为了便于说明，图中仅给出了与本实用新型相关的部分。
本实用新型提供的发光二极管基板包括一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底1，所述单晶衬底1的抛光面上设有一层生长氧化层2，所述生长氧化层2上设有若干个用以形成P型层3的扩散窗口，所述P型层3上设有接触层4，所述接触层4上设有金属层5，所述金属层5连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极6。
为了便于理解，下述给出本实用新型提供的发光二极管基板的制作工艺：
1.选择单晶硅片作为单晶衬底；
2.用热生长的方法在所述单晶衬底的抛光面上形成生长氧化层；
3.用光刻腐蚀出扩散窗口；
4.用半导体扩散工艺形成P型层结构；
5.在P型层上通过蒸发形成接触层；
6.在所述接触层焊接形成金属层。
本实用新型结构简单，使用该发光二极管基板的LED，散热效果好，保证了LED的使用寿命。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种发光二极管基板，其特征在于，所述发光二极管基板包括一掺杂有N型单面抛光单晶形成的单晶衬底，所述单晶衬底的抛光面上设有一层生长氧化层，所述生长氧化层上设有若干个用以形成P型层的扩散窗口，所述P型层上设有接触层，所述接触层上设有金属层，所述金属层连接发光二极管芯片的电极，所述接触层上设有延伸电极。
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2012
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