CN202771895U - 一种真空处理装置及其射频滤波器、射频滤波器盒 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种真空处理装置及其射频滤波器、射频滤波器盒，其中，所述真空处理装置包括一腔室，在腔室的下方包括一容纳有若干射频滤波器的射频滤波器盒，所述射频滤波器至少包括一圆环状铁氧体，所述铁氧体上缠绕有线圈。其中，所述若干射频滤波器两两重叠放置，在两个所述射频滤波器之间还放置有绝缘块，其中，所述绝缘块的两个表平面分别接触于该两个射频滤波器的一表平面。本实用新型提供能够极大地节省真空处理装置中的空间。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种一种真空处理装置及其射频滤波器、射频滤波器盒。
背景技术
真空处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来激发和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。
真空处理装置包括一腔体，在腔体下方设置有其他配件，例如射频滤波器盒。射频滤波器盒主要用于容纳射频滤波器。然而，真空处理装置一般需要多个射频滤波器。众所周知，真空处理装置内的空间非常有限，因此射频滤波器在射频滤波器盒中的排布就需要占用尽量小的空间。
实用新型内容
针对背景技术中的上述问题，本实用新型提出了一种真空处理装置及其射频滤波器、射频滤波器盒。
本实用新型第一方面提供了一种用于真空处理装置的射频滤波器，其中，所述真空处理装置包括一腔室，在腔室的下方包括一容纳有若干射频滤波器的射频滤波器盒，所述射频滤波器至少包括一圆环状铁氧体，所述铁氧体上缠绕有线圈，其特征在于：
所述若干射频滤波器两两重叠放置，在两个所述射频滤波器之间还放置有绝缘块，其中，所述绝缘块的两个表平面分别接触于该两个射频滤波器的一表平面。
进一步地，所述射频滤波器盒包括一绝缘板，在该绝缘板上竖直固定有第一挡板和第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板上具有若干第一通孔，所述第一通孔和所述铁氧体上的第二通孔以及所述绝缘块上的第三通孔可以通过一螺钉穿过并固定。
进一步地，其特征在于，所述绝缘板外围设置有一接地板，所述接地板连接有接地端。
进一步地，所述所述射频滤波器盒包括一绝缘板，所述绝缘板上具有第四通孔，所述第四通孔和所述铁氧体上的第二通孔以及所述绝缘块上的第三通孔可以通过一螺钉穿过并固定。
进一步地，所述绝缘板外围设置有一接地板，所述接地板连接有接地端。
进一步地，所述射频滤波器的直径的取值范围为30mm~60mm。
进一步地，所述射频滤波器组成的射频滤波器组的宽度和长度的取值范围分别为30mm~90mm和60mm~200mm。
进一步地，所述铁氧体的厚度取值范围为，所述铁氧体的厚度取值范围为10mm~20mm，所述绝缘块的厚度的取值范围为5mm~15mm，所述射频滤波器之间的距离的取值范围为5mm~10mm。
本实用新型第二方面提供了一种用于真空处理装置的射频滤波器盒，其特征在于，所述射频滤波器盒包括本实用新型第一方面所述的射频滤波器。
本实用新型第三方面提供了一种真空处理装置，其特征在于，所述射频滤波器包括本实用新型第二方面所述的射频滤波器盒。
本实用新型提供的射频滤波器在真空处理装置中的射频滤波器盒中的排布方式，能够在充分安全隔离的前提下极大地节省腔室内空间，节约了人力物力。
附图说明
图1(a)和图1(b)是现有技术的射频滤波器在射频滤波器盒中的排布示意图；
图2是射频滤波器的结构示意图；
图3(a)和图3(b)是根据本实用新型的一个具体实施例的射频滤波器的排布示意图；
图4是根据本实用新型的另一具体实施例的射频滤波器的排布示意图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型的具体实施方式进行说明。
图1(a)和图1(b)示出了现有技术的射频滤波器在射频滤波器盒中的排布示意图。如图1(a)和图1(b)所示，多个射频滤波器102直接通过螺钉固定在射频滤波器盒的接地板100上。由于射频滤波器102包括一圆环状铁氧体，而圆环状铁氧体的直径为30mm~60mm，每个射频滤波器之间还要保持一定距离以方便制造和防止串扰。若按照图(a)和图1(b)所示的8个射频滤波器102按照2×4的矩阵排布，则，这样的射频滤波器矩阵所占的宽度至少要达到80mm~150mm，长度至少要达到160mm~300mm。
图2是射频滤波器的结构示意图。射频滤波器202至少包括一圆环状铁氧体2021，所述铁氧体2021上缠绕有线圈2022。由于铁氧体2021是由金属铁制成，则两个射频滤波器202之间需要设置绝缘块204进行隔离，以防止串扰。
本实用新型提出了一种用于真空处理装置的射频滤波器，其中，所述真空处理装置包括一腔室，在腔室的下方包括一容纳有若干射频滤波器的射频滤波器盒。图3(a)和图3(b)示出了根据本实用新型的一个具体实施例的射频滤波器的排布示意图，如3(a)和图3(b)所示，射频滤波器盒200的外壳至少包括两层，其中内层是绝缘板206，外层是连接有接地端的接地板208。若干射频滤波器202两两重叠放置在绝缘板206上，在两个射频滤波器202之间还放置有绝缘块204。具体地，射频滤波器202是采取两两“背对背”地重叠放置，其中，位于该两个射频滤波器202之间的绝缘块204的两个表平面分别接触于该两个射频滤波器的一表平面。
由于射频滤波器202采取两两“背对背”地重叠放置，其占用射频滤波器盒200的面积相较于现有技术直接将射频滤波器202按照图1(a)和图1(b)的排布方式少。具体地，射频滤波器202同样以2×4的矩阵排布，其占用绝缘板206面积的宽度取值范围为60mm~75mm，占用绝缘板206面积的高度取值范围为120mm~150mm。
所述射频滤波器盒包括一绝缘板，在该绝缘板上竖直固定有第一挡板（未示出）和第二挡板（未示出），所述第一挡板和所述第二挡板上具有若干第一通孔，所述第一通孔和所述铁氧体上的第二通孔以及所述绝缘块上的第三通孔可以通过一螺钉穿过并固定。
图4是根据本实用新型的另一具体实施例的射频滤波器的排布示意图，其示出了上述具体实施例的一个变型例。根据本实施例，先在接地板208上并排地平面设置两个绝缘块204a和204e，其中，绝缘块204a和204e的一平面分别紧贴接地板208，这样就无需再在射频滤波器盒200中设置绝缘板。接着，再在两个绝缘块204a和204e上依次分别设置两个射频滤波器202a和202e，其中，两个绝缘环204a和204e的另一表面分别紧贴射频滤波器202a和204e的铁氧体2021一表面。然后，再在射频滤波器202a和204e的铁氧体2021另一表面设置两个绝缘块204b和204f……依次类推，形成如图4所示的2×4的矩阵排布的射频滤波器矩阵。按照本实施例的射频滤波器设置模式，较上一实施例占据射频滤波器盒200的面积更少。
进一步地，所述绝缘板外围设置有一接地板，所述接地板连接有接地端。
进一步地，所述所述射频滤波器盒包括一绝缘板，所述绝缘板上具有第四通孔，所述第四通孔和所述铁氧体上的第二通孔以及所述绝缘块上的第三通孔可以通过一螺钉穿过并固定。
进一步地，所述绝缘板外围设置有一接地板，所述接地板连接有接地端。
进一步地，所述射频滤波器的直径的取值范围为30mm~60mm。
进一步地，所述射频滤波器组成的射频滤波器组的宽度和长度的取值范围分别为30mm~90mm和60mm~200mm。
进一步地，所述铁氧体的厚度取值范围为10mm~20mm，所述绝缘块的厚度的取值范围为5mm~15mm。
本实用新型第二方面还提供了一种用于真空处理装置的射频滤波器盒，其特征在于，所述射频滤波器盒包括前文所述的射频滤波器。
本实用新型第三方面提供了一种真空处理装置，其特征在于，所述射频滤波器包括前文所述的射频滤波器盒。
本实用新型提供的射频滤波器在真空处理装置中的射频滤波器盒中的排布方式，能够在充分安全隔离的前提下极大地节省腔室内空间，节约了人力物力。
尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本实用新型的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种用于真空处理装置的射频滤波器，其中，所述真空处理装置包括一腔室，在腔室的下方包括一容纳有若干射频滤波器的射频滤波器盒，所述射频滤波器至少包括一圆环状铁氧体，所述铁氧体上缠绕有线圈，其特征在于：
所述若干射频滤波器两两重叠放置，在两个所述射频滤波器之间还放置有绝缘块，其中，所述绝缘块的两个表平面分别接触于该两个射频滤波器的一表平面。
2.根据权利要求1所述的射频滤波器，其特征在于，所述射频滤波器盒包括一绝缘板，在该绝缘板上竖直固定有第一挡板和第二挡板，所述第一挡板和所述第二挡板上具有若干第一通孔，所述第一通孔和所述铁氧体上的第二通孔以及所述绝缘块上的第三通孔可以通过一螺钉穿过并固定。
3.根据权利要求2所述的射频滤波器，其特征在于，所述绝缘板外围设置有一接地板，所述接地板连接有接地端。
4.根据权利要求1所述的射频滤波器，其特征在于，所述所述射频滤波器盒包括一绝缘板，所述绝缘板上具有第四通孔，所述第四通孔和所述铁氧体上的第二通孔以及所述绝缘块上的第三通孔可以通过一螺钉穿过并固定。
5.根据权利要求4所述的射频滤波器，其特征在于，所述绝缘板外围设置有一接地板，所述接地板连接有接地端。
6.根据权利要求1所述的射频滤波器，其特征在于，所述射频滤波器的直径的取值范围为30mm~60mm。
7.根据权利要求1所述的射频滤波器，其特征在于，所述射频滤波器组成的射频滤波器组的宽度和长度的取值范围分别为30mm~90mm和60mm~200mm。
8.根据权利要求1所述的射频滤波器，其特征在于，所述铁氧体的厚度取值范围为10mm~20mm，所述绝缘块的厚度的取值范围为5mm~15mm，所述射频滤波器之间的距离的取值范围为5mm~10mm。
9.一种用于真空处理装置的射频滤波器盒，其特征在于，所述射频滤波器盒包括权利要求1至8任一项所述的射频滤波器。
10.一种真空处理装置，其特征在于，所述射频滤波器包括权利要求9所述的射频滤波器盒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN 201220445178 CN202771895U (zh) | 2012-09-03 | 2012-09-03 | 一种真空处理装置及其射频滤波器、射频滤波器盒 |
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| CN 201220445178 CN202771895U (zh) | 2012-09-03 | 2012-09-03 | 一种真空处理装置及其射频滤波器、射频滤波器盒 |
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| CN202771895U true CN202771895U (zh) | 2013-03-06 |
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| CN 201220445178 Expired - Lifetime CN202771895U (zh) | 2012-09-03 | 2012-09-03 | 一种真空处理装置及其射频滤波器、射频滤波器盒 |
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| CN (1) | CN202771895U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106057404A (zh) * | 2015-04-15 | 2016-10-26 | Ls产电株式会社 | 用于电动车辆的车载充电器的电感器组件 |
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2012
- 2012-09-03 CN CN 201220445178 patent/CN202771895U/zh not_active Expired - Lifetime
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: Vacuum treatment device and radio-frequency filter of vacuum treatment device and radio-frequency filter box thereof Effective date of registration: 20150202 Granted publication date: 20130306 Pledgee: China Development Bank Co. Pledgor: ADVANCED MICRO FABRICATION EQUIPMENT Inc. SHANGHAI Registration number: 2009310000663 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20170809 Granted publication date: 20130306 Pledgee: China Development Bank Co. Pledgor: ADVANCED MICRO FABRICATION EQUIPMENT Inc. SHANGHAI Registration number: 2009310000663 |
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| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong New Area, Shanghai Patentee after: China micro semiconductor equipment (Shanghai) Co.,Ltd. Address before: 201201 No. 188 Taihua Road, Jinqiao Export Processing Zone, Pudong New Area, Shanghai Patentee before: ADVANCED MICRO FABRICATION EQUIPMENT Inc. SHANGHAI |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20130306 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |