CN202759260U - 一种充电电路及终端设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种充电电路及终端设备，包括：充电管理电路、旅行充电器充电接口电路、座式充电器充电接口电路，座式充电器充电接口电路的正极连接第一场效应管的漏极，第一场效应管的源极与旅行充电器充电接口电路的正极连接，并连接到充电管理电路的充电电压输入端，充电管理电路的电池电压输入端与电池的正极连接，第一场效应管的栅极、旅行充电器充电接口电路的负极、座式充电器充电接口电路的负极相连，并连接到电池的负极。本实用新型的充电电路，相对于采用二极管而言，导通压降小，充电速度快，且充电过程中不易发生充电MOSFET关断，能够保证在不同电池电压下充电电路的充电电流最大。

Description

一种充电电路及终端设备

技术领域

本实用新型涉及电源保护电路，尤其涉及一种充电电路及终端设备。

背景技术

如图1所示，防反插电路是一种当输入电源的正极和负极接反时，即“防反插电路”的电源输入正极为负电压时，电源输出为0V或接近0V的电路，以保护“防反插电路”的电源输出所接的负载电路不被损坏。

如图2(A)所示，防倒灌电路是一种在输入端并联电压表，防倒灌电路的输出加一稳压电源(例如稳压电源的输出为4.0V)时，电压表读数为0V或接近0V的电路；如图2(B)所示，在防倒灌电路的输出端串联一电流表，防倒灌电路的输出加一稳压电源(例如稳压电源的输出为4.0V)时，电流表的读数小于100uA。

目前，大部分手机都有旅行充电器充电接口(简称旅充接口)和座式充电器充电接口(简称座充接口)；旅充接口连接电脑USB或旅行充电器，座充接口连接座式充电器。通常情况下，旅行充电器、座式充电器、电脑USB的输出电压的最小值为4.75V。

手机的座充接口通常为两个管脚(两个簧片)：座充接口的正极和座充接口的负极；手机的旅充接口通常为Mini-USB或Micro-USB接口。

通常情况下，手机的旅充接口和座充接口共用一个充电电路，如附图3所示；附图3中，充电管理模块通过比较“充电电压输入(VCHG)”和“电池电压输入(VBAT)”来实现对充电MOSFET的导通关断。

当VCHG-VBAT＜＝Removal Detection，充电MOSFET关断；

当VCHG-VBAT＞Removal Detection，充电MOSFET导通，充电电流从充电设备通过充电MOSFET流向电池，实现对电池的充电。

Removal Detection为充电器拔出检测电压，该电压值一般在几十毫伏；高通手机平台上面，Removal Detection最大值为90mV；图3中的充电MOSFETQ1可以在充电管理芯片内部，也可以在充电管理芯片外部。

图3中，旅充接口的正极和座充接口的正极相连，旅充接口的负极、座充接口的负极和手机地相连；由于大部分手机的座充接口的正极和座充接口的负极都是裸露在手机外面的，座充接口的正机和负极容易接反(即座充接口的正极上出现负电压)，当接反时，充电管理芯片的VCHG管脚容易损坏；此外，图3中，当电脑USB通过旅充接口给手机充电时，如果用户不小心把座充接口的正极和座充接口的负极短路，电脑USB接口的正极和负极就会短路，就会造成电脑USB损坏，且影响手机正常充电：短路时，VCHG电压为0V，充电停止。

因此，手机的座充接口上面需要加一个防反插防倒灌电路，如附图4所示；附图4中，在座充接口的正极和充电管理芯片的VCHG上加了一个肖特基二极管(D1)，该肖特基二极管能实现座充充电接口上防反插防倒灌功能。

为说明问题，附图4中定义符号如下：

U_{DESK_CHG}：座式充电器的输出电压；由于座充充电器输出电压的最小值为4.75V，此处假定U_{DESK_CHG}电压为4.75V。

I_CHG：手机充电电流，指通过充电MOSFET Q1的电流；

U_Q1：充电MOSFET Q1充电时两端的压降；

R_Q1：充电MOSFET完全饱和导通时对应的阻抗，此处假定R_Q1为0.4ohm；

R_PCB：座充与手机接触阻抗及充电PCB线路阻抗之和，此处假定R_PCB为0.2ohm；

U_D1：附图4中，肖特基二极管D1的压降，此处假定U_D1为0.4V。

VBAT：电池电压。

附图4中，当座充接口连接座式充电器进行充电时，肖特基二极管D1的存在会带来两个问题：

问题1：肖特基二极管D1的存在会减小手机的充电电流，延长手机的充电时间。

当电池电压一定时，如果充电MOSFET Q1完全饱和导通时(对应Q1的导通阻抗为0.4ohm)，充电电流达最大。

当座充接口电路不串联肖特基二极管D1时(如附图3所示)，不同电池电压下最大充电电流计算如下：

I_CHG＝(U_{DESK_CHG}-VBAT)/(R_Q1+R_PCB)

＝(4.75-VBAT)/(0.4+0.2)＝(4.75-VBAT)/0.6        (1)

当座充接口电路里面有二极管时(如附图4所示)，不同电池电压下最大充电电流计算如下：

I_CHG＝(U_{DESK_CHG}-VBAT-U_D1)/(R_Q1+R_PCB)

＝(4.75-VBAT-0.4)/(0.4+0.2)＝(4.35-VBAT)/0.6    (2)

根据公式(1)和公式(2)可计算出不同电池电压下的最大充电电流，如表1所示为两种座充电路的最大充电电流的计算：

表1

由表1可知，附图4中，座充接口电路里面肖特基二极管D1的存在，会减小充电电流，并延长充电时间。

问题2：肖特基二极管D1的存在会使充电过程中充电MOSFET发生关断，进而使电池手机充不满电。

根据公式(2)，当座充接口电路存在二极管时，在电池电压接近4.2V时，假定充电MOSFET Q1完全饱和导通，充电MOSFET两端的静态压降计算如下：

U_Q1＝I_CHG*R_Q1＝0.25*0.4＝0.1V＝100mV

充电MOSFET两端的静态压降和Removal Detection(最大为90mV)比较接近，当手机开机充电过程中，由于手机经常搜网，在充电回路电路对应的电感上会产生较大压降，这样会使充电MOSFET Q1两端压降容易小于Removal Detection，造成充电MOSFET关断，导致手机充不满电。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种充电电路及终端设备，能够在实现防反插防倒灌的情况下，避免充电不满的情况，并且不会延长充电时间。

为解决上述技术问题，本实用新型的一种充电电路，包括：充电管理电路、旅行充电器充电接口电路、座式充电器充电接口电路，所述座式充电器充电接口电路的正极连接第一场效应管的漏极，第一场效应管的源极与旅行充电器充电接口电路的正极连接，并连接到充电管理电路的充电电压输入端，所述充电管理电路的电池电压输入端与电池的正极连接，所述第一场效应管的栅极、旅行充电器充电接口电路的负极、座式充电器充电接口电路的负极相连，并连接到电池的负极。

进一步地，在所述第一场效应管的漏极和栅极之间还连接有串联的二极管和第一电阻。

进一步地，在所述第一场效应管的漏极与电池负极之间还连接有串联的第二电阻和第三电阻。

进一步地，在所述第一场效应管的栅极与电池的负极之间还连接有第二场效应管，所述第一场效应管的栅极连接所述第二场效应管的漏极，第二场效应管的源极与电池的负极连接，第二场效应管的栅极与第二电阻和第三电阻的连接点相连接。

进一步地，在所述第二场效应管的栅极与第二电阻和第三电阻的连接点之间还连接有第四电阻。

进一步地，在所述第四电阻与第二场效应管的栅极的连接点与电池的负极之间还连接有电容。

进一步地，所述第一场效应管为P沟道场效应管，所述第二场效应管为N沟道场效应管。

进一步地，所述第一电阻的阻值大于80千欧小于400千欧。

进一步地，所述第二电阻和第三电阻的和小于等于100千欧，第三电阻比第二电阻的值大于等于0.61。

进一步地，一种终端设备，包括充电电路，所述充电电路包括：充电管理电路、旅行充电器充电接口电路、座式充电器充电接口电路，所述座式充电器充电接口电路的正极连接第一场效应管的漏极，第一场效应管的源极与旅行充电器充电接口电路的正极连接，并连接到充电管理电路的充电电压输入端，所述充电管理电路的电池电压输入端与电池的正极连接，所述第一场效应管的栅极、旅行充电器充电接口电路的负极、座式充电器充电接口电路的负极相连，并连接到电池的负极。

综上所述，本实用新型的充电电路，相对于采用二极管而言，导通压降小，充电速度快，且充电过程中不易发生充电MOSFET关断，能够保证在不同电池电压下充电电路的充电电流最大。

附图说明

图1为现有技术中的防反插电路的电路图；

图2(A)为现有技术中的一种防倒灌电路的电路图；

图2(B)为现有技术中的另一种防倒灌电路的电路图；

图3为现有技术中的手机旅充接口和座充接口的充电电路的电路图；

图4为现有技术中的座充接口上利用二极管实现防反插防倒灌的充电电路的电路图；

图5为本实施方式的座充接口利上采用MOSFET实现防反插防倒灌功能的充电电路的电路图。

具体实施方式

本实用新型针对现有用肖特基二极管实现防反插防倒灌电路由于二极管的压降引起的充电速度慢及电池充不满的问题，提出一种用场效应管(MOSFET)替代肖特基二极管实现防反插防倒灌功能的方案。对手机而言，主要应用在手机的充电保护电路中。

如图5所示，本实施方式的充电电路，包括：充电管理电路、旅行充电器充电接口电路、座式充电器充电接口电路，座式充电器充电接口电路的正极连接第一场效应管的漏极D，第一场效应管的源极S与旅行充电器充电接口电路的正极连接，并连接到充电管理电路的充电电压输入端，充电管理电路的电池电压输入端与电池的正极连接，第一场效应管的栅极G、旅行充电器充电接口电路的负极、座式充电器充电接口电路的负极相连，并连接到电池的负极。

充电管理电路包括充电管理芯片和充电MOSFET。

在第一场效应管的漏极D和栅极G之间还连接有串联的二极管和第一电阻R1。

在第一场效应管的漏极D与电池负极之间还连接有串联的第二电阻R2和第三电阻R3，串联的第二电阻R2和第三电阻R3与座式充电器充电接口电路之间形成并联关系。

在第一场效应管的栅极G与电池的负极之间还连接有第二场效应管，第一场效应管的栅极G连接第二场效应管的漏极D，第二场效应管的源极S与电池的负极连接，第二场效应管的栅极G与第二电阻R2和第三电阻R3的连接点相连接。

在第二场效应管的栅极G与第二电阻R2和第三电阻R3的连接点之间还连接有第四电阻R4。在第四电阻R4与第二场效应管的栅极G的连接点与电池的负极之间还连接有电容C1。

第一场效应管为P沟道场效应管，第二场效应管为N沟道场效应管。

为说明问题方便，定义符号如下：

U_{Q2_DS}：手机座充接口电路连接座式充电器充电时，P沟道MOSFET Q2的漏极和源极两端的压降。

U_{Q2_SG}：P沟道MOSFET Q2的源极相对于栅极的电压；

U_{Q2_SG(TH)}：P沟道MOSFET Q2的开启电压，该参数通常在一个范围区间内；通常情况下，该范围围区的最小值不低于0.4V，最大值不超过1.8V。

I_{Q2_DSS}：当P沟道MOSFET Q2处于关断状态时，从源极到漏极的漏电流；通常情况下，所选取MOSFET的漏电流最大为1uA。

R_{Q2_DS(ON)}：P沟道MOSFET Q2的导通阻抗，该方案中，通常所选择的P沟道MOSFET Q2的导通阻抗为0.1ohm。

U_{Q3_GS}：N沟道MOSFET Q3的栅极相对于源极的电压；

U_{Q3_GS(TH)}：N沟道MOSFET Q3的开启电压，该参数通常在一个范围区间内；通常情况下，该范围围区的最小值不低于0.4V，最大值不超过1.8V。

I_{Q3_DSS}：当N沟道MOSFET Q3处于关断状态时，从漏极到源极的的漏电流；通常情况下，所选取MOSFET的漏电流最大为1uA。

R_{Q3_DS(ON)}：N沟道MOSFET Q3的导通阻抗；通常情况下，所选取的N沟道MOSFET的导通阻抗通常不超过100ohm。

对于P沟道MOSFET Q2，当U_{Q2_SG}＜U_{Q2_SG(TH)}，Q2处于关断状态；当U_{Q2_SG}＞＝U_{Q2_SG(TH)}，P沟道MOSFET Q2处于导通状态；

对于N沟道MOSFET Q3，当U_{Q3_GS}＜U_{Q3_GS(TH)}，N沟道MOSFET Q3处于关断状态；当U_{Q3_GS}＞＝U_{Q3_GS(TH)}，N沟道MOSFET Q3处于导通状态。

当N沟道MOSFET Q3处于关断状态时，P沟道MOSFET Q2也处于关断状态；当N沟道MOSFET Q3处于导通状态时，P沟道MOSFET Q3也处于导通状态；R4为N沟道MOSFET Q3的限流电阻，起保护作用，且R4和C1构成滤波电路，消除充电信号带来的纹波；根据实际调试，C1可以不贴，R4可以为0ohm。

下面分四种情况说明本实施方式充电电路的防反插防倒灌的工作原理：

(1)手机旅充接口电路不连接旅行充电器或者电脑USB，手机座充接口电路不连接座式充电器。

U_{Q3_GS}＝0V＜U_{Q3_GS(TH)}               (1)

Q3处于关断状态，此时U_{Q2_SG}计算如下：

U_{Q2_SG}＝I_{Q3_DSS}*R1                   (2)

R1的电阻要满足以下公式(3)，能确保当Q3处于关断状态时，Q2也处于关断状态；

U_{Q2_SG}＝I_{Q3_DSS}*R1＜U_{Q2_SG}(TH)                     (3)

(2)手机旅充接口电路连接旅行充电器或者电脑USB时，手机座充接口电路不连接座式充电器。

当手机旅充接口电路连接旅行充电器或者电脑USB时，由于P沟道MOSFETQ2默认状态为关断状态，此时从Q2的源极到漏极之间有一漏电流I_{Q2_DSS}，该电流要流经R2和R3，此时Q3上栅极和源极的电压计算如下：

U_{Q3_GS}＝I_{Q2_DSS}*R₃                                 (4)

R3的取值要满足以下公式(5)，就能确保N沟道MOSFET Q3处于关断状态：

U_{Q3_GS}＝I_{Q2_DSS}*R₃＜U_{Q3_GS(TH)}                     (5)

Q3处于关断状态，Q2也就处于关断状态。

此时，座充接口电路的正极和负极的电压计算如下：

U_{DESK_CHG}＝(R2+R3)*I_{Q2_DSS}                         (6)

只要R2、R3取值合适，座充接口电路处电压就会接近0V。

此时，如果把座充接口电路的正极和负极短接，U_{Q3_GS}电压为0V，Q2和Q3处于关断状态，手机充电接口处电源正极向座充接口电路的正极的电流为I_{Q2_DSS}(I_{Q2_DSS}通常小于uA)；这说明，图5所示的电路，能实现防倒灌功能。

(3)手机旅充接口电路不连接充电器或者电脑USB，手机座充接口电路连接座式充电器，且座式充电器插反；

此时，座充接口电路的正极对座充接口电路的负极的电压为负值，对应N沟道MOSFETQ3的U_{Q3_GS}也为负值，Q3不导通，Q2也不导通，此时Q2的寄生二极管也处于反偏状态，座充接口电路的负电压不会加到充电管理芯片的VCHG上，VCHG的电压仍为0V；因此，能实现防反插功能。

(4)手机旅充接口电路不连接充电器或者电脑USB，手机座充接口电路连接座式充电器，且座充接口电路的正极和负极的极性未插反；

当满足以下公式(7)时，N沟道MOSFET Q3导通：

U_{Q3_GS}＝U_{DESK_CHG}*R3/(R2+R3)＞U_{Q3_GS(TH)}      (7)

当Q3导通后，U_{Q2_SG}电压计算如下：

U_{Q2_SG}＝(U_{DESK_CHG}-0.7)*R1/(R1+R_{Q3_DS(ON)})    (8)

在公式(8)中，0.7为P沟道MOSFET Q2的寄生二极管的压降。

当U_{Q2_SG}满足公式(9)，P沟道MOSFET Q2就会导通，此时Q2相当于一个阻抗很小的电阻。

U_{Q2_SG}＝(U_{DESK_CHG}-0.7)*R1/(R1+R_{Q3_DS(ON)})＞U_{Q3_GS(TH)}      (9)

当P沟道MOSFET导通时，P沟道MOSFET Q2两端的压降计算如下：

U_{Q2_SG}＝(U_{DESK_CHG}-I_CHG*R_{Q2_DS(ON)})*R1/(R1+R_{Q3_DS(ON)})

≈U_{DESK_CHG}*R1/(R1+R_{Q3_DS(ON)})                (10)

当P沟道MOSFET导通时，用座充充电器的充电电流计算如下：

I_CHG＝(U_{DESK_CHG}-VBAT)/(R_Q2+R_Q1+R_PCB)

＝(4.75-VBAT)/(0.1+0.4+0.2)＝(4.75-VBAT)/0.7(11)

P沟道MOSFET Q2两端压降计算如下：

U_{Q2_DS}＝I_CHG*R_{Q2_DS(ON)}                     (12)

当充电电流为500mA，Q2导通阻抗为0.1ohm时，Q2两端压降U_{Q2_DS}只有50mV。

假设要在座充接口电路里面采用本实施方式所提供的方案实现防反插防倒灌，旅行充电器、电脑USB、座式充电器输出的最小电压为4.75V，按下列步骤将本实施方式所描述的实际方案转化为电路。

Step 1：选择一P沟道MOSFET和N沟道MOSFET，P沟道MOSFET的导通阻抗(U_{Q2_SG}＝4.5V)的典型值在0.1ohm左右，最大值不超过0.2ohm；N沟道MOSFET的导通阻抗(U_{Q3_GS}＝1.8V)的最大值不超过100ohm；N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的漏电流最大值均小于1uA；

所选取的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的开启电压范围为0.4～1.8V。

Step 2：选择P沟道MOSFET的偏置电阻R1，如前所述，P沟道MOSFET的开启电压最小值为0.4V，最大值为1.8V；

当N沟道MOSFET Q2处于关断状态时，应保证P沟道MOSFET也处于关断状态，需满足如下条件：

R1*I_{Q2_DSS}＜＝R1*1uA＜0.4V      (13)

由公式(12)可得，

R1＜400k                        (14)

当N沟道MOSFET Q3处于导通状态时，应保证P沟道MOSFET Q2也处于导通状态，R1的取值需满足如下条件：

R1*(4.75-0.7)/(R1+R_{Q2_DS(ON)})＞＝R1*(4.75-0.7)/(R1+100)＞1.8    (15)

有公式(15)，可计算出

R1＞80k                         (16)

因此，R1的取值范围为：

80＜R1＜400k                    (17)

Step 3：计算R2和R3的电阻值；

当手机充电接口连接旅行充电器或者电脑USB时，要保证座充接口正极相对座充接口负极小于0.1V，且N沟道MOSFET Q3处于关断状态，需满足公式(18)和公式(19)：

(R2+R3)*I_{Q2_DSS}＜＝(R2+R3)*1uA＜0.1V       (18)

R3*I_{Q2_DSS}＜0.4V                (19)

由公式(18)和公式(19)可知：

R2+R3＜＝100k                   (20)

当手机座充接口连接座式充电器后，手机座充接口电路的正极相对于座充接口电路的负极的电压为4.75V，R2和R3满足下列条件能保证N沟道MOSFET Q2饱和导通：

R3*4.75/(R2+R3)＞＝1.8     (21)

由公式(19)可得：

R3/R2＞＝0.610             (22)

根据公式(20)和公式(22)可以选择R2和R3的阻值。

现有的防反插防倒灌电路主要在充电电路里面加一肖特基二极管，但充电过程中，充电电流在该肖特基二极管上会引起比较大的电压，一般肖特基二极管在通过500mA电流时，其压降在0.4V左右。

本实施方式的充电保护电路利用一N沟道MOSFET和P沟道MOSFET来防止座充电路反插，在充电过程中，P沟道MOSFET Q2的导通压降比较小。当P沟道MOSFET Q2的导通阻抗为0.1ohm时，当充电电流为500mA时，P沟道MOSFET Q2上的导通阻抗只有50mV。

本实施方式实现防反插电路防倒灌电路，相对于二极管而言，导通压降小，充电速度快，且充电过程中不易发生充电MOSFET关断；根据公式(1)、公式(2)、公式(11)，可计算出不同电池电压下三种充电电路的最大充电电流，如表2中三种座充充电电路的最大充电电流计算：

表2

本实施方式还提供了一种终端设备，包括充电电路，充电电路包括：充电管理电路、旅行充电器充电接口电路、座式充电器充电接口电路，座式充电器充电接口电路的正极连接第一场效应管的漏极，第一场效应管的源极与旅行充电器充电接口电路的正极连接，并连接到充电管理电路的充电电压输入端，充电管理电路的电池电压输入端与电池的正极连接，第一场效应管的栅极、旅行充电器充电接口电路的负极、座式充电器充电接口电路的负极相连，并连接到电池的负极。

充电管理电路包括充电管理芯片和充电MOSFET。

在第一场效应管的漏极D和栅极G之间还连接有串联的二极管和第一电阻R1。

在第一场效应管的漏极D与电池负极之间还连接有串联的第二电阻R2和第三电阻R3，串联的第二电阻R2和第三电阻R3与座式充电器充电接口电路之间形成并联关系。

在第一场效应管的栅极G与电池的负极之间还连接有第二场效应管，第一场效应管的栅极G连接第二场效应管的漏极D，第二场效应管的源极S与电池的负极连接，第二场效应管的栅极G与第二电阻R2和第三电阻R3的连接点相连接。

在第二场效应管的栅极G与第二电阻R2和第三电阻R3的连接点之间还连接有第四电阻R4。在第四电阻R4与第二场效应管的栅极G的连接点与电池的负极之间还连接有电容C1。

第一场效应管为P沟道场效应管，第二场效应管为N沟道场效应管。

显然，本领域的技术人员应该明白，上述的本发明的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本发明不限制于任何特定的硬件和软件结合。

以上该仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种充电电路，其特征在于，包括：充电管理电路、旅行充电器充电接口电路、座式充电器充电接口电路，所述座式充电器充电接口电路的正极连接第一场效应管的漏极，第一场效应管的源极与旅行充电器充电接口电路的正极连接，并连接到充电管理电路的充电电压输入端，所述充电管理电路的电池电压输入端与电池的正极连接，所述第一场效应管的栅极、旅行充电器充电接口电路的负极、座式充电器充电接口电路的负极相连，并连接到电池的负极。

2.如权利要求1所述的充电电路，其特征在于，在所述第一场效应管的漏极和栅极之间还连接有串联的二极管和第一电阻。

3.如权利要求2所述的充电电路，其特征在于，在所述第一场效应管的漏极与电池负极之间还连接有串联的第二电阻和第三电阻。

4.如权利要求3所述的充电电路，其特征在于，在所述第一场效应管的栅极与电池的负极之间还连接有第二场效应管，所述第一场效应管的栅极连接所述第二场效应管的漏极，第二场效应管的源极与电池的负极连接，第二场效应管的栅极与第二电阻和第三电阻的连接点相连接。

5.如权利要求4所述的充电电路，其特征在于，在所述第二场效应管的栅极与第二电阻和第三电阻的连接点之间还连接有第四电阻。

6.如权利要求5所述的充电电路，其特征在于，在所述第四电阻与第二场效应管的栅极的连接点与电池的负极之间还连接有电容。

7.如权利要求4所述的充电电路，其特征在于，所述第一场效应管为P沟道场效应管，所述第二场效应管为N沟道场效应管。

8.如权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值大于80千欧小于400千欧。

9.如权利要求3所述的充电电路，其特征在于，所述第二电阻和第三电阻的和小于等于100千欧，第三电阻比第二电阻的值大于等于0.61。

10.一种终端设备，其特征在于，包括充电电路，所述充电电路包括：充电管理电路、旅行充电器充电接口电路、座式充电器充电接口电路，所述座式充电器充电接口电路的正极连接第一场效应管的漏极，第一场效应管的源极与旅行充电器充电接口电路的正极连接，并连接到充电管理电路的充电电压输入端，所述充电管理电路的电池电压输入端与电池的正极连接，所述第一场效应管的栅极、旅行充电器充电接口电路的负极、座式充电器充电接口电路的负极相连，并连接到电池的负极。

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