CN202719330U - 防腐防沉积的真空管道和具有它的微电子设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出了一种真空管道，包括：管体，所述管体的壁上设有用于向所述管体内供给保护气体以避免在所述管体内输送的物料腐蚀所述管体的内壁和/或沉积在所述内壁上的供气孔。根据本实用新型实施例的真空管道，管体上设置有供气孔可向管体内供给保护气体，从而可以在管体的内壁上形成有一层保护气膜，进而避免了在管体内输送的物料腐蚀管体的内壁和/或沉积在管体的内壁上，可提高管体的使用寿命，降低成本。本实用新型还提出了一种具有上述真空管道的微电子设备。
Description
技术领域
本实用新型涉及微电子设备领域，尤其是涉及一种防腐防沉积的真空管道和具有它的微电子设备。
背景技术
在微电子设备中，具有很多真空设备，涉及到各种各样的工艺，比如等离子刻蚀、沉积、去胶等。在很多工艺中，工艺副产物有腐蚀性或者很容易沉积到其他部件上。由于相关的工艺气体或副产物具有腐蚀性，以刻蚀工艺为例，工艺气体一般含有Cl，HBr等，很容易和真空管道内的管壁发生反应，腐蚀真空管壁。如果为沉积工艺，相关工艺气体和副产品很容易沉积在真空管道管壁上，如Si3N4沉积工艺时，Si3N4很容易沉积在真空管道管壁上。目前一般是把真空管道加热，防止工艺副产物或工艺气体和真空管道反应或沉积，使得工艺副产物和工艺气体尽快被抽出，但有时候温度过高，特定的工艺可能会加快和真空管道的反应，效果不是很好。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
为此，本实用新型的一个目的在于提出一种真空管道，该真空管道可避免物料腐蚀和/或沉积在管体的内壁上。
本实用新型的另一个目的在于提出一种具有上述真空管道的微电子设备。
根据本实用新型第一方面的真空管道，包括：管体，所述管体的壁上设有用于向所述管体内供给保护气体以避免在所述管体内输送的物料腐蚀所述管体的内壁和/或沉积在所述内壁上的供气孔。
根据本实用新型的真空管道，管体上设置有供气孔可向管体内供给保护气体，从而可以管体的内壁上形成有一层保护气膜，进而避免了在管体内输送的物料腐蚀管体的内壁和/或沉积在管体的内壁上，可提高管体的使用寿命，降低成本。
根据本实用新型，所述真空管道进一步包括分配管，所述分配管设在所述管体内且在所述管体与所述分配管之间形成分配空间，所述分配管的管壁上设有用于将从所述供气孔供给到所述分配空间内的保护气体分配到所述分配管内的多个分配孔。由此，通过设置有分配管可使得保护气体在管体的内壁上分布更加均匀，且通过设置有分配孔可使得保护气体均匀的分布在分配管的内壁上，可避免物料腐蚀分配管的内壁和/或沉积在分配管的内壁上，且保证了管体内壁的洁净。
进一步地，所述管体与所述分配管同轴设置。从而，可保证保护气体均匀分布在分配空间内。
优选地，所述多个分配孔布置成多个直线阵列，所述多个直线阵列平行沿所述分配管的轴向延伸且沿所述分配管的周向间隔设置。由此，保证了保护气体可均匀的分布在分配空间和分配管的内壁上。
优选地，所述多个分配孔布置成多个阵列，每个阵列内的分配孔绕所述分配管的轴向螺旋分布。由此，保证了保护气体可均匀的分布在分配空间和分配管的内壁上。
优选地，所述分配孔均匀地分布在所述分配管上。由此，保证了保护气体可均匀的分布在分配空间和分配管的内壁上。
优选地，所述保护气体为惰性气体。
根据本实用新型第二方面的微电子设备，包括：反应室，所述反应室具有进气口和出气口；工艺气体输送装置，所述工艺气体输送装置与所述反应室的进气口相连，用于向所述反应室内输送工艺气体；真空管道，所述真空管道为根据本实用新型第一方面的真空管道，所述真空管道与所述反应室的出气口相通；和真空泵，所述真空泵与所述真空管道相连。
根据本实用新型的微电子设备，通过设置有真空管道，真空管道内通入保护气体从而在管体的内壁上形成有保护膜，避免反应生成物腐蚀管体的内壁和/或沉积在管体的内壁上，使得反应生成物可尽快被真空泵抽出并排放到微电子设备的外部，从而提高真空管道的使用寿命，进而降低成本，延长微电子设备的使用寿命。
优选地，所述微电子设备进一步包括隔离阀和压力控制阀，所述隔离阀和所述压力控制阀分别设置在所述真空管道的管体上。
可选地，所述微电子设备为CVD设备或PECVD设备。
根据本实用新型的微电子设备，可有效的避免反应生成物腐蚀真空管道的管体的内壁和/或沉积在管体的内壁上，从而提高了真空管道的使用寿命，降低了成本。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为根据本实用新型实施例的真空管道的立体示意图；
图2为图1所示的真空管道的主视示意图；
图3为图1所示的真空管道中的分配管的示意图；和
图4为根据本实用新型实施例的微电子设备的示意图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。此外，在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
下面参考图1-图4描述根据本实用新型实施例的真空管道100，该真空管道100可设置在微电子设备200上，微电子设备200内的反应生成物可通过真空管道100后被排出微电子设备200。
根据本实用新型实施例的真空管道100，如图1-图3所示，包括：管体1，管体1的壁上设有用于向管体1供给保护气体以避免在管体1内输送的物料腐蚀管体1的内壁和/或沉积在内壁上的供气孔10。供气孔10可与保护气体供给装置（图未示出）相连以向管体1内供给保护气体。优选地，保护气体为惰性气体。
根据本实用新型实施例的真空管道100，管体1上设置有供气孔10可向管体1内供给保护气体，从而可以管体1的内壁上形成一层保护气膜，进而避免了在管体1内输送的物料腐蚀管体1的内壁和/或沉积在管体1的内壁上，可提高管体1的使用寿命，降低成本。
根据本实用新型的一些实施例，如图1-图3所示，真空管道100进一步包括分配管2，分配管2设在管体1内且在管体1与分配管2之间形成分配空间3，分配管2的管壁上设有用于将从供气孔10供给到分配空间3内的保护气体分配到分配管2内的多个分配孔20。进一步地，管体1和分配管2同轴设置。换言之，分配管2上设置有多个分配孔20，保护气体从供气口10进入到分配空间3内且一部分保护气体可从分配孔20进入到分配管2内，从而管体1的内壁上和分配管2的内壁上均形成有一层保护膜。由此，通过设置有分配管2可使得保护气体在管体1的内壁上分布更加均匀，且通过设置有分配孔20可使得保护气体均匀的分布在分配管2的内壁上，可避免物料腐蚀分配管2的内壁和/或沉积在分配管2的内壁上，且保证了管体1内壁的洁净。
如图3所示，在本实用新型的一个示例中，多个分配孔20布置成多个直线阵列，多个直线阵列平行沿分配管2的轴向延伸且沿分配管2的周向间隔设置。当然本实用新型不限于此，多个分配孔20还可布置成多个阵列，每个阵列内的分配孔20绕分配管2的轴向螺旋分布（图未示出）。分配孔20还可均匀地分布在分配管2上（图未示出）。由此，保证了保护气体可均匀的分布在分配空间3和分配管2的内壁上。
下面参考图1-图4描述根据本实用新型第二方面实施例的一种微电子设备200。根据本实用新型实施例的微电子设备200可为CVD设备或PECVD设备。
根据本实用新型实施例的微电子设备200，如图4所示，包括：反应室4、工艺气体输送装置5、真空管道100和真空泵6，其中，反应室4具有进气口（图未示出）和出气口40。工艺气体输送装置5与反应室4的进气口相连，用于向反应室4内输送工艺气体。真空管道100为根据本实用新型第一方面实施例的真空管道100，真空管道100与反应室4的出气口40相通。真空泵6与真空管道100相连。
在图4的示例中，反应室4内设置有上下间隔平行设置的上电极41和下电极42，上电极41和下电极42可与电源（图未示出）相连，从而可产生射频功率。
将待加工基片例如硅片放置在反应室4内进行加工，将反应室4控制在真空状态，工艺气体按照工艺需求以一定比例和流量从工艺气体输送装置5通过进气口进入到反应室4内，上电极41（或下电极42，或上电极41和下电极42同时）与电源相连产生射频功率，工艺气体在射频功率影响下离化为等离子，等离子在硅片表面进行化学反应而沉积在硅片表面，或者是通过和硅片表面物质反应而去除硅表面特定物质，反应生成物通过真空管道100由真空泵6抽出并排放到微电子设备200的外部。
根据本实用新型实施例的微电子设备200，通过设置有真空管道100，真空管道100内通入保护气体从而在管体1的内壁上形成有保护膜，避免反应生成物腐蚀管体1的内壁和/或沉积在管体1的内壁上，使得反应生成物可尽快被真空泵6抽出并排放到微电子设备200的外部，从而可提高真空管道100的使用寿命且降低成本，延长微电子设备200的使用寿命。
如图4所述，在本实用新型的一些实施例中，微电子设备200进一步包括隔离阀7和压力控制阀8，隔离阀7和压力控制阀8分别设置在真空管道100的管体1上。由此，通过设置压力控制阀8可将反应室4内的真空度控制到工艺要求，通过设置有隔离阀7，可以隔离反应室4和真空泵6，可以理解的上，由于压力控制阀8不能隔离反应室4和真空泵6，压力控制阀8作用时，隔离阀7需要打开。压力控制阀8是通过控制阀体内的阀板的开度控制反应室4的压力，因此设置隔离阀7可以避免真空泵6对反应室4的影响。
根据本实用新型实施例的微电子设备200，可有效的避免反应生成物腐蚀真空管道100的管体1的内壁和/或沉积在管体1的内壁上，从而提高了真空管道100的使用寿命，降低了成本。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种真空管道，其特征在于，包括：管体，所述管体的壁上设有用于向所述管体内供给保护气体以避免在所述管体内输送的物料腐蚀所述管体的内壁和/或沉积在所述内壁上的供气孔。
2.根据权利要求1所述的真空管道，其特征在于，进一步包括分配管，所述分配管设在所述管体内且在所述管体与所述分配管之间形成分配空间，所述分配管的管壁上设有用于将从所述供气孔供给到所述分配空间内的保护气体分配到所述分配管内的多个分配孔。
3.根据权利要求2所述的真空管道，其特征在于，所述管体与所述分配管同轴设置。
4.根据权利要求2所述的真空管道，其特征在于，所述多个分配孔布置成多个直线阵列，所述多个直线阵列平行沿所述分配管的轴向延伸且沿所述分配管的周向间隔设置。
5.根据权利要求2所述的真空管道，其特征在于，所述多个分配孔布置成多个阵列，每个阵列内的分配孔绕所述分配管的轴向螺旋分布。
6.根据权利要求2所述的真空管道，其特征在于，所述分配孔均匀地分布在所述分配管上。
7.根据权利要求1所述的真空管道，其特征在于，所述保护气体为惰性气体。
8.一种微电子设备，其特征在于，包括：
反应室，所述反应室具有进气口和出气口；
工艺气体输送装置，所述工艺气体输送装置与所述反应室的进气口相连，用于向所述反应室内输送工艺气体；
真空管道，所述真空管道为根据权利要求1-7中任一项所述的真空管道，所述真空管道与所述反应室的出气口相通；和
真空泵，所述真空泵与所述真空管道相连。
9.根据权利要求8所述的微电子设备，其特征在于，进一步包括隔离阀和压力控制阀，所述隔离阀和所述压力控制阀分别设置在所述真空管道的管体上。
10.根据权利要求8所述的微电子设备，其特征在于，所述微电子设备为CVD设备或PECVD设备。
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|---|---|---|---|---|
| CN110565161A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-12-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 尾气传输装置 |
| CN111396367A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-07-10 | 山东省章丘鼓风机股份有限公司 | 一种减阻抗磨渣浆泵蜗壳 |
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