CN202695687U - 高屏蔽性能半刚射频电缆 - Google Patents
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Abstract
本实用新型专利涉及一种高屏蔽性能半刚射频电缆，其特征在于：包括在镀银铜合金内导体外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层、铜管外导体构成。本实用新型的特点是：在绝缘层外，首先穿过一根铜管，然后经过拉拔，使铜管紧紧包覆在绝缘层外，这样电缆具有较高的屏蔽性能和使用频率。
Description
技术领域
本实用新型专利涉及一种高屏蔽性能半刚射频电缆，广泛使用在微波、射频设备和采用类似技术的高频、超高频电子装置中。
背景技术
目前在普遍使用的射频同轴电缆频率较低，且屏蔽性能不是很好。同时对于绝缘外径小于3mm的电缆外导体又不能进行焊接铜管。
发明内容
鉴于现有射频电缆存在的不足，本实用新型提供了一种高屏蔽性能半刚射频电缆。
本实用新型为实现上述目的。所采取的技术方案是：一种高屏蔽性能半刚射频电缆，其特征在于：包括在镀银铜合金内导体外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层、铜管外导体构成。
本实用新型的特点是：具有较高的屏蔽性能和使用频率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1 所示，一种高屏蔽性能半刚射频电缆，包括在镀银铜合金内导体1外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层2、铜管外导体3构成的同轴电缆；即在绝缘层外2，首先穿过一根铜管外导体3，然后经过拉拔，使铜管外导体3紧紧包覆在绝缘层2外，构成了同轴电缆。
Claims (1)
1.一种高屏蔽性能半刚射频电缆，其特征在于：包括在镀银铜合金内导体（1）外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层（2）、铜管外导体（3）构成。
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Cited By (2)
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| CN113724943B (zh) * | 2021-08-11 | 2023-09-26 | 广东速联科技术股份有限公司 | 一种半刚电缆制造工艺及半刚电缆 |
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Granted publication date: 20130123 Termination date: 20150518 |
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