CN202632965U - 变压器结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种变压器结构,包括骨架、磁芯、初级绕组、芯片辅助供电绕组、屏蔽绕组以及次级绕组,其中,屏蔽绕组被绕制在初级绕组和次级绕组之间,并在次级绕组绕制结束后,以两层胶带或三层胶带固定,磁芯置于骨架上相对应的孔洞中,并利用胶带固定,藉以形成变压器结构,初级绕组的两个线端分别连接到位于骨架的一端的骨架初级的两个接脚。本实用新型的变压器结构可减少变压器绕制的制程次数,大幅提高变压器生产效率,从而降低变压器的制作成本,并提高变压器的传导、共模噪声及辐射的余量。
Description
技术领域
本实用新型本实用涉及新型一种变压器结构,尤其是可应用于返驰式开关电源中。
背景技术
任何电子产品都需要电源才能正常运作,而所需的电源可由市电、电池、发电机、太阳能板等装置而供应,不过这类装置所供应的电源较不稳定,或电压、电流不适合,因此,常常需要开关电源以改善供应电源,尤其是返驰式开关电源,其中变压器更是开关电源产品的核心部件。因此,如何设计并制作出优良的变压器一直是产业界努力的目标。
合适的变压器结构在电源配套生产厂家中,一般需要花费大量的人力及财力来研发,以达到具有传导、共模噪声及辐射很大的余量,藉以带来巨大的经济效益。然而,市面上现有的开关变压器结构不仅复杂,且制程效率低,尤其是研发及生产人力成本高,且传导、共模噪声及辐射余量小,甚至一致性相当差。
因此,需要一种变压器结构,能简化变压器的绕制制程、节省绕制时间、并提高传导、共模噪声及辐射的余量,藉以解决上述现有技术的问题。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种变压器结构,包括骨架、磁芯、初级绕组、芯片辅助供电绕组、屏蔽绕组以及次级绕组,其中,屏蔽绕组是绕制在初级绕组和次级绕组之间,并在次级绕组绕制结束后,以两层胶带固定,磁芯是置于骨架上相对应的孔洞中,并利用胶带固定,藉以形成变压器结构,初级绕组的两个线端是分别连接到位于骨架的一端的骨架初级的两个接脚,而芯片辅助供电绕组及屏蔽绕组可位于同一层,或分别设置于相邻二层中。
本实用新型的变压器结构可减少变压器绕制的制程次数,大幅提高变压器生产效率,从而降低变压器的制作成本,并提高变压器的传导、共模噪声及辐射的余量。
附图说明
图1a显示本实用新型的变压器结构的示意图;
图1b显示本实用新型的变压器结构的另一实施例的示意图;以及
图2显示使用本实用新型的变压器结构的应用电路示意图。
具体实施方式
以下配合图式及组件符号对本实用新型的实施方式做更详细的说明,以使得本领域技术人员在研读本说明书后能据以实施。
参阅图1a,本实用新型变压器结构的示意图。如图1a所示,本实用新型的变压器结构包括骨架10、磁芯(图中未显示)、初级绕组N1、次级绕组N2、芯片辅助供电绕组N3/N31以及屏蔽绕组N4,其中骨架10包括初级骨架P及次级骨架S,用于分别供初级绕组N1及次级绕组N2绕制,且磁芯是置于骨架10上相对应的孔洞(图中未显示)中,并利用胶带固定,而芯片辅助供电绕组N3/N31为成对配置,芯片辅助供电绕组N3及N31具有相同的匝数,并位于不同层,且由初级绕组N1隔开。
初级绕组N1、芯片辅助供电绕组N3/N31、屏蔽绕组N4可用不种线径的漆包线而实施,次级绕组N2采用三层绝缘线,且芯片辅助供电绕组N31及屏蔽绕组N4绕制在初级绕组N1和次级绕组N2之间,而芯片辅助供电绕组N31及屏蔽绕组N4位于同一层,次级绕组N2置于变压器结构的最外层,并在次级绕组N2绕制结束后,以两层胶带或三层胶带T固定,藉以形成所需的变压器结构。图1a中的区域F是表示包含芯片辅助供电绕组N31的区域,用以区分开屏蔽绕组N4。因此,在变压器结构中,初级绕组N1、次级绕组N2、芯片辅助供电绕组N3/N31以及屏蔽绕组N4是相互间利用胶带T而隔离开。亦即,芯片辅助供电绕组N3被绕制在与初级绕组N1相邻的位置,并且屏蔽绕组N4被绕制在与次级绕组N2相邻的位置,且进一步屏蔽绕组N4被绕制在与初级绕组N1相邻的位置,并且芯片辅助供电绕组N31被绕制在与次级绕组N2相邻的位置。
在图1a中各个绕组的黑点“●”是表示起绕点。
参阅图1b,本实用新型的变压器结构的另一实施例的示意图。图1b的变压器结构类似于图1a的变压器结构,主要差异点在于,图1b的芯片辅助供电绕组N31及屏蔽绕组N4位于不同层,且利用胶带T隔离开。图1b实施例的其余特征相同于图1a,在此不再赘述。
为进一步说明本实用新型的特征,参阅图2的应用实例的电路示意图,其中该实例是为返驰式开关电源,主要包括安全保护1、交流整流电路2、输入EMI抑制及滤波3、返驰开关电路4、吸收电路5、输出整流滤波电路6以及吸收回路7。
安全保护1包括保险丝FUSE,提供安全保护作用,也可进一步连接压敏电阻以抗浪涌电压。交流整流电路2可包括二个二极管或一个二极管所组成的全波或半波整流,也可以是四个二极管组成的桥式整流器,而图2是以桥式整流器为范例。输入EMI抑制及滤波3可包括电感L1及L2、高压电解电容C1及C2,可并提供EMI抑制及滤波功能。L2及L1可以只用一个或以共模电感器代替。
返驰开关电路4包括本实用新型的变压器T1、开关晶体管Q1、电流检测电阻R9、启动电阻R2及R3及开关控制芯片U1,其中变压器T1(即图1a至图1b中所示)的初级绕组的两个线端P1及P2分别和吸收电路5中的总集电源Vbus和开关晶体管Q1的集极相连,次级绕组的两个线端A及B分别和输出整流滤波电路6中的输出整流二极管D7的正端以及输出滤波电容C6的接地端相连。
开关控制芯片U1可为驱动芯片,例如昂宝电子(上海)有限公司生产的OB2550或类似功能的控制芯片,且连接必要的外围辅助组件,比如电阻R7R8。开关控制芯片U1具有脉冲宽度调制(PWM)驱动功能,且可包含6只功能接脚,但不限于此。
输出整流滤波电路6包括两个主要部分:输出整流二极管D7和滤波电容C6、C8。针对不同的输出纹波要求,输出整流滤波电路6可以增加π型滤波电路或者共模滤波电路。吸收回路7可包括电容C3、电阻R6、以及二极管D6,尤其是可以根据不同的系统要求而变化,其主要目的在于抑制开关晶体管Q1的集极的电压尖峰值。
本实用新型的特点在于可减少变压器结构绕制的制程次数,大幅提高变压器生产效率,从而降低变压器的制作成本。本实用新型的另一特点在于变压器结构可提高变压器的传导、共模噪声及辐射的余量,并通过安全规范测试和EMI测试。
以上所述者仅为用以解释本实用新型的较佳实施例,并非企图据以对本实用新型做任何形式上的限制,因此,凡有在相同的实用新型精神下所作有关本实用新型的任何修饰或变更,皆仍应包括在本实用新型意图保护的范畴。
Claims (3)
1.一种变压器结构,包括骨架、磁芯、初级绕组、芯片辅助供电绕组、屏蔽绕组、以及次级绕组,其特征在于,所述芯片辅助屏蔽绕组被绕制在所述初级绕组和所述次级绕组之间,在所述次级绕组绕制结束后,以两层或三层胶带来固定,所述磁芯置于所述骨架上对应的孔中并用胶带固定,以便形成所述变压器结构,其中,所述初级绕组的两个线端分别连接到位于所述骨架的一端的初级骨架的两个接脚。
2.如权利要求1所述的变压器结构,其特征在于,所述芯片辅助供电绕组被绕制在与所述初级绕组相邻的位置。
3.如权利要求1所述的变压器结构,其特征在于,所述次级绕组采用三层绝缘线。
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