一种用来取代MR16卤钨灯的高压MR16LED灯
技术领域
本实用新型涉及LED灯领域,具体地,涉及一种用来取代MR16卤钨灯的高压MR16LED灯。
背景技术
MR16卤钨灯(MR16 Halogen Light Bulbs),大都是工作在交流低压(12V/AC)状态,需要一台低压、大电流输出的交流电源变压器,提供给光源并联使用;或者每个光源都需要带一个高频交流的电子变压器,将交流电源变换成高频低压(12V/AC)来使用。
MR16卤钨灯属于白炽灯范畴,光效低、发热量大,是一种高能耗的光源。但是,长期以来由于MR16卤钨灯外形小巧、色温好、使用方便等特点,获得了广泛的应用。
LED灯具有寿命长、光效高、无辐射、低功耗等特点。为了用高效的LED灯取代MR16卤钨灯,目前市场上出现的MR16 LED等,也都是工作在低压状态,即保留使用原先的交流电源变压器或电子变压器。但是这一类低压MR16 LED灯,都有一些共同的缺陷:谐波高、功率因数低、EMC处理成本高(或者根本不处理),而且不能用可控硅调光,不适宜集中大面积使用,因此无法替代现有的MR16卤钨灯,使用范围也受到一定的限制。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种适于集中大面积使用的、用来取代MR16卤钨灯的高压MR16 LED灯。
为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种用来取代MR16卤钨灯的高压MR16 LED灯,包括灯头、交流驱动芯片、LED COB灯板,其中:交流驱动芯片与灯头及LED COB灯板连接,LED COB灯板中的LED发光二极管由交流驱动芯片驱动。
进一步地,还包括由导热材料制成的灯杯,所述LED COB灯板安装在灯杯上,灯杯安装在灯头上。
进一步地,所述LED COB灯板的前端部还固定有汇聚透镜。
进一步地,所述交流驱动芯片包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲-电压比较模块和半导体场效应晶体管MOSFET,其中:第一个MOSFET的源极与地电位连接,栅极直接连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端,漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED发光二极管的串联线路上;其它MOSFET的源极通过能够等效为电阻的元件组与地电位连接,栅极连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于前一组缓冲-电压比较模块的输出端,漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED发光二极管的串联线路上;上述缓冲-电压比较模块的另一输入端与电压分配模块连接;电压输入模块的输出端还与LED发光二极管串联线路的起始端连接,并通过电压分配模块连接于地电位。
进一步地,所述电压输入模块为半导体场效应晶体管,其栅极与外部电压输入端连接,漏极经能够等效为电阻的元件组连接于地电位,源极即为电压输入模块的输出端。
进一步地,所述交流驱动芯片还包括功率因数校正电路,该功率因数校正电路为三极管,其集电极通过一个正向连接的二极管与电压输入模块的栅极连接、并通过电感与外部电压输入端连接,发射极通过反向连接的二极管与地电位连接。
进一步地,所述半导体场效应晶体管MOSFET为V型槽场效应晶体管VMOS。
进一步地,所述电压输入模块为增强型金属-氧化层-半导体场效应晶体管。
进一步地,所述交流驱动芯片还连接有整流电路、EMC电路以及浪涌吸收电路。
进一步地,所述的EMC电路包括位于干路上的电感L,以及与整流电路并联的电容C。
采用这样的设计后,本实用新型至少具有以下优点:
1、本实用新型采用由交流驱动芯片驱动的LED COB灯板,其结构紧凑,组装方便,不但具有高功率因素、低谐波、长寿命、低成本、高可靠、良好的电磁兼容性(EMC)等特点,而且可以用可控硅调光器调光,能满足世界各国对LED灯安全性的要求,是一种可以取代MR16卤钨灯的高压MR16 LED灯,适于集中大面积使用,可满足大部分市场的需求。
2、LED COB灯板由于外形小,直径仅为30mm,因此整个高压MR16 LED等,直径和长度都与MR16卤钨灯相同,可直接替换。
3、采用由导热材料制成的灯杯,散热效果较好。
4、在LED COB灯板的前端部还固定有汇聚透镜,改变汇聚透镜的光学设计,可设计出不同发散角度出射光线的MR16 LED灯。
下面通过附图和实施例,对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1是本实用新型一种用来取代MR16卤钨灯的高压MR16 LED灯的分解结构示意图;
图2是本实用新型一种用来取代MR16卤钨灯的高压MR16 LED灯的电路连接示意图;
图3是本实用新型一种用来取代MR16卤钨灯的高压MR16 LED灯的交流驱动芯片的电路连接示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
请参阅图1所示,本实用新型一种用来取代MR16卤钨灯的高压MR16 LED灯,包括灯头1、交流驱动芯片2、LED COB灯板4,其中:交流驱动芯片2与灯头1及LED COB灯板4连接,LED COB灯板4中的多个LED发光二极管由交流驱动芯片2驱动。
为了提高散热效果,还设置了由导热材料制成的灯杯3(散热器),LED COB灯板4安装在灯杯3上,灯杯3安装在灯头1上。
另外,在LED COB灯板4的前端部还固定有透明的汇聚透镜5,改变汇聚透镜的光学设计,可设计出不同发散角度出射光线的MR16 LED灯。
请配合参阅图2所示,LED发光二极管均由交流驱动芯片驱动,交流驱动芯片还连接有整流电路、EMC(Electro Magnetic Compatibility电磁兼容性)电路以及浪涌吸收电路等。其中,EMC电路主要包括位于干路上的电感L,以及与整流电路并联的电容C。
请配合参阅图3所示,本实用新型所使用的交流驱动芯片主要包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲-电压比较模块和半导体场效应晶体管MOSFET Q1-Qn。
其中,半导体场效应晶体管MOSFET Q1-Qn可采用V型槽场效应晶体管VMOS。MOSFET Q1的源极与地电位相连,栅极直接连接于第一组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端,第一组缓冲-电压比较模块的另一个输入端分别连接至串联电阻R1和R2之间的连接点处,第一组缓冲-电压比较模块输出端与MOSFET Q2的栅极相连,MOSFET Q1的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED发光二极管的串联线路上。
MOSFET Qn(n>1)的源极通过电阻或能够等效为电阻的元件组与地电位相连,栅极连接于第n组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于前一组缓冲-电压比较模块的输出端,第n组缓冲-电压比较模块的另一个输入端连接至串联电阻R2n-1和R2n之间的连接点处,MOSFETQn的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED发光二极管的串联线路上。
电压分配模块即由上述R1和R2,R2n-1和R2n组成的n条支路并联组成。
电压输入模块可采用增强型金属-氧化层-半导体场效应晶体管MOSFETQ0,其输出端与LED发光二极管的串联线路的起始端连接,并通过电压分配模块连接于地电位。
此外,交流驱动芯片还包括功率因数校正电路,该功率因数校正电路为三极管Qi,其集电极通过一个正向连接的二极管D1与电压输入模块Q0的栅极连接、并通过电感L与外部电压输入端VIN连接,发射极通过反向连接的二极管D2与地电位连接。
电压输入模块Q0的栅极与外部电压输入端VIN连接,Q0的漏极经一电阻Rx连接于地电位,Q0的源极即为电压输入模块的输出端、经电压分配模块连接于地电位。图中驱动的LED组件为6个LED灯段,每段LED由两个LED灯组成,其中每个LED灯均由6个LED发光二极管串联而成,每个LED的压降为3V,因此每个LED灯段全亮时两端电压为3×12=36V。
当线路电压从VIN端输入时,与VIN端口相连的Q0的栅极电压处于高电位,Q0开始导通,Q0的源极之输出电压即VDD随之上升;则晶体管MOSFET Q1的栅极电压上升,Q1就开始导通, LED1、LED2开始点亮发光;同时第一组缓冲-电压比较模块的输入端1A为高电位;若电压输入端VIN的电压较低,第一组缓冲-电压比较模块的输入端1B为低电位,第一组缓冲-电压比较模块输出低电位,Q2的栅极处于地电位,Q2处于截止状态。以此类推,Q3-Q6也处于截止状态。
随着VIN端输入电压增加,Q1开始进入饱和状态且电阻R1分担的电压增加,1B端点电压逐渐升高达到施密特触发器的正向阈值电压,施密特触发器被触发,第二组缓冲-电压比较模块输出高电位,此时Q2导通,当输入电压超过36V时LED3、LED4开始点亮发光。此时预先设定的R3和R4的电阻值的比值,仍可使端点2B处的第二组电压低于缓冲-电压比较模块内的施密特触发器的正向阈值电压,Q3-Q6仍处于截止状态。
随着VIN端输入电压的继续增加,Q2开始进入饱和状态且电阻R3分担的电压增加至第二组缓冲-电压比较模块内施密特触发器的正向阈值电压,施密特触发器被触发,Q3导通,当输入电压超过72V时LED5、LED6开始点亮发光,Q4-Q6截止。
以此类推,随着输入电压逐渐升高,当输入电压值超过180V时,Q6导通,LED11和LED12点亮;当输入电压值超过216V时,此时Q6进入饱和状态,整个LED照明装置达到最亮。
由以上的驱动方式可知,本实用新型所采用的交流驱动芯片,只要改变线路电压就能实现调光,在大面积使用时,本实用新型比现有的MR16卤钨灯更具有推广价值。因此,可以非常方便地使用普通的可控硅调光器且被实施。由于散热器较小,本专利可以取代30W以下的MR16卤钨灯。
其中电感L的工作原理为:LED半导体发光器件本身是一种二极管,点亮LED可以是直流,也可以是单向脉动直流。当外部电源为交流电时,在注意避免交流电反向电压将发光器件击穿损坏的前提下,也可以使用交流电。使用全波整流桥产生的100Hz脉动直流点亮LED,利用“脉动”这个特性,在输入回路中,串入一个电感L。利用电流流过电感的滞后特性,很方便地将功率因素提高到0.95以上。由于在芯片中没有高频振荡源,因此电磁兼容性与电磁干扰的问题将是非常容易处理的。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,本领域技术人员利用上述揭示的技术内容做出些许简单修改、等同变化或修饰,均落在本实用新型的保护范围内。