CN202404205U - 低成本、高效率的Flash芯片的坏块检测工装 - Google Patents
低成本、高效率的Flash芯片的坏块检测工装 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种低成本、高效率的Flash芯片的坏块检测工装，它包括待测Flash芯片组、嵌入式控制电路、LCD显示模块、芯片选通电路、LED指示电路和通讯端口，嵌入式控制电路通过总线与待测Flash芯片组、LCD显示模块和LED指示电路连接，嵌入式控制电路的选通信号与芯片选通电路连接，芯片选通电路的选通控制输出与待测Flash芯片组连接，嵌入式控制电路还通过通讯端口与上位机连接。本实用新型具有结构简单、使用方便，成本低，可同时对32片Flash芯片进行指定范围的坏块检测，最快仅需不到10s时间即可完成检测，检测效率高、速度快等特点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种低成本、高效率的Flash芯片的坏块检测工装。
背景技术
随着现代化技术的不断发展，嵌入式设备发展迅速，尤其是应用于智能系统如：WinCE、Android、Linux下的嵌入式设备，它们广泛应用于工业控制、手机、PDA、GPS导航等领域，这些嵌入式设备大多都搭载了大容量的Flash芯片，以满足系统和数据的储存要求。
然而，由于Flash芯片的生产工艺导致Flash内部会存在无法进行读写操作的坏块，但是嵌入式设备在设计过程中，会对坏块出现的范围有一定的要求，而Flash芯片的生产厂家一般只能保证Flash芯片无坏块，因而Flash芯片的生产厂家需要在Flash芯片出厂时进行坏块检测，嵌入式设备的生产商也会在设备生产前对采购的Flash芯片进行测试，以检测其坏块出现的区域是否在允许的范围内。
在市场上有很多针对Flash芯片的烧写、检测工具，它们功能强大，具备检测、烧写、擦除、校验等功能，但是普遍价格昂贵，使用复杂，速度慢，大多每次只能针对一片Flash芯片进行检验，检测效率低，无法实现批量检测。
实用新型内容
本实用新型的目的在于解决现有Flash芯片的坏块检测工装的不足，提供一种新型的低成本、高效率的Flash芯片的坏块检测工装，克服传统检测工装价格昂贵，使用过程复杂，检测速度慢和每次只能针对一片Flash芯片进行检测、检测效率低、无法实现批量检测等缺点。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：低成本、高效率的Flash芯片的坏块检测工装，它包括待测Flash芯片组、嵌入式控制电路、LCD显示模块、芯片选通电路、LED指示电路和通讯端口，嵌入式控制电路包括处理器CPU、同步动态随机存储器SDRAM和Flash程序存储芯片，嵌入式控制电路通过总线与待测Flash芯片组、LCD显示模块和LED指示电路连接，嵌入式控制电路的选通信号与芯片选通电路连接，芯片选通电路的选通控制输出与待测Flash芯片组连接，嵌入式控制电路还通过通讯端口与上位机连接。
本实用新型所述的待测Flash芯片组由Flash芯片夹具固定。
本实用新型还包括一个供电电路，供电电路输出5V、3.3V或1.8V的工作电压
本实用新型的有益效果是：本检测工装具有结构简单、使用方便，成本低，可同时对32片Flash芯片进行指定范围的坏块检测，最快仅需不到10s时间即可完成检测，检测效率高、速度快等特点。
附图说明
图1为本实用新型结构示意框图。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案：如图1所示，低成本、高效率的Flash芯片的坏块检测工装，它包括供电电路、待测Flash芯片组、嵌入式控制电路、LCD显示模块、芯片选通电路、LED指示电路和通讯端口，供电电路输出5V、3.3V或1.8V的满足工装工作的电压。待测Flash芯片组由Flash芯片夹具固定，可同时无损安装32片待测Flash芯片进行检测。嵌入式控制电路包括处理器CPU、同步动态随机存储器SDRAM和Flash程序存储芯片，嵌入式控制电路通过总线与待测Flash芯片组、LCD显示模块和LED指示电路连接。如图2所示，嵌入式控制电路的处理器CPU的选通信号与芯片选通电路连接，芯片选通电路的选通控制输出与待测Flash芯片组连接，嵌入式控制电路还通过通讯端口与上位机连接，根据上位机的指令对整个工装进行协调控制。LCD显示模块对整个测试过程进行图形化的指示；芯片选通电路对32个待测Flash芯片进行逐个选通；LED指示电路对Flash芯片的测试过程和结果进行LED灯光指示；整个工装通过通讯端口与上位机通讯连接，根据上位机的指令选择芯片的型号并确定坏块的测试区域。
Claims (3)
1.低成本、高效率的Flash芯片的坏块检测工装，其特征在于：它包括待测Flash芯片组、嵌入式控制电路、LCD显示模块、芯片选通电路、LED指示电路和通讯端口，嵌入式控制电路包括处理器CPU、同步动态随机存储器SDRAM和Flash程序存储芯片，嵌入式控制电路通过总线与待测Flash芯片组、LCD显示模块和LED指示电路连接，嵌入式控制电路的选通信号与芯片选通电路连接，芯片选通电路的选通控制输出与待测Flash芯片组连接，嵌入式控制电路还通过通讯端口与上位机连接。
2.根据权利要求1所述的低成本、高效率的Flash芯片的坏块检测工装，其特征在于：所述的待测Flash芯片组由Flash芯片夹具固定。
3.根据权利要求1所述的低成本、高效率的Flash芯片的坏块检测工装，其特征在于：它还包括一个供电电路，供电电路输出5V、3.3V或1.8V的工作电压。
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Publications (1)
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Family
ID=46701845
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN202404205U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103576078A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-02-12 | 柳州铁道职业技术学院 | 手持数字集成电路参数测试仪 |
| CN106339246A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-18 | 福建联迪商用设备有限公司 | 一种用于nandflash生产阶段的烧写方法及其烧写系统 |
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2011
- 2011-12-31 CN CN2011205722881U patent/CN202404205U/zh not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| CN103576078A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-02-12 | 柳州铁道职业技术学院 | 手持数字集成电路参数测试仪 |
| CN103576078B (zh) * | 2013-03-29 | 2016-12-07 | 柳州铁道职业技术学院 | 手持数字集成电路参数测试仪 |
| CN106339246A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-18 | 福建联迪商用设备有限公司 | 一种用于nandflash生产阶段的烧写方法及其烧写系统 |
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Legal Events
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