CN202352712U - 晶体硅电池镀膜卡点结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种晶体硅电池镀膜卡点结构,包括设置在硅片的外侧边缘的卡点,所述卡点为菱形卡点。与现有技术相比,本实用新型的卡点采用菱形卡点,有效的减少了影响的硅片面积,增加了光照的吸收面积,提高了短路电流(ISC)和效率(Eff)。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶体硅电池领域,具体来说涉及晶体硅电池的镀膜卡点结构。
背景技术
PECVD是利用高频电源辉光放电产生等离子体进行化学气相沉积的过程。其特点是:沉积温度低、电子密度高、电子平均能量大、富含大量化学气相沉积的活性粒子和自由基。PECVD等离子体中由于含有高密度的离子,这些具有一定动能的离子对沉积的减反射钝化膜进行轰击,可以提高膜的致密性和应力。
在采用SIH4和NH3作为源气体沉积SINx薄膜的过程中,由于大量H原子的存在,使所生成的薄膜除了具有减反射特性外兼有良好的表面和体内钝化性能。这是因为在离子的轰击下,H原子更容易扩散进入薄膜体内,从而提高膜的体钝化效果。
管式与平板式设备比较:根据反应器结构不同,PECVD设备可以分为管式和平板式两种。两者最大的区别在于管式设备其阴阳极板不是一对,而是很多对。
管式PECVD设备:基片沿极板立式放置,摆放很多组。基片采用石英管外部加热,避免反应过程中加热器溅射污染基片及反应环境。
放电频率一般采用低频或中频,常用频率值如40KHz、450KHz及460KHz等。采用多组电极对的结构,每一组电极面积相对较小,有利于小范围内成膜的均匀性。
载板在进出舟时炉管是开放的,大气可以进入炉管内,可能导致交叉污染,对成膜质量和工艺稳定性有影响。
平板PECVD设备:设备结构采用若干个相互分离的腔室实现不同的基片处理,也可以在各个腔室分别沉积不同的膜层实现连续淀积多层膜层而不致出现交叉污染的现象。
不同腔室之间采用互锁连接,同一批样品从一个腔室到另一腔室之间的传递始终在真空密闭的条件下进行,无中断真空系统的环节,可以保证纯净度较高的工艺环境,有利于成膜质量的提高和工艺稳定。
大尺寸效应。随着基板面积的不断扩大,平板设备遭遇到一个最大问题就是如何实现大面积加热的均匀性?尤其是大电极所产生等离子体的均匀性?大面积等离子体的均匀性与腔室及电极尺寸密切相关。当电极线形尺寸接近或超过交流电能的自由空间的波长的1/8时,电磁波的反射、干涉和驻波现象会变得十分严重,从而使电场分布不均匀,这是大电极激发等离子体不均匀的主要原因。此外,电极的有限尺寸还使得电场在电极边缘的不均匀变化在一定程度上向电极中部逐渐延伸。这些“大尺寸效应”导致等离子体激发电场在大面积电极表面变的不均匀,使薄膜的沉积速率在衬底不同部位有不同的变化,从而影响工艺的稳定性能。
在采用管式PECVD设备时,硅片就需要才用3个卡点固定,镀膜后片子的工艺点是3个基本半圆形的,工艺点比较大,圆形卡点露出的部分阻挡了一部分硅片面积的气相沉淀,以置该部分面积的硅片没有很好的被镀膜,影响的硅片面积和光照的吸收面积。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶体硅电池镀膜卡点结构,以减少影响的硅片面积,增加光照的吸收面积。
为了实现上述目的,本实用新型的技术方案如下:
晶体硅电池镀膜卡点结构,包括设置在硅片的外侧边缘的卡点,其特征在于,所述卡点为菱形卡点。
与现有技术相比,本实用新型的卡点采用菱形卡点,有效的减少了影响的硅片面积,增加了光照的吸收面积,提高了短路电流(ISC)和效率(Eff)。
本实用新型的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。
附图说明
图1为本实用新型的示意图。
图2为卡点的示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施例进一步阐述本实用新型。
如图1所示,晶体硅电池镀膜卡点结构,包括设置在硅片200的外侧边缘的三个卡点。
之前用的是三个圆形卡点300,镀膜后片子的3个工艺点是基本半圆形的。在本实用新型中,卡点为菱形卡点100。镀膜出的片子工艺点很小,如图2所示,400为圆形卡点影响的区域,500为菱形卡点影响的区域,可以看出采用菱形卡点可以增加光照的吸收面积,提高了电流,效率。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (1)
1.晶体硅电池镀膜卡点结构,包括设置在硅片的外侧边缘的卡点,其特征在于,所述卡点为菱形卡点。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN2011204252450U CN202352712U (zh) | 2011-10-31 | 2011-10-31 | 晶体硅电池镀膜卡点结构 |
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CN2011204252450U CN202352712U (zh) | 2011-10-31 | 2011-10-31 | 晶体硅电池镀膜卡点结构 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN2011204252450U Expired - Fee Related CN202352712U (zh) | 2011-10-31 | 2011-10-31 | 晶体硅电池镀膜卡点结构 |
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CN (1) | CN202352712U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103035754A (zh) * | 2013-01-10 | 2013-04-10 | 英利集团有限公司 | 一种太阳能电池 |
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2011
- 2011-10-31 CN CN2011204252450U patent/CN202352712U/zh not_active Expired - Fee Related
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