CN202323107U - 单晶炉热场 - Google Patents
单晶炉热场 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202323107U CN202323107U CN2011204260851U CN201120426085U CN202323107U CN 202323107 U CN202323107 U CN 202323107U CN 2011204260851 U CN2011204260851 U CN 2011204260851U CN 201120426085 U CN201120426085 U CN 201120426085U CN 202323107 U CN202323107 U CN 202323107U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- pressure pin
- heater
- pin axle
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Abstract
本实用新型公开了一种单晶炉热场，它包括内导流筒（4）、外导流筒（5）、三瓣坩埚（7）、坩埚托盘（8）、托杆轴基座（10）、加热器（11）、石墨电极（14）和托杆轴（16），石墨电极（14）位于炉体的底部，加热器（11）通过加热器螺栓（13）与石墨电极（14）连接，托杆轴（16）穿过炉底板（15）进入炉体，与托杆轴基座（10）连接，托杆轴基座（10）通过托杆销（9）与坩埚托盘（8）连接，三瓣坩埚（7）安装在坩埚托盘（8）上，三瓣坩埚（7）和坩埚托盘（8）之间为间隙配合，外导流筒（5）安装在三瓣坩埚（7）上方，内导流筒（4）位于外导流筒（5）内部。本实用新型的优点在于结构合理，热效率高，寿命长。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶炉技术领域。
背景技术
单晶硅主要采用直拉单晶制造法生产，这种生产工艺需要用到单晶炉。将原材料放入坩埚中，在单晶炉中加热融化，在将棒状籽晶浸入熔液中。在合适的温度下，熔液中的硅原子会在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。吧籽晶微微旋转向上提升，熔液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，如此往复即可得到单晶硅锭。
目前，单晶80炉是使用较为广泛的单晶炉，但是它还存在如下问题：80炉一般采用单层导流筒结构，这种结构冷却效率低，氩气气流为紊流，影响单晶硅生长；坩埚与坩埚托盘结构不合理，导致而在因意外情况必须中途停止单晶拉制时，三瓣坩埚因单晶硅由液态转化为固态体积增大造成三瓣坩埚损坏；托杆轴基座与托杆轴连接处结构单薄，容易产生裂纹；热效率低，能源消耗量大。
实用新型内容
本实用新型的目的即在于克服现有技术的不足，提供一种结构合理，热效率高，寿命长的单晶炉热场。
本实用新型的目的通过以下技术方案实现：
单晶炉热场，其特征在于，它包括内导流筒、外导流筒、三瓣坩埚、坩埚托盘、托杆轴基座、加热器、石墨电极和托杆轴，上保温盖、下保温盖、上保温筒、中保温筒、下保温筒和炉底板顺序组合成炉体，石墨电极位于炉体的底部，加热器通过加热器螺栓与石墨电极连接，托杆轴穿过炉底板进入炉体，与托杆轴基座连接，托杆轴基座通过托杆销与坩埚托盘连接，三瓣坩埚安装在坩埚托盘上，三瓣坩埚和坩埚托盘之间为间隙配合，外导流筒安装在三瓣坩埚上方，内导流筒位于外导流筒内部。
通过上面的叙述可以看出，本实用新型的优点在于：
1．导流筒采用双层结构，，氩气在通过时紊流减少径流增加，能提高热场温度梯度，更加便于拉晶操作；外导流筒能使氩气流经单晶液面时间，增加氩气降温效果；外导流筒能将加热器散射的辐射反射回热场内，提升热能利用率。
2．三瓣坩埚与坩埚托盘之间为间隙配合，三瓣坩埚均与坩埚托盘间隙可以适当变动，从而在因意外情况必须中途停止单晶拉制时，避免三瓣坩埚因单晶硅由液态转化为固态体积增大造成三瓣坩埚损坏，提高三瓣坩埚的使用寿命。
3．托杆轴基座与托杆轴使用托杆销连接，稳固可靠，在高低温差情况下不容易产生裂纹。
4．上保温盖减少氩气通过热场炉体与导流筒之间间隙泄露，提升氩气的利用率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图
图中，1-上保温盖，2-下保温盖，3-上保温筒，4-内导流筒，5-外导流筒，6-中保温筒，7-三瓣坩埚，8-坩埚托盘，9-托杆销，10-托杆轴基座，11-加热器，12-下保温筒，13-加热器螺栓，14-石墨电极，15-炉底板，16-托杆轴。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明，本实用新型的保护范围不限于以下所述。
如图1所示，单晶炉热场，其特征在于，它包括内导流筒4、外导流筒5、三瓣坩埚7、坩埚托盘8、托杆轴基座10、加热器11、石墨电极14和托杆轴16，上保温盖1、下保温盖2、上保温筒3、中保温筒6、下保温筒12和炉底板15顺序组合成炉体。石墨电极14位于炉体的底部，加热器11通过加热器螺栓13与石墨电极14连接。托杆轴16穿过炉底板15进入炉体，通过托杆销9与托杆轴基座10连接，这种连接方式在高低温差情况下不容易产生裂纹。托杆轴基座10与坩埚托盘8连接。三瓣坩埚7安装在坩埚托盘8上，三瓣坩埚7和坩埚托盘8之间为间隙配合，三瓣坩埚均与坩埚托盘间隙可以适当变动，从而在因意外情况必须中途停止单晶拉制时，避免三瓣坩埚因单晶硅由液态转化为固态体积增大造成三瓣坩埚损坏，提高三瓣坩埚的使用寿命。外导流筒5安装在三瓣坩埚7上方，内导流筒4位于外导流筒5内部，这样的结果使氩气在通过时紊流减少径流增加，能提高热场温度梯度，更加便于拉晶操作；外导流筒能使氩气流经单晶液面时间，增加氩气降温效果；外导流筒能将加热器散射的辐射反射回热场内，提升热能利用率。
Claims (1)
1.单晶炉热场，其特征在于，它包括内导流筒（4）、外导流筒（5）、三瓣坩埚（7）、坩埚托盘（8）、托杆轴基座（10）、加热器（11）、石墨电极（14）和托杆轴（16），上保温盖（1）、下保温盖（2）、上保温筒（3）、中保温筒（6）、下保温筒（12）和炉底板（15）顺序组合成炉体，石墨电极（14）位于炉体的底部，加热器（11）通过加热器螺栓（13）与石墨电极（14）连接，托杆轴（16）穿过炉底板（15）进入炉体，与托杆轴基座（10）连接，托杆轴基座（10）通过托杆销（9）与坩埚托盘（8）连接，三瓣坩埚（7）安装在坩埚托盘（8）上，三瓣坩埚（7）和坩埚托盘（8）之间为间隙配合，外导流筒（5）安装在三瓣坩埚（7）上方，内导流筒（4）位于外导流筒（5）内部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011204260851U CN202323107U (zh) | 2011-11-01 | 2011-11-01 | 单晶炉热场 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011204260851U CN202323107U (zh) | 2011-11-01 | 2011-11-01 | 单晶炉热场 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202323107U true CN202323107U (zh) | 2012-07-11 |
Family
ID=46435094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011204260851U Expired - Fee Related CN202323107U (zh) | 2011-11-01 | 2011-11-01 | 单晶炉热场 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202323107U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110484966A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-11-22 | 大同新成新材料股份有限公司 | 一种单品硅热场坩埚高效安装夹持方法 |
-
2011
- 2011-11-01 CN CN2011204260851U patent/CN202323107U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110484966A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-11-22 | 大同新成新材料股份有限公司 | 一种单品硅热场坩埚高效安装夹持方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN204779921U (zh) | 一种新型多晶硅侧分层加热装置 | |
| CN102108544A (zh) | 一种控制长晶界面的多晶炉热场结构 | |
| CN102925971B (zh) | 高效多晶铸锭热场 | |
| CN103451726A (zh) | 一种水致冷铸锭炉及其铸锭工艺 | |
| CN203568856U (zh) | 分瓣式石墨护板 | |
| CN202323107U (zh) | 单晶炉热场 | |
| CN202671714U (zh) | 一种制备低碳低氧硅锭的盖板改进结构 | |
| CN203657465U (zh) | 节能型真空双腔保温炉 | |
| CN102703969A (zh) | 低碳准单晶铸锭炉及应用该铸锭炉进行铸锭的方法 | |
| CN203393268U (zh) | 用于晶体高温高压合成反应器的热场装置 | |
| CN201634792U (zh) | 一种直拉单晶炉 | |
| CN103466630B (zh) | 提高除杂效果的多晶硅定向凝固方法及其装置 | |
| CN201990762U (zh) | 直拉单晶炉加热装置 | |
| CN207130360U (zh) | 一种加热器 | |
| CN102839415A (zh) | 一种太阳能电池用掺镓单晶硅的制备方法 | |
| CN101906660A (zh) | 一种大直径硅晶体生长装置 | |
| CN201605350U (zh) | 一种用于单晶炉降低拉晶功率的热场装置 | |
| CN202626346U (zh) | 一种新型准单晶铸锭炉 | |
| CN209537669U (zh) | 一种坩埚 | |
| CN202744659U (zh) | 节能型多晶硅铸锭炉的热场结构 | |
| CN203558860U (zh) | 应用于多晶硅定向凝固提纯的石墨护板 | |
| CN203065166U (zh) | 一种新型多晶硅铸锭去杂装置 | |
| CN201942784U (zh) | 一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置 | |
| CN207483897U (zh) | 一种铸造准g7硅锭的多晶炉热场装置 | |
| CN207130356U (zh) | 一种提高直拉单晶拉速的装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120711 Termination date: 20141101 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |