CN202307787U - 用于非标准厚度硅片的离子注入机 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于非标准厚度硅片的离子注入机，包括大气机械手、对准装置和真空准备腔，所述大气机械手包括机械手臂、位于机械手臂前端的两机械指，所述大气机械手的机械指延长至硅片外，机械手臂的宽度不小于两机械指外侧面之间的距离；所述注入机的对准装置为机械定位结构；所述真空准备腔为两端开放的贯通腔体；所述机械定位结构包括两个对称设置的载片台，所述载片台呈C型，其内侧上部设有一光滑的弧形引导面，所述弧形引导面下方连接有一支承平面。本实用新型通过对现有的离子注入机的大气机械手、硅片对准装置和真空准备腔的改造，实现了760um以下至100um的非标准厚度硅片在现有离子注入机上的注入作业。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路制造领域，属于一种用于非标准厚度硅片的离子注入机。
背景技术
离子注入是半导体制造中的关键工艺之一。离子注入通过控制掺杂原子的剂量(dose)来实现衬底材料载流子浓度的精确控制。在功率器件和射频器件的发展中，为了降低接触电阻，制作工艺中需要针对硅片背面的离子注入，同时这种器件的基片需要减薄到200微米(um)厚度以下甚至更低，这对于注入机的搬送机制是一个严峻的挑战。
通用的离子注入机只能对标准厚度(760um)的硅片进行注入，并不适用于低于标准厚度的硅片注入，在对低于标准厚度硅片(760um以下至100um)进行离子注入时，会出现搬送障碍或由于搬送问题导致的碎片，无法满足注入工艺需求。图1所示为目前离子注入机搬送标准厚度硅片的普通机械手，机械手1与硅片4的接触面积较小，图2所示的标准对准装置为光学定位，载片台与硅片接触面积很小，非标准厚度硅片在上面进行对准时会因硅片下垂严重造成光学探头无法定位，图3所示为与现有普通机械手相对应的半封闭的真空准备腔3。
而针对非标准厚度硅片的注入机虽然目前也有个别厂家在研究开发和推广，但是需要重新购买，而且成本很高。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于非标准厚度硅片的离子注入机，可以对厚度小于标准硅片厚度的硅片进行离子注入。
为解决上述技术问题，本实用新型的用于非标准厚度硅片的离子注入机，包括大气机械手、对准装置和真空准备腔，所述大气机械手包括机械手臂、位于机械手臂前端的两机械指，所述大气机械手的机械指延长至硅片外，机械手臂的宽度不小于两机械指外侧面之间的距离；所述注入机的对准装置为机械定位结构；所述真空准备腔为两端开放的贯通腔体。
进一步地，所述机械定位结构包括两个对称设置的载片台，所述载片台呈C型，其内侧上部设有一光滑的弧形引导面，所述弧形引导面下方连接有一支承平面。
优选的，所述机械手臂的宽度等于两机械指外侧面之间的距离。
本实用新型通过对现有的离子注入机的大气机械手、硅片对准装置和真空准备腔的改造，实现了非标准厚度硅片(760um以下至100um)在现有离子注入机上的注入作业。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：
图1是现有搬送标准厚度硅片的普通机械手的示意图；
图2是现有的光学定位标准对准装置的示意图；
图3是现有的标准真空准备腔的示意图；
图4是本实用新型的大气机械手的示意图；
图5是本实用新型的机械定位对准装置的示意图；
图6是本实用新型的真空准备腔的示意图。
具体实施方式
本实用新型的用于非标准厚度硅片的离子注入机，包括大气机械手1、对准装置和真空准备腔。所述大气机械手1包括机械手臂11、位于机械手臂11前端的两机械指12，所述大气机械手1的机械指12延长至硅片4外，机械手臂11的宽度不小于两机械指12外侧面之间的距离。大气机械手1被加长和加宽，增加了机械手1与硅片4的接触面积，从而达到降低非标准厚度硅片在机械手上的下垂程度。如图4所示，所述机械手臂11的宽度等于两机械指12外侧面之间的距离。
所述注入机的对准装置为机械定位结构。如图5所示，在本实施例中，所述机械定位结构包括两个对称设置的载片台2，所述载片台2呈C型，其内侧上部设有一光滑的弧形引导面，所述弧形引导面下方连接有一支承平面，两侧的载片台2与硅片4有较大的接触面积，解决了标准的对准装置无法对非标准厚度硅片的进行对准的问题。
为了与增大后的大气机械手1相匹配，如图6所示，所述真空准备腔3为两端开放的贯通腔体，确保改造后的机械手能拿着下垂变形的非标准厚度的硅片完好地放到真空准备腔里，解决了硅片下垂部分与设备其他部分的碰撞的问题。
当标准厚度硅片被减薄到一定程度时，硅片在内部应力的作用下会出现翘曲变形的现象，如果将这些非标准厚度硅片放在硅片盒里或者机械手上时，硅片会出现明显的中心或四周下垂的情况，当搬送翘曲变形的非标准厚度硅片时，会出现掉片、碎片、划伤等问题，最严重时硅片都无法进行传送。本实用新型将现有的离子注入机的大气机械手加长加宽，并采用机械定位的硅片对准装置，同时改造真空准备腔，实现了非标准厚度硅片(760um以下至100um)在现有离子注入机上的注入作业。
以上通过具体实施例对本实用新型进行了详细的说明，但这些并非构成对本实用新型的限制。在不脱离本实用新型原理的情况下，本领域的技术人员还可对大气机械手的结构、机械定位对准装置和真空准备腔等做出许多变形和等效置换，这些也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (3)
1.一种用于非标准厚度硅片的离子注入机，包括大气机械手、对准装置和真空准备腔，所述大气机械手包括机械手臂、位于机械手臂前端的两机械指，其特征在于：所述大气机械手的机械指延长至硅片外，机械手臂的宽度不小于两机械指外侧面之间的距离；所述注入机的对准装置为机械定位结构；所述真空准备腔为两端开放的贯通腔体。
2.根据权利要求1所述的用于非标准厚度硅片的离子注入机，其特征在于：所述机械定位结构包括两个对称设置的载片台，所述载片台呈C型，其内侧上部设有一光滑的弧形引导面，所述弧形引导面下方连接有一支承平面。
3.根据权利要求1所述的用于非标准厚度硅片的离子注入机，其特征在于：所述机械手臂的宽度等于两机械指外侧面之间的距离。
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2011
- 2011-10-09 CN CN2011203896821U patent/CN202307787U/zh not_active Expired - Fee Related
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| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Free format text: FORMER OWNER: HUAHONG NEC ELECTRONICS CO LTD, SHANGHAI Effective date: 20131231 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
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