CN202275691U - 一种集成nUI磁心 - Google Patents

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陈限育
林金城
徐晓辉
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Abstract

本实用新型涉及一种集成nUI磁心,包括至少两个边柱磁体、中柱磁体和气隙介质;其特征在于,所述边柱磁体设有一个直臂,在直臂的两端分别设有两个端折臂,在两个端折臂之间的直臂上设有至少两个间折臂,端折臂和间折臂位于直臂的同一侧,边柱磁体也可视为将至少两个U字形磁体通过直臂连接在一起而形成的;中柱磁体由至少两个I字形磁体组成,I字形磁体之间设有间隙;将边柱磁体折臂的外向端面贴向中柱磁体的侧面,使得中柱磁体与边柱磁体对接起来形成闭合磁回路;在中柱磁体与边柱磁体的对接面之间设有气隙介质。本实用新型的有益效果是:可节省电感器的铜材用量以及提高电感器件品质因数。

Description

一种集成nUI磁心
技术领域
本实用新型涉及扼流圈和电子变压器等电感器件中的磁心,尤其涉及一种集成nUI磁心。
背景技术
传统的线圈类电感器件一般是由EE型磁心或EI型磁心配合线圈架绕上漆包线组成。为了防止磁饱和现象发生,需要在磁路中设有磁路气隙,磁路气隙通常置于磁心的中柱,扩散磁通主要存在于磁路气隙附近,扩散磁通使气隙附近的线圈部分失去“电-磁”的转换作用,气隙附近的部分线圈只起填充作用。气隙量越大扩散磁通就越大,无效填充的线圈也就越多,同时漏磁通穿过线包,引起一定的功率损耗。上述原因造成器件自身铜电阻和铜损的增加,使器件的功耗升高,浪费电能和铜材,降低使用寿命。
发明内容
本实用新型的目的是:提供一种在电感器中使用的,可节省电感器的铜材用量以及提高电感器件品质因数(即Q值)的磁心。
本实用新型的技术方案是这样实现的:一种集成nUI磁心,包括至少两个边柱磁体、中柱磁体和气隙介质;其特征在于,所述边柱磁体设有一个直臂,在直臂的两端分别设有两个端折臂,在两个端折臂之间的直臂上设有至少两个间折臂,端折臂和间折臂位于直臂的同一侧,边柱磁体也可视为将至少两个U字形磁体通过直臂连接在一起而形成的;中柱磁体由至少两个I字形磁体组成,I字形磁体之间设有间隙;将边柱磁体折臂的外向端面贴向中柱磁体的侧面,使得中柱磁体与边柱磁体对接起来形成闭合磁回路;在中柱磁体与边柱磁体的对接面之间设有气隙介质。
在电感器上,使用本实用新型与使用“EE”型传统磁心相比具有以下优点:
1.节约铜材;
2.提高品质因数(即Q值)。
下面结合附图和实施例对本实用新型作详细描述。
附图说明
图 1为集成双UUI磁心示意图;
图 2为集成双UUI磁心分解图;
图 3为集成三UUI磁心示意图;
图 4为集成四UUI磁心示意图;;
图 5为集成双3UI磁心示意图;
图 6为集成双4UI磁心示意图。
图 7为集成三3UI磁心示意图;
具体实施方式
实施例1
参见图1和图2,一种集成nUI磁心,包括至少两个边柱磁体1、中柱磁体2和气隙介质3;其特征在于,所述边柱磁体设有一个直臂1-1,在直臂的两端分别设有两个端折臂1-2,在两个端折臂之间的直臂上设有至少两个间折臂1-3,端折臂和间折臂位于直臂的同一侧,边柱磁体也可视为由至少两个U字形磁体通过直臂连接在一起而形成的;中柱磁体由至少两个I字形磁体2-1组成,I字形磁体之间设有间隙;将边柱磁体折臂的外向端面贴向中柱磁体的侧面,使得中柱磁体与边柱磁体对接起来形成形成闭合磁回路;在中柱磁体与边柱磁体的对接面之间设有气隙介质。
本实施例的边柱磁体的数目为两个,边柱磁体的间折臂的数目也是两个,边柱磁体可视为由两个U字形磁体通过直臂连接在一起而形成的。中柱磁体由两个I字形组成,两I字形磁体之间设有间隙。在边柱磁体与中柱磁体的对接面之间设有条状的气隙介质。
在电感器件中使用本实用新型时,由于中柱磁体与边柱磁体之间设有气隙介质,从而形成了磁路多气隙结构。这种磁路结构不但可防止磁饱和现象的发生,而且会使磁路磁压分布较均匀,减小了漏磁通,即减小了旁路磁通和扩散磁通,从而减小了漏磁通对线圈的影响,因此在电感器中使用本实用新型与使用EE型或EI型磁心相比,可提高该电感器的Q值,并且可节省制作该电感器线圈所用的铜材。
本实用新型可与经过改进的线圈骨架配合使用,将本实用新型置于骨架上对接起来,经过固定和耐压处理即可制作出电感器。也可在本实用新型的表面上喷涂绝缘层,然后直接在其外表面缠绕设置线圈,再经过固定与耐压处理,也可制作出电感器。
所述边柱磁体直臂、端折臂和间折臂的横截面为矩形或圆形或半圆形或椭圆形或半椭圆形中的一种。所述I字形磁体的横截面为矩形或圆形或半圆形或椭圆形或半椭圆形中的一种。
实施例2
参见实施例1和图3,与实施例1不同之处在于,中柱磁体由3个I字形磁体组成,边柱磁体的间折臂1-3数目为4个。本实施例可视为集成了3个UUI磁心。
实施例3
参见实施例1和图4,与实施例1不同之处在于,中柱磁体由4个I字形磁体组成,边柱磁体的间折臂数目为6个。本实施例可视为集成了4个UUI磁心。
由实施例2和本实施例可见,本实用新型的长度方向上可集成多个UUI磁心。
实施例4
参见实施例1和图5,与实施例1不同之处在于,边柱磁体的数目为3个,气隙介质的数目也为3个。本实施例可视为集成了2个3UI磁心。
实施例5
参见实施例1和图6,与实施例1不同之处在于,边柱磁体的数目为4个,气隙介质的数目也为4个。本实施例可视为集成了2个4UI磁心。。
实施例6
参见实施例1、实施例2和图7,与实施例1不同之处在于,边柱磁体的数目为3个,边柱磁体上间折臂的数目为4个,中柱磁体由3个I字形磁体组成,气隙介质的数目也为3个。本实施例可视为集成了3个3UI磁心。
由上述实施例可见,本实用新型可集成2个或2个以上的UUI磁心、3UI磁心以及4UI磁心。

Claims (10)

1.一种集成nUI磁心,包括至少两个边柱磁体、中柱磁体和气隙介质;其特征在于,所述边柱磁体设有一个直臂,在直臂的两端分别设有两个端折臂,在两个端折臂之间的直臂上设有至少两个间折臂,端折臂和间折臂位于直臂的同一侧,边柱磁体也可视为将至少两个U字形磁体通过直臂连接在一起而形成的;中柱磁体由至少两个I字形磁体组成,I字形磁体之间设有间隙;将边柱磁体折臂的外向端面贴向中柱磁体的侧面,使得中柱磁体与边柱磁体对接起来形成闭合磁回路;在中柱磁体与边柱磁体的对接面之间设有气隙介质。
2.根据权利要求1所述的一种集成nUI磁心,其特征在于,所述边柱磁体的数目为2个。
3.根据权利要求1所述的一种集成nUI磁心,其特征在于,所述边柱磁体的数目为3个。
4.根据权利要求1所述的一种集成nUI磁心,其特征在于,所述边柱磁体的数目为4个。
5.根据权利要求2所述的一种集成nUI磁心,其特征在于,所述边柱磁体上的间折臂数目为2个,中柱磁体由2个I字形磁体组成。
6.根据权利要求2所述的一种集成nUI磁心,其特征在于,所述边柱磁体上的间折臂数目为4个,中柱磁体由3个I字形磁体组成。
7.根据权利要求3所述的一种集成nUI磁心,其特征在于,所述边柱磁体上的间折臂数目为2个,中柱磁体由2个I字形磁体组成。
8.根据权利要求3所述的一种集成nUI磁心,其特征在于,所述边柱磁体上的间折臂数目为4个,中柱磁体由3个I字形磁体组成。
9.根据权利要求4所述的一种集成nUI磁心,其特征在于,所述边柱磁体上的间折臂数目为2个,中柱磁体由2个I字形磁体组成。
10.根据权利要求4所述的一种集成nUI磁心,其特征在于,所述边柱磁体上的间折臂数目为4个,中柱磁体由3个I字形磁体组成。
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US11749452B2 (en) 2020-03-10 2023-09-05 Delta Electronics (Thailand) Public Company Limited Leakage transformer

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