CN202261070U - 一种h桥逆变电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种H桥逆变电路。所述H桥逆变电路包括组成桥臂的功率开关元件,所述功率开关元件同时采用了IGBT管和MOSFET管,其中上半桥的功率开关元件采用两只IGBT管,下半桥的功率开关元件采用两只MOSFET管,上半桥的两只IGBT管的集电极接电源正极,所述两只IGBT管的发射极分别接下半桥的两只MOSFET管的源极,下半桥的两只MOSFET管的漏极接电源地,上半桥的IGBT管的发射极和下半桥的MOSFET管的源极的连接节点组成H桥逆变电路的输出端。本实用新型相对于现有的H桥逆变电路,不论负载是在轻载还是在满载的工作情况下,都具有较高的效率,具有明显的节能效果,可具体应用在各种逆变器中。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种DC/AC逆变电路,特别是涉及一种高效H桥路逆变电路。具体应用在各种逆变器中,如光伏发电逆变器,风力发电逆变器,方波逆变器,正弦波逆变器等等。
背景技术
目前,在通常的H桥逆变电路的设计应用中,四个桥臂采用相同的功率开关管(采用IGBT管或MOSFET管),IGBT是最多被使用的器件。因为IGBT导通压降的非线性特性使得IGBT的导通压降并不会随着电流的增加而显著增加。从而保证了逆变器在最大负载情况下,仍然可以保持较低的损耗和较高的效率。而在高频逆变电路的设计应用中,MOSFET管则被广泛采用,虽然MOSFET管的导通压降是线性的,但它又具有非常卓越的动态特性和高频工作能力,因此在突出频率特性的高频逆变电路中,常常选用MOSFET管。
图1所示是目前常用的一种H桥逆变电路,是一种由G30T60 构成的H桥逆变电路。其逆变工作过程是:当控制电路的控制信号PWM1控制IGBT1、IGBT2导通,同时控制信号PWM2 控制IGBT3、IGBT4关断时,电流方向由直流源正VDH,经IGBT1,AC1,交流负载(或交流源),AC2,IGBT2到直流电源地。当控制电路的控制信号PWM2控制IGBT4、IGBT3导通;同时控制信号PWM1控制IGBT1、IGBT2关断时,电流方向由直流源正VDH,经IGBT4,AC2,交流负载,AC1,IGBT2到直流电源地。在一个循环周期内,交流负载上流过的电流是交流。
不论是采用IGBT组成的H桥逆变电路,或是采用MOSFET管组成的H桥逆变电路,在实际应用中都存在不理想的地方:
1、采用IGBT时,由于IGBT导通压降的非线性特性使得IGBT的导通压降并不会随着导通电流的增加而显著增加,在满负荷工作时,逆变转换效率较高;反之由于IGBT导通压降的非线性特性使得IGBT的导通压降并不会随着导通电流的减小而显著减小,在轻负荷时,逆变转换效率相对较低。另一方面是由于IGBT的开关频率低,因此由IGBT组成的H桥逆变电路的频率特性不理想。
2、采用MOSFET管时,频率特性提高了,但由于MOSFET管的导通压降是线性的,使得MOSFET的导通压降会随着导通电流的增加而显著增加,在满负荷工作时,逆变转换效率较低;反之,MOSFET的导通压降也会随着导通电流的减小而显著减小,在轻负荷时,逆变转换效率相对较高。
3、逆变效率会随前级直流源功率变化而变化。采用IGBT组成的H桥逆变电路,逆变效率会随前级直流源功率的增大而增大;采用MOSFET组成的H桥逆变电路,逆变效率会随前级直流源功率的增大而减小。在光伏发电逆变器或风能发电逆变器中,此电路的缺点显现的更突出。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术不足,提出一种更高效率的H桥逆变电路,不论负载是在轻载工作还是在满载的工作情况下,都有较高的效率。
本实用新型所采用的技术方案:
一种H桥逆变电路,包括组成桥臂的功率开关元件,所述H桥逆变电路的功率开关元件同时采用了IGBT管和MOSFET管,其中上半桥的功率开关元件采用两只IGBT管,下半桥的功率开关元件采用两只MOSFET管,其中上半桥的两只IGBT管的集电极接电源正极VDH,两只IGBT管的发射极分别接下半桥的两只MOSFET管的源极,下半桥的两只MOSFET管的漏极接电源地GND,上半桥的IGBT管的发射极和下半桥的MOSFET管的源极的连接节点组成H桥逆变电路的输出端。
所述的H桥逆变电路,在上半桥的两只IGBT管的集电极与发射极之间分别并联有保护二极管D1、D4,所述保护二极管的负极接电源正极VDH;在下半桥的两只MOSFET管的源极与漏极之间分别并联有保护二极管D3、D2,所述保护二极管的正极接电源地GND。
本实用新型的有益积极效果:
1、本实用新型相对于现有的H桥逆变电路,不论负载是在轻载工作还是在满载的工作情况下,都有较高的效率,具有明显的节能效果。使用本实用新型可使逆变桥路的逆变效率比现有技术提高2-4%点。如应用在一台3.6kw的光伏发电逆变器上每小时可多发电72w-144w。
本实用新型能够提高逆变效率的理论依据是,由于上半桥的IGBT管只作为电流极性控制器件,其开关频率只有50Hz,充分利用了IGBT的大电流低导通压降的特性,避开了IGBT管子高频特性差的弱点,从而降低总损耗和逆变器的输出电磁干扰。由下半桥的MOSFET管控制逆变电路输出的正弦交流电的幅值,其开关频率工作在30KHz左右,充分利用了MOSFET管的高频特性和导通压降是线性的特性,以适应交流负载的变化及前级直流源功率的变化。
2、使用本实用新型,可以减少逆变器对电网的电磁干扰和污染。原有的逆变电路中,上、下对臂的功率开关管(图1中IGBT1和IGBT2是对臂,IGBT3和IGBT4是对臂)工作在同一频率,而本实用新型中上臂的IGBT管只工作在50Hz,同现有技术相比大大降低了管子的开关频率,因此减少了逆变器对电网的电磁干扰和污染。
附图说明
图1:现有技术H桥逆变电路原理图;
图2:本实用新型H桥逆变电路原理图。
具体实施方式
实施例一:参见图2,为本实用新型由IGBT和MOSFET构成的H桥逆变电路,其与现有技术不同的是:所述H桥路逆变电路同时采用了IGBT管和MOSFET管,上半桥的开关管采用了二只IGBT管,下半桥的开关管采用了二只MOSFET管。
本实用新型的H桥逆变电路的逆变工作过程是:当控制电路的一路控制信号PWM控制IGBT1导通、IGBT4关断,同时控制电路的另一路控制信号SPWM控制MOSFET2导通、MOSFET3关断时,电流方向由直流源正VDH,经IGBT1,AC1,交流负载(或交流源),AC2,MOSFET2到直流电源地;当控制电路的控制信号PWM控制IGBT4导通、IGBT1关断;同时控制信号SPWM控制MOSFET3导通、MOSFET2关断时,电流方向由直流源正VDH,经IGBT4,AC2,交流负载,AC1,MOSFET3到直流电源地;在一个循环周期内,交流负载上流过的电流是交流。逆变出的交流电的幅值由控制信号SPWM的频率和占空比决定。
图1原有的逆变电路中,上下对臂管子(IGBT1和IGBT2是对臂,IGBT3和IGBT4是对臂)工作在同一频率,而本实用新型中上臂的IGBT管只工作在50Hz,同现有技术相比大大降低了管子的开关频率,因此减少了逆变器对电网的电磁干扰和污染。
从图1和图2对比看出,本实用新型H桥路逆变电路与现有技术的区别在于:上半桥的开关管采用了二只IGBT管,下半桥的开关管采用了二只MOSFET管。在工作控制方式上,本实用新型的H桥路逆变电路采用双频率(一路高频和一路低频)控制方式。上半桥的IGBT管只作为电流极性控制器件,由PWM控制信号控制逆变出的正弦交流电的极性,工作在工频50Hz;下半桥的MOSFET管进行SPWM高频切换,由SPWM控制信号控制逆变电路输出的正弦交流电的幅值,其工作频率在20kHz-40KHz。
Claims (2)
1.一种H桥逆变电路,包括组成桥臂的功率开关元件,其特征是:所述H桥逆变电路的功率开关元件同时采用了IGBT管和MOSFET管,其中上半桥的功率开关元件采用两只IGBT管,下半桥的功率开关元件采用两只MOSFET管,上半桥的两只IGBT管的集电极接电源正极VDH,所述两只IGBT管的发射极分别接下半桥的两只MOSFET管的源极,下半桥的两只MOSFET管的漏极接电源地GND,上半桥的IGBT管的发射极和下半桥的MOSFET管的源极的连接节点组成H桥逆变电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的H桥逆变电路,其特征是:在上半桥的两只IGBT管的集电极与发射极之间分别并联有保护二极管D1、D4,所述保护二极管的负极接电源正极VDH;在下半桥的两只MOSFET管的源极与漏极之间分别并联有保护二极管D3、D2,所述保护二极管的正极接电源地GND。
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