CN202231011U - 开关电源用集成电路 - Google Patents
开关电源用集成电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202231011U CN202231011U CN2011203165277U CN201120316527U CN202231011U CN 202231011 U CN202231011 U CN 202231011U CN 2011203165277 U CN2011203165277 U CN 2011203165277U CN 201120316527 U CN201120316527 U CN 201120316527U CN 202231011 U CN202231011 U CN 202231011U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- power supply
- integrated circuit
- switching power
- pin
- slide glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
一种开关电源用集成电路，包括有三个载片区，其中一个载片区安装有一控制器晶片，另两个载片区各自安装有一高压晶片。本实用新型能够满足PWM控制器与两个高压连接点相连的需要。
Description
技术领域
本实用新型涉及集成电路的结构，尤其涉及带高压功率开关的开关电源用集成电路的结构。
背景技术
在开关电源应用中，需要使用一个PWM控制器加一个高压功率开关，因此将两者组合在一起而制作成的带高压功率开关的开关电源用集成电路，或称为开关电源控制芯片，因简洁的外围电路结构而被广泛接受，其中双列直插的8脚封装被各家公司广泛采用。通常地，在描述开关电源用集成电路的结构时，芯片是指集成电路成品；晶片是指半导体硅电路晶圆个体；框架是指封装中承载晶片的特定铜质金属结构，并且岛指框架中用来安装晶片的具有较大面积区域的部位，一般做镀银处理。
在一般的应用中，由于开关电源控制芯片中PWM控制器仅需要一个连接点与高压电路相连，因此开关电源控制芯片会使用其中一个或若干个引脚用来作为高压连接引脚。现有的开关电源控制芯片主要有两种结构：参见图1a所示，一种是采用控制器与高压功率开关一体化的单晶片技术，芯片使用一个载片区S1的单岛框架进行封装，此时芯片内部仅有一个较大的晶片安装区域，其它部分为连线区；参见图1b所示，另一种是采用控制器与高压功率开关分体的双晶片技术，芯片使用两个载片区S1、S2的双岛框架进行封装，此时芯片内部有两个较大的晶片安装区域，其它部分为连线区。
现有的这种结构，对于开关电源控制芯片中PWM控制器需要与两个高压相连的连接点的情形，无法满足需要。因此，实有必要对现有技术进行改进。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于克服上述现有技术存在的不足，而提出一种开关电源用集成电路，能够满足PWM控制器与两个高压连接点相连的需要。
本实用新型针对上述技术问题而提出的技术方案包括，提出一种开关电源用集成电路，包括有三个载片区，其中一个载片区安装有一控制器晶片，另两个载片区各自安装有一高压晶片。
所述安装有控制器晶片的载片区与另两个各自安装有高压晶片的载片区是分别设置在该开关电源用集成电路内部的两侧的。
所述的控制器晶片与位于其同一侧的一接地脚相连。
所述的两高压晶片分别与位于其同一侧的一高压脚相连。
所述的两高压脚是相邻的。
该开关电源用集成电路是8脚封装的。
所述的控制器晶片是可以通过第2引脚实现接地的。
所述的两高压晶片分别与第6、7引脚相连。
与现有技术相比，本实用新型的开关电源用集成电路，通过设置两个独立的载片区以各自安装有一高压晶片，能够满足PWM控制器与两个高压连接点相连的需要。
附图说明
图1a、1b是现有的两种开关电源用集成电路的结构示意图。
图2是本实用新型的开关电源用集成电路实施例的结构示意图。
图3a、3b分别是本实用新型的开关电源用集成电路实施例中S1区域不接地与接地时的功能脚高压应力特性曲线。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型予以进一步地详尽阐述。
参见图2，本实用新型的开关电源用集成电路实施例，采用8脚封装结构，优选地为DIP8，其包括：包括有三个载片区，其中一个载片区S1安装有一控制器晶片，另两个载片区S2、S3各自安装有一高压晶片。这种结构，可实现两个独立的高压输出连接点功能。
控制器晶片及其接地引脚与高压晶片及其高压引脚分别位于芯片的两侧这种结构，可实现良好的安全电气隔离。
其中，载片区S1与框架第2脚直接相连，载片区S2与框架第7脚直接相连，载片区S3与框架第6脚直接相连。根据功能限定可以定义2脚为接地引脚，6、7脚为高压引脚。这种结构，可实现载片区S1直接接地连接的电气关系。其它各引脚为功能脚，其中，可以将5脚和8脚设计成具有独立的连线结构，以实现额外的电气连接点，或者，将5脚与6脚相连和/或将8脚与7脚相连以增大6、7脚的散热导出能力。
参见图3a和3b，可见，载片区S1与2脚不相连时，功能脚电压应力高于150V；载片区S1与2脚相连时，功能脚电压应力低于20V。可见，载片区S1与2脚相连可大幅改善故障时功能脚高压应力特性。
上述内容，仅为本实用新型的较佳实施例，并非用于限制本实用新型的实施方案，本领域普通技术人员根据本实用新型的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本实用新型的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种开关电源用集成电路，其特征在于，包括有三个载片区，其中一个载片区安装有一控制器晶片，另两个载片区各自安装有一高压晶片。
2.依据权利要求1所述的开关电源用集成电路，其特征在于，所述安装有控制器晶片的载片区与另两个各自安装有高压晶片的载片区是分别设置在该开关电源用集成电路内部的两侧的。
3.依据权利要求2所述的开关电源用集成电路，其特征在于，所述的控制器晶片与位于其同一侧的一接地脚相连。
4.依据权利要求2所述的开关电源用集成电路，其特征在于，所述的两高压晶片分别与位于其同一侧的一高压脚相连。
5.依据权利要求4所述的开关电源用集成电路，其特征在于，所述的两高压脚是相邻的。
6.依据权利要求1所述的开关电源用集成电路，其特征在于，该开关电源用集成电路是8脚封装的。
7.依据权利要求6所述的开关电源用集成电路，其特征在于，所述的控制器晶片是可以通过第2引脚实现接地的。
8.依据权利要求6所述的开关电源用集成电路，其特征在于，所述的两高压晶片分别与第6、7引脚相连。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011203165277U CN202231011U (zh) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | 开关电源用集成电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011203165277U CN202231011U (zh) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | 开关电源用集成电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202231011U true CN202231011U (zh) | 2012-05-23 |
Family
ID=46081589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011203165277U Expired - Lifetime CN202231011U (zh) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | 开关电源用集成电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202231011U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103985692A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-08-13 | 安徽国晶微电子有限公司 | Ac-dc电源电路的封装结构及其封装方法 |
| CN108257936A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-07-06 | 四川明泰电子科技有限公司 | 一种dip16多芯片封装异形引线框架及其封装方法 |
| CN108735724A (zh) * | 2017-04-18 | 2018-11-02 | 深圳市德润达光电股份有限公司 | 一种led线性驱动电源的微型集成模块 |
-
2011
- 2011-08-26 CN CN2011203165277U patent/CN202231011U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103985692A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-08-13 | 安徽国晶微电子有限公司 | Ac-dc电源电路的封装结构及其封装方法 |
| CN108735724A (zh) * | 2017-04-18 | 2018-11-02 | 深圳市德润达光电股份有限公司 | 一种led线性驱动电源的微型集成模块 |
| CN108257936A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-07-06 | 四川明泰电子科技有限公司 | 一种dip16多芯片封装异形引线框架及其封装方法 |
| CN108257936B (zh) * | 2018-01-03 | 2020-07-03 | 四川明泰电子科技有限公司 | 一种dip16多芯片封装异形引线框架及其封装方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN202231011U (zh) | 开关电源用集成电路 | |
| CN101895190B (zh) | 一种用于控制桥式驱动电路的栅极驱动电路 | |
| CN102957332A (zh) | 三电平功率转换装置 | |
| CN201699675U (zh) | 一种用于控制桥式驱动电路的栅极驱动电路 | |
| CN103427638A (zh) | 一种避免耦合效应的开关电源 | |
| CN202585395U (zh) | 一种dip双岛引线框结构 | |
| CN104378955A (zh) | 隔热组件和电路板 | |
| CN202282234U (zh) | 一种有载调容开关 | |
| CN203839919U (zh) | 多功能漏电保护装置 | |
| CN201550310U (zh) | 微波炉变压器的高压组件 | |
| CN201562545U (zh) | 一种双器身自耦有载调压变压器的绕组接线结构 | |
| CN201312059Y (zh) | 变电站自耦变压器低压侧三角形接线的35kv母线结构 | |
| CN203883669U (zh) | 高低边驱动集成电路以及开关电源 | |
| CN202363377U (zh) | 能提供连续工作电源的漏电断路器 | |
| CN201426195Y (zh) | 隔离式高功率因数led日光灯驱动电源 | |
| CN206099339U (zh) | 一种并联冗余电路 | |
| CN204696791U (zh) | 双电源自动切换装置 | |
| CN203895763U (zh) | 变电站主变压器10kV母线连接结构 | |
| CN103633664B (zh) | 配置多台变压器的台区供电方法 | |
| CN201868861U (zh) | 无源低压断线保护节电复合器 | |
| CN202474547U (zh) | 低压成套开关控制保护器 | |
| CN202633931U (zh) | 一种应用于智能化漏电综合保护器的电源处理电路 | |
| CN102176451B (zh) | Led封装基座 | |
| CN202651114U (zh) | 电源芯片 | |
| CN202473564U (zh) | 组合式变压器熔断机构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 518000, Shenzhen, Guangdong Province, Nanshan District science and technology road, 1, SED science and technology building on the south side of the 10 floor, block A Patentee after: SHENZHEN LII SEMICONDUCTOR CO., LTD. Address before: Longgang District of Shenzhen City, Guangdong province 518000 Longgang Street Baolong community Jinlong Avenue 2 refined ingot technology industrial plant building No. 1 201~202 Patentee before: Shenzhen Lishengmei Semiconductor Deveces Co., Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20120523 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |