CN202218446U - 一种循环控制wled驱动芯片及驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型适用于集成电路领域，提供了一种循环控制WLED驱动芯片及驱动电路，所述循环控制WLED驱动芯片包括状态控制引脚、输入引脚、升压控制引脚、输出引脚、反馈引脚、接地引脚六个封装引脚，用于对所述状态控制信号进行逻辑判断，输出相对应的逻辑状态信号的逻辑控制单元，以及根据所述逻辑状态信号生成所述升压控制信号，输出使WLED实现相应的状态变化的所述升压直流电压的升压单元。本实用新型采用逻辑控制单元和升压单元代替逻辑控制芯片和升压芯片，将两个芯片整合为一个独立的芯片，删减了重复的基准单元，减小了驱动芯片的封装面积，优化了封装工艺，降低了制作成本，并且简化了驱动芯片的应用电路。

Description

一种循环控制WLED驱动芯片及驱动电路

技术领域

本实用新型属于集成电路领域，尤其涉及一种循环控制WLED驱动芯片及驱动电路。

背景技术

目前，白光型发光二极管(White Light Emitting Diode，WLED)使LED摆脱了只能应用在指示灯、霓虹灯饰等场合，正在开始朝汽车的方向辅助灯、初阶数字相机的闪光灯等电子照明领域迈进，另外，WLED还可以充当液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的背光源，以取代过往的冷阴极灯管(ColdCathode Fluorescent Lamp，CCFL)，随着WLED的广泛应用，WLED的驱动设计也由过去的单一开关发展成可以带状态循环控制的WLED驱动设计。

所谓带状态循环控制的WLED的驱动芯片是指，将升压(Boost)WLED驱动芯片和一个逻辑控制芯片连接后重新封装，通过逻辑控制芯片控制升压驱动芯片的升压导通时间，从而实现当输入电压连续开关时，WLED从高亮、暗亮、闪烁再到高亮的状态转换。

但是，由于逻辑控制芯片和升压芯片中存在大量重复性单元，导致驱动芯片的封装面积较大，目前传统的循环控制的WLED驱动芯片通常采用小外形封装(Small Outline Package，SOP8)形式，该SOP8式封装工艺复杂，制作成本高，其封装成本与流片成本比例为2∶1，并且由于采用八脚封装，引脚数目多，驱动应用电路也相应复杂。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种循环控制WLED驱动芯片，旨在解决现有SOP8式封装驱动芯片面积大，封装工艺复杂，制作成本高，驱动应用电路复杂的问题。

本实用新型实施例是这样实现的，一种循环控制WLED驱动芯片，所述芯片包括：

输入状态控制信号的状态控制引脚；

输入低压直流电压的输入引脚；

输出升压控制信号的升压控制引脚；

输出升压直流电压的输出引脚；

输入反馈信号的反馈引脚；

向芯片内部的接地端以及功率接地端提供接地信号的接地引脚；

对所述状态控制信号进行逻辑判断，输出相对应的逻辑状态信号的逻辑控制单元，所述逻辑控制单元的状态输入端与所述状态控制引脚的内部连接端连接，所述逻辑控制单元的电源端与所述输出引脚的内部连接端连接，所述逻辑控制单元的接地端和功率接地端均与所述接地引脚的内部连接端连接；

根据所述逻辑状态信号生成所述升压控制信号，通过所述升压控制信号对所述输入低压直流电压进行升压，输出使WLED实现相应的状态变化的所述升压直流电压，并且通过由所述升压直流电压生成的所述反馈信号调整、控制所述升压直流电压的恒定的升压单元，所述升压单元的状态控制输入端与所述逻辑控制单元的逻辑状态输出端连接，所述升压单元的电压输入端与所述输入引脚的内部连接端连接，所述升压单元的升压控制端与所述升压控制引脚的内部连接端连接，所述升压单元的电压输出端与所述输出引脚的内部连接端连接，所述升压单元的反馈端与所述反馈引脚的内部连接端连接，所述升压单元的接地端与功率接地端同时与接地引脚的内部连接端连接，所述升压单元的第一电压基准输出端与所述逻辑控制单元的第一电压基准输入端连接，所述升压单元的第二电压基准输出端与所述逻辑控制单元的第二电压基准输入端连接。

进一步地，所述逻辑控制单元包括：

升高所述状态控制信号的电压的第一基准电流源，所述第一基准电流源的正极为所述逻辑控制单元的电源端，所述第一基准电流源的负极与第一开关的一端连接，所述第一开关的另一端为所述逻辑控制单元的状态输入端；

降低所述状态控制信号的电压的第二基准电流源，所述第二基准电流源的正极与第二开关的一端连接，所述第二开关的另一端与所述第一基准电流源的负极连接，所述第二基准电流源的负极为所述逻辑控制单元的接地端；

将所述状态控制信号与所述升压单元输出的第一基准电压进行比较，输出第一比较信号的第一比较模块，所述第一比较模块的一个输入端为所述逻辑控制单元的第一基准电压输入端，所述第一比较模块的另一个输入端与所述第一基准电流源的负极连接；

将所述状态控制信号与所述升压单元输出的第二基准电压进行比较，输出第二比较信号的第二比较模块，所述第二比较模块的一个输入端与所述第一电流源的负极连接，所述第二比较模块的另一个输入端为所述逻辑控制单元的第二基准电压输入端；以及

对所述第一比较信号和第二比较信号进行综合判断，输出所述逻辑状态信号的第一逻辑模块，所述第一逻辑模块的第一输入端与所述第一比较模块的输出端连接，所述第一逻辑模块的第二输入端与所述第二比较模块的输出端连接，所述第一逻辑模块的输出端为所述逻辑控制单元的输出端。

进一步地，所述升压单元包括：

为所述芯片提供第一基准电压、第二基准电压、第三基准电压、第一基准电流源、以及第二基准电流源的基准模块，所述基准模块的第一电压基准输出端为所述升压单元的第一电压基准输出端，所述基准模块的第二电压基准输出端为所述升压单元的第二电压基准输出端；

将所述反馈信号与所述第三基准电压进行比较，输出第三比较信号的比较模块，所述比较模块的反向输入端为所述升压单元的反馈端，所述比较模块的正向输入端与所述基准模块的第三电压基准输出端连接；

根据所述第三比较信号进行逻辑判断，输出第二脉冲宽度调制信号的第二逻辑模块，所述第二逻辑模块的输入端与所述比较模块的输出端连接；

根据所述逻辑状态信号的状态对所述第二脉冲宽度调制信号进行传输或屏蔽的逻辑器件，所述逻辑器件的第一输入端与所述第二逻辑模块的输出端连接，所述逻辑器件的第二输入端为所述升压单元的状态控制输入端；以及

在所述第二脉冲宽度调制信号的控制下进行升压控制，输出所述升压直流电压的开关模块，所述开关模块的控制端与所述逻辑器件的输出端连接，所述开关模块的输入端为所述升压单元的升压控制端，所述开关模块的输出端为所述升压单元的电压输出端。

进一步地，所述逻辑器件为与门。

进一步地，所述开关模块包括：

N型MOS管和电阻R3；

所述N型MOS管的漏极为所述开关模块的输入端，所述N型MOS管的栅极为所述开关模块的控制端，所述N型MOS管的源极通过所述电阻R3接地。

进一步地，所述升压单元还包括过压过流保护模块，所述过压过流保护模块的输入端与所述开关模块的输出端连接，所述过压过流保护模块的输出端为所述升压单元的电压输出端。

进一步地，所述芯片采用晶体管SOT23-6式六脚封装。

本实用新型实施例的另一目的在于提供一种采用上述芯片的WLED驱动电路，所述驱动电路还包括：

电阻R1、电容C1、电容C2、电感L1以及二极管D1；

所述芯片状态控制引脚的外部链接端通过所述电容C2接地，所述芯片输入引脚的外部链接端通过所述电感L1与所述芯片升压控制引脚的外部链接端连接，所述芯片升压控制引脚的外部链接端又与所述二极管D1的阳极连接，所述二极管D1的阴极与所述芯片输出引脚的外部链接端连接，所述芯片输出引脚的外部链接端又通过所述电容C1接地，所述芯片输出引脚的外部连接端还与所述负载WLED的阳极连接，所述负载WLED的阴极与所述芯片反馈引脚的外部连接端连接，所述芯片反馈引脚的外部链接端又通过所述电阻R1接地。

在本实用新型实施例中，采用逻辑控制单元和升压单元代替逻辑控制芯片和升压芯片，将两个芯片整合为一个独立的芯片，删减了重复的基准单元，减小了驱动芯片的封装面积，优化了封装工艺，降低了制作成本，并且简化了驱动芯片的应用电路。

附图说明

图1为本实用新型一实施例提供的循环控制WLED驱动芯片的结构图；

图2为本实用新型一实施例提供的循环控制WLED驱动芯片的示例结构图；

图3为本实用新型一实施例提供的循环控制WLED驱动电路的结构图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型实施例采用逻辑控制单元和升压单元代替逻辑控制芯片和升压芯片，将两个芯片整合为一个独立的芯片，删减了重复的基准单元，优化了电路结构，并将封装引脚减少为六个，节省了制作成本，简化了应用电路。

图1示出本实用新型实施例提供的循环控制WLED驱动芯片的结构，为了便于说明，仅示出了与本实用新型相关的部分。

作为本实用新型一实施例提供的循环控制WLED驱动芯片3包括：

输入状态控制信号的状态控制引脚33；

输入低压直流电压的输入引脚34；

输出升压控制信号的升压控制引脚35；

输出升压直流电压的输出引脚36；

输入反馈信号的反馈引脚37；

向芯片内部的接地端以及功率接地端提供接地信号的接地引脚38；

对状态控制信号进行逻辑判断，输出相对应的逻辑状态信号的逻辑控制单元31，逻辑控制单元31的状态输入端与状态控制引脚33的内部连接端连接，逻辑控制单元31的电源端与输出引脚36的内部连接端连接，逻辑控制单元31的接地端和功率接地端均与接地引脚38的内部连接端连接；

根据逻辑状态信号生成升压控制信号，通过升压控制信号对输入低压直流电压进行升压，输出使WLED实现相应的状态变化的升压直流电压，并且通过由升压直流电压生成的反馈信号调整、控制所述升压直流电压的恒定的升压单元32，升压单元32的状态控制输入端与逻辑控制单元31的逻辑状态输出端连接，升压单元32的电压输入端与输入引脚34的内部连接端连接，升压单元32的升压控制端与升压控制引脚35的内部连接端连接，升压单元32的电压输出端与输出引脚36的内部连接端连接，升压单元32的反馈端与反馈引脚37的内部连接端连接，升压单元32的接地端与功率接地端同时与接地引脚38的内部连接端连接，升压单元32的第一电压基准输出端与逻辑控制单元31的第一电压基准输入端连接，升压单元32的第二电压基准输出端与逻辑控制单元31的第二电压基准输入端连接。

以下结合具体实施例对本实用新型的实现进行详细说明。

图2示出了本实用新型实施例提供的循环控制WLED驱动芯片的示例结构，为了便于说明，仅示出了与本实用新型相关的部分。

在本实用新型实施例中，逻辑控制单元31包括：

升高所述状态控制信号的电压的第一基准电流源311，该第一基准电流源311的正极为逻辑控制单元31的电源端，第一基准电流源311的负极与第一开关K1的一端连接，第一开关K1的另一端为逻辑控制单元31的状态输入端；

降低状态控制信号的电压的第二基准电流源312，该第二基准电流源312的正极与第二开关K2的一端连接，第二开关K2的另一端与第一基准电流源311的负极连接，第二基准电流源312的负极为逻辑控制单元31的接地端；

将状态控制信号与升压单元32输出的第一基准电压进行比较，输出第一比较信号的第一比较模块314，该第一比较模块314的一个输入端为逻辑控制单元31的第一基准电压输入端，第一比较模块314的另一个输入端与第一基准电流源311的负极连接；

将状态控制信号与升压单元32输出的第二基准电压进行比较，输出第二比较信号的第二比较模块315，该第二比较模块315的一个输入端与第一电流源311的负极连接，第二比较模块315的另一个输入端为逻辑控制单元31的第二基准电压输入端；以及

对第一比较信号和第二比较信号进行综合判断，输出逻辑状态信号的第一逻辑模块316，该第一逻辑模块316的第一输入端与第一比较模块314的输出端连接，第一逻辑模块316的第二输入端与第二比较模块315的输出端连接，第一逻辑模块316的输出端为逻辑控制单元31的输出端。

升压单元32包括：

为该驱动芯片提供第一基准电压、第二基准电压、第三基准电压、第一基准电流源、以及第二基准电流源的基准模块321，该基准模块321的第一电压基准输出端为升压单元32的第一电压基准输出端，基准模块321的第二电压基准输出端为升压单元32的第二电压基准输出端；

将反馈信号与第三基准电压进行比较，输出第三比较信号的比较模块322，该比较模块322的反向输入端为升压单元32的反馈端，比较模块322的正向输入端与基准模块321的第三电压基准输出端连接；

根据第三比较信号进行逻辑判断，输出第二脉冲宽度调制信号的第二逻辑模块323，该第二逻辑模块323的输入端与比较模块322的输出端连接；

根据逻辑状态信号的状态对第二脉冲宽度调制信号进行传输或屏蔽的逻辑器件324，该逻辑器件324的第一输入端与第二逻辑模块323的输出端连接，逻辑器件324的第二输入端为升压单元32的状态控制输入端；以及

在第二脉冲宽度调制信号的控制下进行升压控制，输出升压直流电压的开关模块325，该开关模块325的控制端与逻辑器件324的输出端连接，开关模块325的输入端为升压单元32的升压控制端，开关模块325的输出端为升压单元32的电压输出端。

在本实用新型实施例中，由升压单元32中的基准模块321为逻辑控制单元31提供第一基准电流、第二基准电流、第一基准电压和第二基准电压，该第一基准电压小于该第二基准电压。

作为本实用新型一实施例，逻辑器件324可以采用与门实现。

作为本实用新型一优选实施例，开关模块325包括：N型MOS管和电阻R3，该N型MOS管的漏极为开关模块325的输入端，N型MOS管的栅极为开关模块325的控制端，N型MOS管的源极通过电阻R3接地。

在本实用新型实施例中，升压单元32还可以包括过压过流保护模块326，该过压过流保护模块326的输入端与开关模块325的输出端连接，过压过流保护模块326的输出端为升压单元32的电压输出端，当过压过流保护模块326检测到开关模块325输出的电压或电流超过该芯片的安全电压或电流时，使芯片断电实现保护，以防止芯片因电流过大烧毁。

在本实用新型实施例中，通过第一开关K1和第二开关K2控制第一基准电流和第二基准电流改变状态控制信号的电压，当第一开关K1闭合，第二开关断开时，第一基准电流通过状态控制引脚对外部储能器件充电，以升高状态控制信号的电压，当第二开关闭合，第一开关断开时，第二基准电流控制外部储能元件放电，以降低状态控制信号的电压，实现无需通过外部引脚实现对状态控制信号的状态控制，减少了一个封装引脚，节省了封装成本。

当BLK引脚输入状态控制信号时，将该状态控制信号的电压分别通过第一比较器与第一基准电压进行比较，输出第一比较信号，当该状态控制信号的电压小于第一基准电压时，令该第一比较信号为高电平，反之，令该第一比较信号为低电平；通过第二比较器与第二基准电压进行比较，输出第二比较信号，当该状态控制信号的电压小于第二基准电压时，令该第二比较信号为高电平，反之，令该第二比较信号为低电平。

第一逻辑模块316根据第一比较信号以及第二比较信号的状态进行判断，输出逻辑状态信号，当状态控制信号的电压小于第一基准电压时，第一比较信号和第二比较信号均为高电平，逻辑状态信号为占空比为1的第一脉冲宽度调制信号，此时，逻辑器件324通过由第二逻辑模块323产生的第二脉冲宽度调制信号，开关模块325在该第二脉冲宽度调制信号的控制下交替导通，实现对输入低压直流电压进行升压，WLED实现高亮状态；

当状态控制信号的电压位于第一基准电压和第二基准之间时，第一比较信号为低电平，第二比较信号为高电平，逻辑状态信号为占空比位于0至1之间的第一脉冲宽度调制信号，此时，当逻辑状态信号为高电平时，逻辑器件324通过由第二逻辑模块323产生的第二脉冲宽度调制信号，实现对输入低压直流电压进行升压，WLED亮；当逻辑状态信号为低电平时，逻辑器件324屏蔽第二脉冲宽度调制信号通过，开关模块325截止，进而无法实现对输入低压直流电压进行升压，WLED熄灭，在此状态下，将逻辑状态信号的频率调整至120Hz左右，使人眼无法辨识出闪烁，即WLED在亮、灭的交替变化过程中使其等效亮度降低，实现暗亮状态。

在本实用新型实施例中，可以令第二脉冲宽度调制信号的频率设置为1MHz。

作为本实用新型一实施例，可以通过调节的占空比调节逻辑状态信号的占空比来调节WLED的亮度变化，逻辑状态信号的占空比越大，WLED越亮，逻辑状态信号的占空比越小，WLED越暗。

当状态控制信号的电压高于第二基准电压时，第一比较信号和第二比较信号均为低电平，逻辑状态信号为占空比为50％的第一脉冲宽度调制信号，在逻辑状态信号为低电平时，逻辑器件324屏蔽第二脉冲宽度调制信号通过，开关模块325截止，进而无法实现对输入低压直流电压进行升压，WLED熄灭；在逻辑状态信号为高电平时，逻辑器件324允许第二脉冲宽度调制信号通过，开关模块325导通，实现对输入低压直流电压进行升压，WLED发光，并在此状态下，将逻辑状态信号的频率调整至7Hz左右，使人眼可以辨识出闪烁，即WLED在等时长下实现亮、灭的交替变化，实现WLED的闪烁状态。

在本实用新型实施例中，升压单元32还通过反馈引脚37将检测到的输出升压直流电压值与基准模块321的第三电压基准输出的第三基准电压进行比较，当反馈信号的电压值低于第三基准电压值，则调节第二脉冲宽度调制信号的占空比增大，以提升输出升压直流电压值，反之，当反馈信号的电压值高于第三基准电压值，则调节第二脉冲宽度调制信号的占空比减小，以降低输出升压直流电压值，从而实现对WLED的恒压、恒流输出。

作为本实用新型一实施例，将该循环控制WLED驱动芯片中的接地端与功率接地端均通过接地引脚引出芯片，即在绘制版图时保留功率接地端，但在封装时将功率接地端与接地端一起引到接地引脚的内部连接端，以减少一个封装引脚。

作为本实用新型一实施例，该循环控制WLED驱动芯片可以采用小外形晶体管六脚式(Small Outline Transistor，SOT23-6)封装，该封装成本与流片成本的比例为1∶1。

在本实用新型实施例中，利用升压单元中的基准模块为逻辑单元提供基准电流以及基准电压，将两个芯片整合为一个芯片，简化了芯片的电路结构，并且减少了两个封装引脚以简化封装工艺，节省制作成本，提升了产品的市场竞等力。

图3示出本实用新型实施例提供的循环控制WLED驱动电路的结构，为了便于说明，仅示出了与本实用新型相关的部分。

该循环控制WLED驱动电路可用于电子照明以及LCD背光源的WLED驱动电路中。

作为本实用新型一实施例，循环控制WLED驱动电路包括上述驱动芯片，该循环控制WLED驱动电路还包括：

电阻R1、电容C1、电容C2、电感L1以及二极管D1；

芯片的状态控制引脚33的外部链接端通过电容C2接地，芯片输入引脚34的外部链接端通过电感L1与芯片升压控制引脚35的外部链接端连接，芯片升压控制引脚35的外部链接端又与二极管D1的阳极连接，二极管D1的阴极与芯片输出引脚36的外部链接端连接，芯片输出引脚36的外部链接端又通过电容C1接地，芯片输出引脚36的外部连接端还与WLED的阳极连接，WLED的阴极与芯片反馈引脚37的外部连接端连接，芯片反馈引脚37的外部链接端又通过电阻R1接地。

在本实用新型实施例中，当控制第一开关K1导通、第二开关K2断开，实现对电容C2的充电，提高状态控制引脚33的电压，当控制第一开关K1断开、第二开关K2导通，电容C2的放电，状态控制引脚33的电压降低，该状态控制引脚33的电压可作为状态控制信号控制上述循环控制WLED驱动芯片的状态，该状态控制信号经过第一比较器314、第二比较器315的比较，第一逻辑模块316的逻辑判断后，控制逻辑器件324向开关模块325传递或者屏蔽第二脉冲宽度调制信号，当第二脉冲宽度调制信号使N型MOS管导通时，升压控制引脚35输出高电平的升压控制信号，升压电感L1储能，输入低压直流电压通过升压电感L1、二极管D1对电容C1进行充电，输出引脚36的电压得以提升，WLED导通发光，当第二脉冲宽度调制信号使N型MOS管截止时，升压控制引脚35输出低电平的升压控制信号，升压电感L1对电容C1的充电速度减慢，而WLED和电阻R1的放电速度没有改变，因此输出升压直流电压降低。

作为本实用新型一实施例，可通过调节状态控制信号的占空比和频率实现对WLED高亮、暗亮、闪烁状态变化的控制。

作为本实用新型一优选实施例，还可通过调节第二脉冲宽度调制信号的占空比实现实现对输出引脚的电压变化的调节。当输出升压直流电压略有降低时，WLED以及电阻R1上的电流减小，电阻R1上的电压降低，反之，当输出升压直流电压略有升高时，电阻R1上的电压升高，因此可通过检测电阻R1上的电压作为反馈信号控制调节第二脉冲宽度调制信号的占空比，实现对输出升压直流电压的恒压控制，进而实现对WLED的恒流控制。

在本实用新型实施例中，采用逻辑控制单元和升压单元代替逻辑控制芯片和升压芯片，将两个芯片整合为一个独立的芯片，删减了重复的基准单元，优化了电路结构，减小了驱动芯片的封装面积，并将封装引脚减少为六个，在优化了封装工艺、降低了制作成本的同时，还简化了驱动芯片的应用电路，进而减小了PCB电路板得面积。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种循环控制WLED驱动芯片，其特征在于，所述芯片包括：

输入状态控制信号的状态控制引脚；

输入低压直流电压的输入引脚；

输出升压控制信号的升压控制引脚；

输出升压直流电压的输出引脚；

输入反馈信号的反馈引脚；

向芯片内部的接地端以及功率接地端提供接地信号的接地引脚；

对所述状态控制信号进行逻辑判断，输出相对应的逻辑状态信号的逻辑控制单元，所述逻辑控制单元的状态输入端与所述状态控制引脚的内部连接端连接，所述逻辑控制单元的电源端与所述输出引脚的内部连接端连接，所述逻辑控制单元的接地端和功率接地端均与所述接地引脚的内部连接端连接；

根据所述逻辑状态信号生成所述升压控制信号，通过所述升压控制信号对所述输入低压直流电压进行升压，输出使WLED实现相应的状态变化的所述升压直流电压，并且通过由所述升压直流电压生成的所述反馈信号调整、控制所述升压直流电压的恒定的升压单元，所述升压单元的状态控制输入端与所述逻辑控制单元的逻辑状态输出端连接，所述升压单元的电压输入端与所述输入引脚的内部连接端连接，所述升压单元的升压控制端与所述升压控制引脚的内部连接端连接，所述升压单元的电压输出端与所述输出引脚的内部连接端连接，所述升压单元的反馈端与所述反馈引脚的内部连接端连接，所述升压单元的接地端与功率接地端同时与接地引脚的内部连接端连接，所述升压单元的第一电压基准输出端与所述逻辑控制单元的第一电压基准输入端连接，所述升压单元的第二电压基准输出端与所述逻辑控制单元的第二电压基准输入端连接。

2.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述逻辑控制单元包括：

升高所述状态控制信号的电压的第一基准电流源，所述第一基准电流源的正极为所述逻辑控制单元的电源端，所述第一基准电流源的负极与第一开关的一端连接，所述第一开关的另一端为所述逻辑控制单元的状态输入端；

降低所述状态控制信号的电压的第二基准电流源，所述第二基准电流源的正极与第二开关的一端连接，所述第二开关的另一端与所述第一基准电流源的负极连接，所述第二基准电流源的负极为所述逻辑控制单元的接地端；

将所述状态控制信号与所述升压单元输出的第一基准电压进行比较，输出第一比较信号的第一比较模块，所述第一比较模块的一个输入端为所述逻辑控制单元的第一基准电压输入端，所述第一比较模块的另一个输入端与所述第一基准电流源的负极连接；

将所述状态控制信号与所述升压单元输出的第二基准电压进行比较，输出第二比较信号的第二比较模块，所述第二比较模块的一个输入端与所述第一电流源的负极连接，所述第二比较模块的另一个输入端为所述逻辑控制单元的第二基准电压输入端；以及

对所述第一比较信号和第二比较信号进行综合判断，输出所述逻辑状态信号的第一逻辑模块，所述第一逻辑模块的第一输入端与所述第一比较模块的输出端连接，所述第一逻辑模块的第二输入端与所述第二比较模块的输出端连接，所述第一逻辑模块的输出端为所述逻辑控制单元的输出端。

3.如权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述升压单元包括：

为所述芯片提供第一基准电压、第二基准电压、第三基准电压、第一基准电流源、以及第二基准电流源的基准模块，所述基准模块的第一电压基准输出端为所述升压单元的第一电压基准输出端，所述基准模块的第二电压基准输出端为所述升压单元的第二电压基准输出端；

将所述反馈信号与所述第三基准电压进行比较，输出第三比较信号的比较模块，所述比较模块的反向输入端为所述升压单元的反馈端，所述比较模块的正向输入端与所述基准模块的第三电压基准输出端连接；

根据所述第三比较信号进行逻辑判断，输出第二脉冲宽度调制信号的第二逻辑模块，所述第二逻辑模块的输入端与所述比较模块的输出端连接；

根据所述逻辑状态信号的状态对所述第二脉冲宽度调制信号进行传输或屏蔽的逻辑器件，所述逻辑器件的第一输入端与所述第二逻辑模块的输出端连接，所述逻辑器件的第二输入端为所述升压单元的状态控制输入端；以及

在所述第二脉冲宽度调制信号的控制下进行升压控制，输出所述升压直流电压的开关模块，所述开关模块的控制端与所述逻辑器件的输出端连接，所述开关模块的输入端为所述升压单元的升压控制端，所述开关模块的输出端为所述升压单元的电压输出端。

4.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述逻辑器件为与门。

5.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述开关模块包括：

N型MOS管和电阻R3；

所述N型MOS管的漏极为所述开关模块的输入端，所述N型MOS管的栅极为所述开关模块的控制端，所述N型MOS管的源极通过所述电阻R3接地。

6.如权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述升压单元还包括过压过流保护模块，所述过压过流保护模块的输入端与所述开关模块的输出端连接，所述过压过流保护模块的输出端为所述升压单元的电压输出端。

7.如权利要求1至6任一项所述的芯片，其特征在于，所述芯片采用晶体管SOT23-6式六脚封装。

8.一种循环控制WLED驱动电路，其特征在于，所述电路包括如权利要求1至7中任一项所述的芯片，所述电路还包括：

电阻R1、电容C1、电容C2、电感L1以及二极管D1；

所述芯片状态控制引脚的外部链接端通过所述电容C2接地，所述芯片输入引脚的外部链接端通过所述电感L1与所述芯片升压控制引脚的外部链接端连接，所述芯片升压控制引脚的外部链接端又与所述二极管D1的阳极连接，所述二极管D1的阴极与所述芯片输出引脚的外部链接端连接，所述芯片输出引脚的外部链接端又通过所述电容C1接地，所述芯片输出引脚的外部连接端还与所述负载WLED的阳极连接，所述负载WLED的阴极与所述芯片反馈引脚的外部连接端连接，所述芯片反馈引脚的外部链接端又通过所述电阻R1接地。

Images