CN202197099U - 一种锂电池充电保护芯片 - Google Patents

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CN202197099U CN2011203440842U CN201120344084U CN202197099U CN 202197099 U CN202197099 U CN 202197099U CN 2011203440842 U CN2011203440842 U CN 2011203440842U CN 201120344084 U CN201120344084 U CN 201120344084U CN 202197099 U CN202197099 U CN 202197099U
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杨兴洲
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Abstract

本申请公开了一种锂电池充电保护芯片,所述锂电池充电保护芯片的OUT引脚处连接有钳位电路,所述钳位电路用于在检测到所述OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,产生下拉电流。应用上述技术方案,钳位电路在检测到OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,产生下拉电流,将OUT引脚的电荷释放,以降低OUT引脚输出的电压。与现有技术相比,通过改变锂电池充电保护芯片的内部电路,使锂电池充电保护芯片集成了稳压管的功能,从而在测试锂电池充电保护芯片的OUT引脚输出的电压时,无需在OUT引脚处连接稳压管,降低了测试成本。

Description

一种锂电池充电保护芯片
技术领域
本申请涉及锂电池技术领域,特别是涉及一种锂电池充电保护芯片。
背景技术
锂电池充电前,需要事先测试锂电池充电保护芯片的OUT引脚输出的电压,以确保OUT引脚输出的电压在锂电池的充电电压范围内,避免锂电池在充电过程中被损坏。
目前,测试锂电池充电保护芯片的OUT引脚输出的电压的电路图请参阅图1,其中:锂电池充电保护芯片11的OUT引脚与PMIC(Power ManagementIC,电源管理芯片)12的ISEN引脚相连,电源13通过开关14连接到OUT引脚和ISEN引脚的连接线上。检测电阻15连接在锂电池充电保护芯片11的OUT引脚和PMIC12的VBAT引脚之间,锂电池16的正端连接检测电阻15和PMIC12的VBAT引脚的连接点,负端连接接地端。电容17和稳压管18并联连接在锂电池充电保护芯片11的OUT引脚和接地端之间,其中:稳压管18的阴极连接锂电池充电保护芯片11的OUT引脚,阳极连接接地端。
图1所示的测试电路图的原理为:开关14闭合,电源13与OUT引脚导通,测试OUT引脚输出的电压;开关14断开,电源13与OUT引脚断开连接,测试结束。但是,当电源13与OUT引脚导通时,电源13与OUT引脚之间连接的导线上寄生电感的作用,使OUT引脚产生高电压,此高电压大于预设保护电压时,损坏锂电池16。连接在OUT引脚和接地端之间的稳压管18避免OUT引脚产生高电压,从而进一步避免对锂电池16的损坏。
然而,上述测试电路图在锂电池充电保护芯片11的外部同时增加电容17和稳压管18,增加了测试成本。
实用新型内容
有鉴于此,本申请实施例公开一种锂电池充电保护芯片,以解决现有测试电路中同时增加电容和稳压管,测试成本高的问题。技术方案如下:
本申请实施例公开一种锂电池充电保护芯片,所述锂电池充电保护芯片的OUT引脚处连接有钳位电路,所述钳位电路用于在检测到所述OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,产生下拉电流。
优选地,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、运算放大器和N沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管的集电极相互连接,发射极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一NPN型三极管中未连接发射极的集电极相连,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二NPN型三极管的集电极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,基极连接集电极,发射极连接接地端;
所述运算放大器的正相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,反相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述N沟道增强型MOS管的栅极;
所述N沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
优选地,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个第一二极管、第二二极管、运算放大器和N沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个第一二极管的阳极相互连接,阴极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一二极管的阳极,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二二极管的阳极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,阴极连接接地端;
所述运算放大器的正相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,反相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述N沟道增强型MOS管的栅极;
所述N沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
优选地,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个二极管连接状态的第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、运算放大器和N沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管的发射极相互连接,集电极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一PNP型三极管的发射极相连,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二PNP型三极管的发射极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,基极连接集电极,集电极连接接地端;
所述运算放大器的正相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,反相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述N沟道增强型MOS管的栅极;
所述N沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
优选地,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、运算放大器和P沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管的集电极相互连接,发射极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一NPN型三极管的集电极,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二NPN型三极管的集电极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,基极连接集电极,发射极连接接地端;
所述运算放大器的反相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,正相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述P沟道增强型MOS管的栅极;
所述P沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
优选地,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个第一二极管、第二二极管、运算放大器和P沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个第一二极管的阳极相互连接,阴极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一二极管的阳极,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二二极管的阳极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,阴极连接接地端;
所述运算放大器的反相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,正相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述P沟道增强型MOS管的栅极;
所述P沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
优选地,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个二极管连接状态的第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、运算放大器和P沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个二极管连接状态的第一PNP型三极管的发射极相互连接,集电极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一PNP型三极管的发射极,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二PNP型三极管的发射极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,基极连接集电极,集电极连接接地端;
所述运算放大器的反相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,正相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述P沟道增强型MOS管的栅极;
所述P沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
优选地,还包括:与所述OUT引脚相连,检测所述OUT引脚的电压上升速率和电压,在所述电压上升速率大于预设速率且电压大于预设保护电压时,控制所述钳位电路工作的斜率检测电路。
优选地,所述斜率检测电路包括:电容、电阻、第一非门、第二非门和基本RS触发器;其中:
所述电容一端连接所述OUT引脚,另一端连接所述电阻的一端,所述电阻的另一端连接接地端;
所述第一非门输入端连接所述电容和所述电阻的连接点,输出端连接所述第二非门的输入端,所述第二非门的输出端连接所述基本RS触发器的S端。
应用上述技术方案,锂电池充电保护芯片的OUT引脚处连接有钳位电路。钳位电路在检测到OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,产生下拉电流,将OUT引脚的电荷释放,以降低OUT引脚输出的电压。与现有技术相比,通过改变锂电池充电保护芯片的内部电路,使锂电池充电保护芯片集成了稳压管的功能,从而在测试锂电池充电保护芯片的OUT引脚输出的电压时,无需在OUT引脚处连接稳压管,降低了测试成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有测试锂电池充电保护芯片电压的电路图;
图2为本申请实施例公开的锂电池充电保护芯片的一种局部示意图;
图3为本申请实施例公开的锂电池充电保护芯片中钳位电路的一种电路图;
图4为本申请实施例公开的锂电池充电保护芯片中钳位电路的另一种电路图;
图5为本申请实施例公开的锂电池充电保护芯片中钳位电路的再一种电路图;
图6为本申请实施例公开的锂电池充电保护芯片的另一种局部示意图;
图7为本申请实施例公开的锂电池充电保护芯片中斜率检测电路的电路图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
一个实施例
请参阅图2,图2为本申请实施例公开的锂电池充电保护芯片局部示意图,其中:锂电池充电保护芯片的OUT引脚处连接有钳位电路21。钳位电路21用于检测OUT引脚输出的电压,在检测到OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,产生下拉电流。OUT引脚的电荷在下拉电流作用下被释放,使得输出电压降低。
钳位电路21可以采用图2所示的电路图,包括:第一电阻22、第二电阻23、第三电阻24、第四电阻25、第五电阻26、两个二极管连接状态的第一NPN型三极管27、第二NPN型三极管28、运算放大器29和N沟道增强型MOS管30;其中:
第一电阻22和第二电阻23串联连接在OUT引脚和接地端之间。
两个二极管连接状态的第一NPN型三极管27的集电极相互连接,发射极连接接地端。二极管连接状态是指三极管的集电极和基极连接在一起。
第三电阻24一端连接两个第一NPN型三极管27的集电极,另一端连接第一电阻22和第二电阻23的连接点。
第四电阻25和第五电阻26串联连接在OUT引脚和接地端之间。
第二NPN型三极管28的集电极连接第四电阻25和第五电阻26的连接点,基极连接集电极,发射极连接接地端。
运算放大器29的正相输入端连接第一电阻22和第二电阻23的连接点,反相输入端连接第四电阻25和第五电阻26的连接点,输出端连接N沟道增强型MOS管30的栅极。N沟道增强型MOS管30的漏极连接OUT引脚,源极连接接地端。
上述第一电阻22和第四电阻25具有相同阻值。第二电阻23和第五电阻26具有相同阻值。从图2所示的钳位电路21可以看出,当运算放大器29的正相输入端和反相输入端输入相同电压时,钳位电路21产生的固定电压等于OUT引脚输出的电压,将其作为预设保护电压。当OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,运算放大器29的正相输入端电压大于反相输入端电压,运算放大器29输出高电位,N沟道增强型MOS管30导通,产生下拉电流,OUT引脚的电荷通过N沟道增强型MOS管30释放,从而降低OUT引脚输出的电压。反之,当OUT引脚输出的电压小于预设保护电压时,运算放大器29的正相输入端电压小于反相输入端电压,运算放大器29输出低电位,N沟道增强型MOS管30截止,不影响OUT引脚输出的电压。
上述第一NPN型三极管27的个数大于1个,第二NPN型三极管28的个数为1个,之所以设定第一NPN型三极管27的个数大于1个,第二NPN型三极管28的个数为1个,是为了保证在OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,运算放大器29的正相输入端电压大于反相输入端电压,输出高电位,N沟道增强型MOS管30导通,产生下拉电流,以降低OUT引脚输出的电压。在OUT引脚输出的电压小于预设保护电压时,运算放大器29的正相输入端电压小于反相输入端电压,运算放大器29输出低电位,N沟道增强型MOS管30截止,不影响OUT引脚输出的电压。
第一NPN型三极管27还可以为二极管连接状态的PNP型三极管,当第一NPN型三极管27为二极管连接状态的PNP型三极管,与图2的不同之处在于:两个二极管连接状态的PNP型三极管的集电极连接接地端,发射极相互连接,且连接第三电阻24。第二NPN型三极管28还可以为PNP型三极管,PNP型三极管的发射极连接第四电阻25和第五电阻26的连接点,基极连接集电极,集电极连接接地端。
第一NPN型三极管27还可以采用至少两个并联的二极管31代替,即两个二极管31的阳极相互连接,阴极连接接地端,且相互连接的阳极连接第三电阻24。二极管32阳极连接第四电阻25和第五电阻26的连接点,阴极连接接地端,如图3所示。图3所示的钳位电路中其他元器件的连接与图2所述的钳位电路中具有相同标号的元器件的连接相同,并且图3所示的钳位电路的工作原理与图2所述的钳位电路也相同,对此不再加以阐述。
相应地,本申请实施例公开的锂电池充电保护芯片中钳位电路的电路图还可以参阅图4和图5。以图4为例,包括:第一电阻41、第二电阻42、第三电阻43、第四电阻44、第五电阻45、两个二极管连接状态的第一NPN型三极管46、第二NPN型三极管47、运算放大器48和P沟道增强型MOS管40;其中:
第一电阻41和第二电阻42串联连接在OUT引脚和接地端之间。
两个二极管连接状态的第一NPN型三极管46的集电极相互连接,发射极连接接地端。
第三电阻43一端连接两个第一NPN型三极管46的集电极相连,另一端连接第一电阻41和第二电阻42的连接点。
第四电阻44和第五电阻45串联连接在OUT引脚和接地端之间。
第二NPN型三极管47的集电极连接第四电阻44和第五电阻45的连接点,基极连接集电极,发射极连接接地端。
运算放大器48的反相输入端连接第一电阻41和第二电阻42的连接点,正相输入端连接第四电阻44和第五电阻45的连接点,输出端连接P沟道增强型MOS管49的栅极。
P沟道增强型MOS管49的漏极连接OUT引脚,源极连接接地端。
上述图4所示的钳位电路同样可以在OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,运算放大器48的正相输入端电压小于反相输入端电压,运算放大器48输出高电位,P沟道增强型MOS管49导通,产生下拉电流,OUT引脚的电荷通过P沟道增强型MOS管49释放,从而降低OUT引脚输出的电压。反之,当OUT引脚输出的电压小于预设保护电压时,运算放大器48的正相输入端电压大于反相输入端电压,运算放大器48输出低电位,P沟道增强型MOS管49截止,不影响OUT引脚输出的电压。
第一NPN型三极管46的个数还可以为3个或者4个,即大于1的数目。第一NPN型三极管46还可以为二极管连接状态的PNP型三极管,当第一NPN型三极管46为二极管连接状态的PNP型三极管,与图4的不同之处在于:两个二极管连接状态的PNP型三极管的集电极连接接地端,发射极相互连接,且连接第三电阻43。第二NPN型三极管47还可以为PNP型三极管,PNP型三极管的发射极连接第四电阻44和第五电阻45的连接点,基极连接集电极,集电极连接接地端。
图5所示的钳位电路与图4所示的钳位电路工作原理相同,不同之处在于:图5中采用至少两个二极管50代替第一NPN型三极管46,一个二极管51代替第二NPN型三极管47,两个二极管50的阳极相互连接,阴极连接接地端,且相互连接的阳极连接第三电阻43。二极管51阳极连接第四电阻44和第五电阻45的连接点,阴极连接接地端。
需要说明的是:本申请实施例公开的锂电池充电保护芯片的内部电路虽然被改变,但是锂电池充电保护芯片的价格并没有变化。
应用上述技术方案,锂电池充电保护芯片的OUT引脚处连接有钳位电路21。钳位电路21在检测到OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,产生下拉电流,将OUT引脚的电荷释放,以降低OUT引脚输出的电压。与现有技术相比,通过改变锂电池充电保护芯片的内部电路,使锂电池充电保护芯片集成了稳压管的功能,从而在测试锂电池充电保护芯片的OUT引脚输出的电压时,无需在OUT引脚处连接稳压管,降低了测试成本。
另一个实施例
上述实施例中钳位电路21在检测到OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,即产生下拉电流,以降低OUT引脚输出的电压。但是实际上OUT引脚输出的电压在电压上升速率大于预设速率且电压大于预设保护电压时,才需要降低OUT引脚输出的电压,因此,本申请实施例提供了另一种锂电池充电保护芯片,在图2的基础上,增加斜率检测电路20,如图6所示。
斜率检测电路20与OUT引脚相连,检测OUT引脚的电压上升速率和电压,在电压上升速率大于预设速率且电压大于预设保护电压时,控制钳位电路21工作。
上述斜率检测电路20的电路图可以参阅图7,包括:电容52、电阻53、第一非门54、第二非门55和基本RS触发器56;其中:
电容52一端连接OUT引脚,另一端连接电阻53的一端,电阻53的另一端连接接地端。第一非门54输入端连接电容52和电阻53的连接点,输出端连接第二非门55的输入端,第二非门55的输出端连接基本RS触发器56的S端。
电容52和电阻53的连接端的电压随着OUT引脚输出的电压变化。当OUT引脚输出的电压上升速率大于预设速率时,电容52和电阻53的连接端的电压大于第一非门54的反转电压,第一非门54的逻辑输出会从高变为低,之后由第二非门55做逻辑变化,最后通过基本RS触发器56产生有效的使能信号,钳位电路21在有效的使能信号作用下工作。当OUT引脚输出的电压上升速率小于预设速率时,电容52和电阻53的连接端的电压小于第一非门54的反转电压,基本RS触发器56产生无效的使能信号,钳位电路21不工作。
本申请实施例的预设速率由电容52和电阻53的取值而定,对于不同的锂电池,可以选用不同的电容52和电阻53。钳位电路21的具体电路图可以参阅图2至图5中的任意一种,每个钳位电路21中的运算放大器改为具有使能信号的运算放大器。运算放大器的使能信号端连接斜率检测电路20的输出。
应用上述技术方案,斜率检测电流20在检测OUT引脚的电压上升速率和电压,在电压上升速率大于预设速率且电压大于预设保护电压时,控制钳位电路21工作,提高保护准确度。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个......”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (9)

1.一种锂电池充电保护芯片,其特征在于,所述锂电池充电保护芯片的OUT引脚处连接有钳位电路,所述钳位电路用于在检测到所述OUT引脚输出的电压大于预设保护电压时,产生下拉电流。
2.根据权利要求1所述的锂电池充电保护芯片,其特征在于,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、运算放大器和N沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管的集电极相互连接,发射极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一NPN型三极管的集电极相连,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二NPN型三极管的集电极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,基极连接集电极,发射极连接接地端;
所述运算放大器的正相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,反相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述N沟道增强型MOS管的栅极;
所述N沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
3.根据权利要求1所述的锂电池充电保护芯片,其特征在于,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个第一二极管、第二二极管、运算放大器和N沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个第一二极管的阳极相互连接,阴极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一二极管的阳极,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二二极管的阳极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,阴极连接接地端;
所述运算放大器的正相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,反相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述N沟道增强型MOS管的栅极;
所述N沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
4.根据权利要求1所述的锂电池充电保护芯片,其特征在于,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个二极管连接状态的第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、运算放大器和N沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管的发射极相互连接,集电极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一PNP型三极管的发射极相连,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二PNP型三极管的发射极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,基极连接集电极,集电极连接接地端;
所述运算放大器的正相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,反相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述N沟道增强型MOS管的栅极;
所述N沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
5.根据权利要求1所述的锂电池充电保护芯片,其特征在于,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、运算放大器和P沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个二极管连接状态的第一NPN型三极管的集电极相互连接,发射极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一NPN型三极管的集电极,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二NPN型三极管的集电极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,基极连接集电极,发射极连接接地端;
所述运算放大器的反相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,正相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述P沟道增强型MOS管的栅极;
所述P沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
6.根据权利要求1所述的锂电池充电保护芯片,其特征在于,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个第一二极管、第二二极管、运算放大器和P沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个第一二极管的阳极相互连接,阴极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一二极管的阳极,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二二极管的阳极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,阴极连接接地端;
所述运算放大器的反相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,正相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述P沟道增强型MOS管的栅极;
所述P沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
7.根据权利要求1所述的锂电池充电保护芯片,其特征在于,所述钳位电路包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、与所述第一电阻具有相同阻值的第四电阻、与所述第二电阻具有相同阻值的第五电阻、至少两个二极管连接状态的第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、运算放大器和P沟道增强型MOS管;其中:
所述第一电阻和所述第二电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述至少两个二极管连接状态的第一PNP型三极管的发射极相互连接,集电极连接接地端;
所述第三电阻一端连接所述至少两个第一PNP型三极管的发射极,另一端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点;
所述第四电阻和所述第五电阻串联连接在OUT引脚和接地端之间;
所述第二PNP型三极管的发射极连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,基极连接集电极,集电极连接接地端;
所述运算放大器的反相输入端连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接点,正相输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻的连接点,输出端连接所述P沟道增强型MOS管的栅极;
所述P沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚,源极连接接地端。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的锂电池充电保护芯片,其特征在于,还包括:与所述OUT引脚相连,检测所述OUT引脚的电压上升速率和电压,在所述电压上升速率大于预设速率且电压大于预设保护电压时,控制所述钳位电路工作的斜率检测电路。
9.根据权利要求8所述的锂电池充电保护芯片,其特征在于,所述斜率检测电路包括:电容、电阻、第一非门、第二非门和基本RS触发器;其中:
所述电容一端连接所述OUT引脚,另一端连接所述电阻的一端,所述电阻的另一端连接接地端;
所述第一非门输入端连接所述电容和所述电阻的连接点,输出端连接所述第二非门的输入端,所述第二非门的输出端连接所述基本RS触发器的S端。
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