CN205544488U

CN205544488U - 过流检测、保护电路及电池

Info

Publication number: CN205544488U
Application number: CN201620330767.5U
Authority: CN
Inventors: 姜伟; 田文博; 王钊
Original assignee: Wuxi Zhonggan Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Wuxi Zhonggan Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2016-04-19
Filing date: 2016-04-19
Publication date: 2016-08-31
Anticipated expiration: 2026-04-19

Abstract

本申请提供了一种过流检测、保护电路以及电池，包括镜像电流源电路、主电流电路、第一支路、第二支路、比较电路和过流补偿电路，镜像电流源电路分别与主电流电路的第一端、第一支路的第一端和第二支路的第一端相连，比较电路用于检测第一支路和第二支路的电流并输出比较结果，过流补偿电路的一端与第一支路的一端、比较电路的第一端连接于第一连接点、另一端与第二支路的一端、比较电路的第二端连接于第二连接点，过流补偿电路包括第一电流支路、第二电流支路和电流调节支路，第一电流支路、第二电流支路镜像电流调节支路的随电源变化的电流，分别从第一连接点和第二连接点抽取复制电流。采用本申请所提供的技术方案可以确保过流保护更加精确。

Description

过流检测、保护电路及电池

技术领域

本申请涉及电池安全技术领域，尤其涉及一种过流检测、保护电路以及电池。

背景技术

锂电池由于体积小、能量密度高、无记忆效应、自放电率低、循环次数多等优点被越来越多的应用于各种电子产品中。但在应用过程中，过充、过放、过流、短路都会对锂电池造成不可逆的损坏，导致其寿命缩短，甚至发生爆炸，因此，锂电池必须配合锂电池保护芯片使用。

通常，锂电池保护芯片具有过充、过放、过流、短路保护功能。锂电池保护芯片监测电池电压和充放电电流信息，当达到保护阈值时关断相应的充放电晶体管，达到对电池保护的目的。

为了避免误操作、实现更加可靠的保护，各种保护恢复阈值都有对应的电压迟滞以及延时功能。过流保护是锂电池保护芯片的一个基本和重要功能，但目前在不同的电池电压下，其过流保护阈值是不同的，电压越高、过流保护阈值越大，导致过流保护不准确。

现有技术不足在于：

现有的过流保护阈值随电池电压的高低而发生变化，导致过流保护不准确。

发明内容

本申请实施例提出了一种过流检测、保护电路以及电池，以解决现有技术中过流保护阈值随电池电压的高低而发生变化，导致过流保护不准确的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种过流检测电路，包括镜像电流源电路、主电流电路、第一支路、第二支路、比较电路和过流补偿电路，所述镜像电流源电路分别与所述主电流电路的第一端、所述第一支路的第一端和所述第二支路的第一端相连，所述主电流电路的电流由所述镜像电流源电路镜像至所述第一支路和所述第二支路，所述比较电路用于检测所述第一支路和第二支路的电流并输出比较结果，所述过流补偿电路的第一端与所述第一支路的第一端、所述比较电路的第一端连接于第一连接点，所述过流补偿电路的第二端与所述第二支路的第一端、所述比较电路的第二端连接于第二连接点，所述过流补偿电路包括第一电流支路、第二电流支路和电流调节支路，所述电流调节支路产生随电源变化的基准电流，所述第一电流支路、第二电流支路镜像复制所述电流调节支路产生的基准电流，并分别从第一连接点和第二连接点抽取复制电流。

第二个方面，本申请实施例提供了一种过流保护电路，包括开关保护电路、以及包括上述过流检测电路的电池保护芯片，所述开关保护电路包括第一开关电路和第二开关电路，所述电池保护芯片的第一输出端DOUT与所述第一开关电路相连，所述电池保护芯片的第二输出端COUT与所述第二开关电路相连，在所述过流检测电路检测到放电电流超过过流保护阈值时所述第一输出端DOUT的输出为异常放电保护信号，所述第一开关电路断开所述电池保护芯片的放电回路，在所述过流检测电路检测到充电电流超过过流保护阈值时所述第二输出端COUT的输出为异常充电保护信号，第二开关电路断开所述电池保护芯片的充电回路。

第三个方面，本申请实施例提供了一种电池，包括电芯、壳体以及上述过流保护电路，所述电芯的正极B+与第一外部连接端P+连接，所述电芯的负极B-与第二外部连接端P-连接，电池保护芯片检测端VM的第一电源端VDD经R₁与电芯正极B+、所述第一外部连接端P+连接，所述VM的第二电源端VSS与所述第二外部连接端P-连接。

有益效果如下：

本申请实施例所提供的技术方案，增加了过流补偿电路，由于过流补偿电路的第一电流支路、第二电流支路均镜像复制所述电流调节支路产生的随电源变化的基准电流，并分别从第一连接点和第二连接点抽取复制电流，因此，所述从电流调节支路复制的基准电流随电源电压的变化而变化，第一连接点、第二连接点的电流大小随电源电压大小变化，进而导致第二支路上的芯片管脚电压VEDI的值可以随电源电压变化而变化，从而实现了对过流保护阈值进行补偿的目的，使得过流保护阈值不随电源电压变化而变化，确保过流保护更加精确。

附图说明

下面将参照附图描述本申请的具体实施例，其中：

图1示出了本申请实施例中锂电池保护系统的结构示意图；

图2示出了本申请实施例中过流检测电路的结构示意图一；

图3示出了本申请实施例中过流检测电路的结构示意图二；

图4示出了本申请实施例中过流补偿电路的结构示意图。

具体实施方式

为了使本申请的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。并且在不冲突的情况下，本说明中的实施例及实施例中的特征可以互相结合。

发明人在发明过程中注意到：

图1示出了本申请实施例中锂电池保护系统的结构示意图，如图所示，该系统可以有电芯、开关组合电路和电芯保护电路，电芯保护电路可以包括锂电池保护芯片101、电阻R₁’、电阻R₂’以及电容C₁。所述锂电池保护芯片101的第一电源端VDD(或者称电源电压)通过电阻R₁’与电芯的正极(连接端B+)相连，所述锂电池保护芯片101的第二电源端VSS(或者称接地端电压)与电芯的负极(连接端B-)相连，所述第一电源端VDD和第二电源端VSS之间连接有去耦电容C₁，所述锂电池保护芯片101的检测端VM通过电阻R₂'与第二外部连接端P-相连。

其中，所述C₁可以为0.1微法(μF)。

电芯单元BAT的一个连接端与第一外部连接端P+相连，电芯单元BAT的另一个连接端通过所述开关组合电路连接于第二外部连接端P-。

具体实施时，所述开关组合电路可以包括充电晶体管Q₂'及其寄生二极管D₂、放电晶体管Q₁’及其寄生二极管D₁，所述Q₁’的源极与电芯单元BAT的负极(连接端B-)相连，所述Q₁’的栅极为放电保护控制端，所述Q₁’的漏极与Q₂’的漏极相连，所述Q₂’的源极与第二外部连接端P-相连，所述Q₂’的栅极为所述开关组合电路的充电保护控制端。Q₁’可以根据其控制端的信号的控制导通或截止来导通或截至放电回路，因此，Q₁’也可以被称为放电控制开关；Q₂’可以根据其控制端的信号的控制导通或截止来导通或截至充电回路，因此，Q₂’也可以被称为充电控制开关。

由图1可知，过流保护阈值I_OC由芯片VM管角电压V_EDI和充放电晶体管的导通电阻R_DS(ON)共同确定，其值可以为：

I_OC＝V_EDI/(R_DS _1(ON)+R_DS2(ON))，

其中，R_DS1(ON)和R_DS2(ON)分别为晶体管Q1’和晶体管Q2’的导通电阻。

对于选定的晶体管Q₁’和Q₂’，其R_DS(ON)是确定的，当V_EDI值确定后，I_OC值随之确定。

图2示出了本申请实施例中过流检测电路的结构示意图一，如图所示，所述过流检测电路包括第一NMOS晶体管NM₁、电阻R₁、电阻R₂、电阻R₃、晶体管Q₁、晶体管Q₂、晶体管Q₃、电流比较器I₂，以及P型MOS晶体管PM₁、PM₂、PM₃、PM₄、PM₅、PM₆，其中，

NM₁的源极与Q₁的基极B、R₁的一端相连，R₁的另一端与Q₁的发射极E相连并接地，NM₁的栅极与Q₁的集电极C相连并连接于PM₂的漏极，NM₁的漏极与PM₁的漏极相连，PM₁、PM₂、PM₃、PM₄的栅极相连，PM₁、PM₂、PM₃、PM₄的源极相连并连接于电源电压，PM₃的漏极与R₂的一端、Q₂的基极连接于A点，PM₄的漏极与PM₆的源极、Q₃的基极连接于B点，PM₅的栅极和漏极接地，PM₆的栅极连接锂电池保护芯片的检测端VM，PM₆的漏极接地，Q₂的发射极、Q₃的发射极相连并接地，Q₂的集电极与电流比较器I₂的正极相连，Q₃的集电极与电流比较器的负极相连，电流比较器I₂输出比较结果。

晶体管Q₁和电阻R₁产生电流I，所述I＝V_BE1/R₁，由于V_BE具有负温度系数(NTC，Negative Temperature Coefficient)，所以该电流具有负温度系数(温度越低、电流越高)，PM₁、PM₂、PM₃、PM₄是镜像电流源，把电流I镜像到PM₅和PM₆支路，I₂是电流比较器，I₁可以为电流表，指示电流方向。

根据图2可知，在该电路中，有以下公式成立：

V_EDI+V_GS6-V_BEQ3＝GND+V_GS5+I*R₂-V_BEQ2：

在V_GS6＝V_GS5时，有：

V_EDI＝I*R₂+(V_BEQ3-V_BEQ2)＝V_BE1/R₁*R₂+delta(V_BE)；

其中，delta(V_BE)＝V_BEQ3-V_BEQ2；

这样，过流保护阈值I_OC＝(V_BE1/R₁*R₂+delta(V_BE))/(R_DS1(ON)+R_DS2(ON))。

在实际应用中，晶体管的导通电阻随栅源电压不断变化，在其它条件不变的情况下，栅源电压变大，导通电阻变低，具体的变化率和不同厂家的晶体管有关。

因此，在不同的电池电压下，其过流保护阈值I_OC是不同的，电压越高，过流保护阈值I_OC越大，过流保护阈值的变化会导致过流保护不准确，有必要设计一种电路对过流保护阈值I_OC进行补偿。

基于此，本申请实施例提出了一种过流补偿、检测、保护电路以及电池、电子设备，用于克服由于电源电压的变化导致过流保护阈值的变化。

为了便于本申请的实施，下面结合具体实施例对本申请所提出的过流检测、保护电路以及电池进行说明。

实施例一、

图3示出了本申请实施例中过流检测电路的结构示意图二，如图所示，本申请实施例中过流检测电路，可以包括镜像电流源电路、主电流电路、第一支路、第二支路、比较电路和过流补偿电路，所述镜像电流源电路分别与所述主电流电路的第一端、所述第一支路的第一端和所述第二支路的第一端相连，所述主电流电路的电流由所述镜像电流源电路镜像至所述第一支路和所述第二支路，所述比较电路用于检测所述第一支路和第二支路的电流并输出比较结果，所述过流补偿电路的第一端与所述第一支路的第一端、所述比较电路的第一端连接于第一连接点，所述过流补偿电路的第二端与所述第二支路的第一端、所述比较电路的第二端连接于第二连接点，所述过流补偿电路包括第一电流支路、第二电流支路和电流调节支路，所述电流调节支路产生随电源变化的基准电流，所述第一电流支路、第二电流支路均镜像复制所述电流调节支路产生的基准电流，并分别从第一连接点和第二连接点抽取复制电流。

具体实施时，所述电流调节支路产生随电源变化的基准电流，具体可以为：所述电流调节电路一端直接与电源相连、另一端接地，所述电流调节支路的电压根据电源电压的大小变化。所述第一电流支路、第二电流支路均可以镜像复制所述电流调节支路产生的基准电流，并分别从第一连接点和第二连接点抽取复制电流。由于所述电流调节支路产生的基准电流随电源变化，所述第一电流支路、第二电流支路镜像复制后的电流依然随电源变化，又由于所述第一电流支路从第一连接点抽取复制电流、所述第二电流支路从第二连接点抽取复制电流，从而所述第一支路、第二支路的电流也随电源变化。

实施中，所述电流调节支路可以包括第二金属氧化物半导体MOS晶体管和第三电阻R3，所述第一电流支路包括第三MOS晶体管，所述第二电流支路包括第四MOS晶体管，其中，所述第二MOS晶体管的栅极、所述第三MOS晶体管的栅极、所述第四MOS晶体管的栅极和所述第二MOS晶体管的漏极相连并连接于所述R₃的一端，所述R₃的另一端与电源相连，所述第二MOS晶体管的源极、所述第三MOS晶体管的源极和所述第四MOS晶体管的源极相连并接地，所述第三MOS晶体管的漏极作为所述过流补偿电路的第一端连接至第一连接点，第四MOS晶体管的漏极作为所述过流补偿电路的第二端连接至第二连接点。

图4示出了本申请实施例中过流补偿电路的结构示意图，如图所示，所述过流补偿电路可以包括：第二N型金属氧化物半导体(MOS，Metal-Oxid-Semiconductor)晶体管NM₂、第三NMOS晶体管NM₃、第四NMOS晶体管NM₄和第三电阻R₃，其中，所述NM₂的栅极、所述NM₃的栅极和所述NM₄的栅极相连于第三连接点，所述第三连接点与所述R₃的一端相连于第四连接点，所述NM₂的漏极连接至所述第四连接点，所述R₃的另一端与电源相连，所述NM₂的源极、所述NM₃的源极和所述NM₄的源极相连于第五连接点，所述第五连接点接地。

具体实施时，NM₂、NM₃、NM₄为镜像管，A点的电流I_A与B点的电流I_B相等，I_A＝I_B＝(V_DD-V_GS2)/R₃。

由于本申请实施例所提供的过流检测电路，在现有过流检测电路的基础上通过增加一个电阻和三个NMOS晶体管构成了过流补偿电路，使得芯片管脚电压VEDI的值可以随电源电压变化而变化，由于影响过流保护阈值的电压和电阻同时随电源电压变化而变化，从而实现了对过流保护阈值的补偿目的，使得过流保护阈值不随电源电压变化而变化，确保过流保护更加精确。

具体实施时，所述比较电路可以包括双极型晶体管Q₂、双极型晶体管Q₃和电流比较器I₂，所述第一支路的第一端与所述Q₂的基极连接，所述第二支路的第一端与所述Q₃的基极连接，所述Q₂的集电极与所述电流比较器I₂的第一输入端连接，所述Q₃的集电极与所述电流比较器I₂的第二输入端连接，所述Q₂的发射极与Q₃的发射极经电流调节器接地，所述第一支路的第二端、第二支路的第二端以及所述主电流电路的第二端接地。

具体实施时，所述电流比较器I₂的第一输入端可以为正向输入端，所述电流比较器I₂的第二输入端可以为负向输入端；或者，所述电流比较器I₂的第一输入端可以为负向输入端，所述电流比较器I₂的第二输入端可以为正向输入端。

具体实施时，所述镜像电流源电路可以包括第一PMOS晶体管PM₁、第二PMOS晶体管PM₂、第三PMOS晶体管PM₃和第四PMOS晶体管PM₄，所述PM₁、PM₂、PM₃和PM₄的栅极相连，所述PM₁、PM₂、PM₃和PM₄的源极相连；

所述主电流电路可以包括第一NMOS晶体管NM₁、第一电阻R₁和三极管Q₁，所述NM₁的漏极和所述NM₁的源极为所述主电流电路的第一端，所述NM₁的漏极与所述PM₁的漏极相连，所述NM₁的源极与所述R₁的一端、Q₁的基极相连，所述Q₁的集电极与所述NM₁的栅极、所述PM₂的漏极相连，所述R₁的另一端与所述Q₁的发射极作为所述主电流电路的第二端接地。

实施中，所述第一支路可以包括第二电阻R₂和第五PMOS晶体管PM₅，所述R₂的第一端作为第一支路的第一端与所述PM₃的漏极相连，所述R₂的第二端与所述PM₅的源极相连，所述PM₅的栅极和漏极作为第一支路的第二端接地；

所述第二支路可以包括第六PMOS晶体管PM₆，电池保护芯片检测端VM与所述PM₆的栅极相连，所述PM₆的源极作为所述第二支路的第一端与所述PM₄相连，所述PM₆的漏极作为所述第二支路的第二端接地。

为了在合理占用面积的前提下进一步提高匹配性能，本申请实施例还可以采用如下方式实施。

实施中，所述Q₂可以为多个，所述Q₃可以为1个或多个，所述Q₂的数量可以是所述Q₃的数量的8倍，多个Q₂的连接关系为并联。

具体实施时，所述Q₂与所述Q₃的数量比可以为8∶1，例如：可以包括8个Q₂、1个Q₃，或者包括16个Q₂、2个Q₃等。

采用8∶1的数量比，那么Q₂和Q₃之和总共为9个晶体管，从而可以形成3*3的阵列，其中一个晶体管在中间、8个围绕成一圈，使得匹配性较好。

具体实施时，也可以采用其他数量比，例如可以做成5*5的阵列，但数量太庞大可能会导致占用面积较大，具体可以根据实际需要设置，本申请对此不作限制。

实施中，所述PM₅的栅源电压V_GS5与所述PM₆的栅源电压V_GS6相同。

具体实施时，所述PM5和所述PM6的尺寸可以相同，由此，V_GS6＝V_GS5，从而将公式：V_EDI+V_GS6-V_BEQ3＝GND+V_GS5+I*R₂-V_BEQ2两端的V_GS6和V_GS5抵消，避免由于V_GS自身的温度系数影响V_EDI温度系数。

具体实施时，可以将图3中A、B点分别连接至图2中的A、B点，I_A＝I_B＝(V_DD-V_GS2)/R₃，可以得出：

V_EDI＝(I-I_A)*R₂+delta(V_BE)

＝(V_BE1/R₁-(V_DD-V_GS2)/R₃)*R₂+delta(V_BE)

＝V_BE1/R₁*R₂-V_DD/R₃*R₂+V_GS2/R₃*R₂+delta(V_BE)

当电源电压VDD变大时，V_EDI减小，通过预先设置参数值，可以补偿由于R_DS(ON)减小造成的过流保护阈值I_OC变大，使得该阈值基本不随电源电压变化，过流保护更精确。

本申请实施例中电路结构简单，易于实现、移植，通过增加很少的电路(一个电阻，三个NMOS)，实现对过流检测阈值补偿，使得该阈值基本不随电源电压变化，从而使整个系统的过流保护更精确。

本申请实施例所提供的过流检测电路，通过在第一支路、第二支路的第一端连接一过流补偿电路，使得过流检测电路产生的电池保护芯片检测端管脚电压是随电源电压不断变化的，电源电压增大时，V_EDI减小，电源电压减小时，V_EDI增大，从而补偿由于电源电压变化导致R_ds(on)的变化所引起的过流保护阈值变化。由于过流保护阈值不会发生变化，从而可以确保过流检测的结果精确，为后续过流保护提供可靠的依据。

实施例二、

本申请实施例提出的过流保护电路，可以包括开关保护电路、以及包括上述过流检测电路的电池保护芯片，所述开关保护电路可以包括第一开关电路和第二开关电路，所述电池保护芯片的第一输出端DOUT与所述第一开关电路相连，所述电池保护芯片的第二输出端COUT与所述第二开关电路相连；

在所述过流检测电路检测到放电电流超过过流保护阈值时所述第一输出端DOUT的输出为异常放电保护信号，所述第一开关电路断开所述电池保护芯片的放电回路；

在所述过流检测电路检测到充电电流超过过流保护阈值时所述第二输出端COUT的输出为异常充电保护信号，第二开关电路断开所述电池保护芯片的充电回路。

具体实施时，所述第一开关电路包括放电晶体管Q₁’及其寄生二极管D₁，所述第二开关电路包括充电晶体管Q₂’及其寄生二极管D₂，所述过流保护阈值I_OC＝V_EDI/(R_DS1(ON)+R_DS2(ON))，所述V_EDI为电池保护芯片检测端VM的管脚电压，所述V_EDI与电源电压之间为减函数，所述R_DS1(ON)和R_DS2(ON)分别为Q1’和Q₂’的导通电阻。

R_DS1(ON)和R_DS2(ON)是随电源电压的增大而减小、随电源电压的减小而增大，本申请实施例中，所述V_EDI与电源电压之间为减函数，即，所述V_EDI随电源电压的增大而减小、随电源电压的减小而增大，由于分子、分母同时增大或减小，从而可以确保过流保护阈值保持不变，确保过流保护的精确性。

实施例三、

本申请实施例提出的电池，可以包括电芯、壳体以及上述过流保护电路，所述电芯的正极B+与第一外部连接端P+连接，所述电芯的负极B-与第二外部连接端P-连接，电池保护芯片检测端VM的第一电源端VDD经R₁与电芯正极B+、所述第一外部连接端P+连接，所述VM的第二电源端VSS与所述第二外部连接端P-连接。

本申请实施例所提供的电池，由于过流保护电路中的过流保护阈值不会随电源电压的变化而变化，从而确保了电池使用的安全性、耐用性。

实施例四、

本申请实施例提出的电子设备可以包括设备本体、充电器以及上述电池。

具体实施时，所述电子设备可以为手机、pad、平板电脑、手电筒等各种需要充电、放电的设备。

本申请实施例所提供的电子设备，由于采用上述电池进行充放电操作，在充放电过程中，由于过流保护阈值不会随电源电压发生变化，从而可以确保所述过流保护的精确性，电池使用过程中安全、可靠，进而可以确保电子设备的安全使用。

值得说明的是，本申请中所述连接、相连等表示电性相连的词语，如无特别说明，则表示直接或间接的电性连接。

尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。

Claims

1.一种过流检测电路，其特征在于，包括镜像电流源电路、主电流电路、第一支路、第二支路、比较电路和过流补偿电路，所述镜像电流源电路分别与所述主电流电路的第一端、所述第一支路的第一端和所述第二支路的第一端相连，所述主电流电路的电流由所述镜像电流源电路镜像至所述第一支路和所述第二支路，所述比较电路用于检测所述第一支路和第二支路的电流并输出比较结果，所述过流补偿电路的第一端与所述第一支路的第一端、所述比较电路的第一端连接于第一连接点，所述过流补偿电路的第二端与所述第二支路的第一端、所述比较电路的第二端连接于第二连接点，所述过流补偿电路包括第一电流支路、第二电流支路和电流调节支路，所述电流调节支路产生随电源变化的基准电流，所述第一电流支路、第二电流支路均镜像复制所述电流调节支路产生的基准电流，并分别从第一连接点和第二连接点抽取复制电流。

2.如权利要求1所述的过流检测电路，其特征在于，所述电流调节支路包括第二金属氧化物半导体MOS晶体管和第三电阻R3，所述第一电流支路包括第三MOS晶体管，所述第二电流支路包括第四MOS晶体管，其中，所述第二MOS晶体管的栅极、所述第三MOS晶体管的栅极、所述第四MOS晶体管的栅极和所述第二MOS晶体管的漏极相连并连接于所述R₃的一端，所述R₃的另一端与电源相连，所述第二MOS晶体管的源极、所述第三MOS晶体管的源极和所述第四MOS晶体管的源极相连并接地，第三MOS晶体管的漏极作为所述过流补偿电路的第一端连接至第一连接点，第四MOS晶体管的漏极作为所述过流补偿电路的第二端连接至第二连接点。

3.如权利要求1所述的过流检测电路，其特征在于，所述比较电路包括双极型晶体管Q₂、双极型晶体管Q₃和电流比较器I₂，所述第一支路的第一端与所述Q₂的基极连接，所述第二支路的第一端与所述Q₃的基极连接，所述Q₂的集电极与所述电流比较器I₂的第一输入端连接，所述Q₃的集电极与所述电流比较器I₂的第二输入端连接，所述Q₂的发射极与Q₃的发射极经电流调节器接地，所述第一支路的第二端、第二支路的第二端以及所述主电流电路的第二端接地。

4.如权利要求1所述的过流检测电路，其特征在于，所述镜像电流源电路包括第一PMOS晶体管PM₁、第二PMOS晶体管PM₂、第三PMOS晶体管PM₃和第四PMOS晶体管PM₄，所述PM₁、PM₂、PM₃和PM₄的栅极相连，所述PM₁、PM₂、PM₃和PM₄的源极相连；所述主电流电路包括第一NMOS晶体管NM₁、第一电阻R₁和晶体管Q₁，所述NM₁的漏极和所述NM₁的源极为所述主电流电路的第一端，所述NM₁的漏极与所述PM₁的漏极相连，所述NM₁的源极与所述R₁的一端、Q₁的基极相连，所述Q₁的集电极与所述NM₁的栅极、所述PM₂的漏极相连，所述R₁的另一端与所述Q₁的发射极作为所述主电流电路的第二端接地。

5.如权利要求1所述的过流检测电路，其特征在于，所述第一支路包括第二电阻R₂和第五PMOS晶体管PM₅，所述R₂的第一端作为第一支路的第一端与所述PM₃的漏极相连，所述R₂的第二端与所述PM₅的源极相连，所述PM₅的栅极和漏极作为第一支路的第二端接地；所述第二支路包括第六PMOS晶体管PM₆，电池保护芯片检测端VM与所述PM₆的栅极相连，所述PM₆的源极作为所述第二支路的第一端与所述PM₄相连，所述PM₆的漏极作为所述第二支路的第二端接地。

6.如权利要求3所述的过流检测电路，其特征在于，所述Q₂为多个，所述Q₃为1个或多个，所述Q₂的数量是所述Q₃的数量的8倍，多个Q₂的连接关系为并联。

7.如权利要求5所述的过流检测电路，其特征在于，所述PM₅的栅源电压V_GS5与所述PM₆的栅源电压V_GS6相同。

8.一种过流保护电路，其特征在于，包括开关保护电路、以及包括如权利要求1至7任一所述的过流检测电路的电池保护芯片，所述开关保护电路包括第一开关电路和第二开关电路，所述电池保护芯片的第一输出端DOUT与所述第一开关电路相连，所述电池保护芯片的第二输出端COUT与所述第二开关电路相连，在所述过流检测电路检测到放电电流超过过流保护阈值时所述第一输出端DOUT的输出为异常放电保护信号，所述第一开关电路断开所述电池保护芯片的放电回路；在所述过流检测电路检测到充电电流超过过流保护阈值时所述第二输出端COUT的输出为异常充电保护信号，第二开关电路断开所述电池保护芯片的充电回路。

9.如权利要求8所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一开关电路包括放电晶体管Q₁’及其寄生二极管D₁，所述第二开关电路包括充电晶体管Q₂’及其寄生二极管D₂，所述过流保护阈值I_OC＝V_EDI/(R_DS1(ON)+R_DS2(ON))，所述V_EDI为电池保护芯片检测端VM的管脚电压，所述V_EDI与电源电压之间为减函数，所述R_DS1(ON)和R_DS2(ON)分别为Q₁’和Q₂’的导通电阻。

10.一种电池，其特征在于，包括电芯、壳体以及如权利要求7或8所述的过流保护电路，所述电芯的正极B+与第一外部连接端P+连接，所述电芯的负极B-与第二外部连接端P-连接，电池保护芯片检测端VM的第一电源端VDD经R₁与电芯正极B+、所述第一外部连接端P+连接，所述VM的第二电源端VSS与所述第二外部连接端P-连接。