CN202150809U - 变频器可控硅整流控制装置 - Google Patents
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Abstract
变频器可控硅整流控制装置，包括有输入电源、电阻RF、可控硅T4、可控硅T1、可控硅T2、可控硅T3、电容C1、电阻R1、母线输出DC+、可控硅、电容Cn、电阻Rn、母线输出DC-、可控硅触发控制模块和控制电源组成。输入电源为交流三相电源输入，输入电源中的一相输入端和母线输出DC+之间设置有电阻RF和可控硅T4，电阻RF的一端和可控硅T4的阳极相连。输入电源的另一相连接到可控硅T1，可控硅T1在连接到母线输出DC+之间，连接设置有可控硅T2、可控硅T3、电容C1和电阻R1，可控硅T1又连接可控硅，可控硅T2又连接可控硅，可控硅T3又连接可控硅，电容C1又连接到电容Cn，电阻R1又连接到电阻Rn。本实用新型整体结构简单，生产成本较低，性能稳定。
Description
技术领域
本实用新型涉及可控硅整流控制电路，尤其涉及变频器可控硅整流控制装置。
技术背景
变频器的驱动控制技术已经成为一种成熟的控制技术，在国内电机控制领域内被广泛采用。现最常用的变频器的输入基本为交流输入，通过整流将交流转变为直流再进行逆变，为了输出电压的稳定，以在直流间要有滤波电容来进行平波，由于现在采用的滤波电容为电解电容，电解电容在正常情况下的使用寿命基本为12000小时，这也是变频器使用一断时间后故障高发的部件，直接影响整机的寿命。由于电容两端电压不能突变，所以在刚通电时，要先对直流母线进行预充电，通常的做法是采用二极管整流的预充电及可控硅半控桥整流的预充电二种形式，二极管整流的预充电还可分为交流预充电和直流预充电两种。由于变频器容量的增加和电压等级的升高，对内部元件的要求越来越高，对预充电的形式和内部电容的使用也提出更高的要求。
实用新型内容：
本实用新型的目的在于，克服现有技术的不足之处，提供一种变频器可控硅整流控制装置，既可以实现生产成本低，又可以确保控制安全可靠。
本实用新型所述的变频器可控硅整流控制装置，包括有输入电源、电阻RF、可控硅T4、可控硅T1、可控硅T2、可控硅T3、电容C1、电阻R1、母线输出DC+、可控硅、电容Cn、电阻Rn、母线输出DC-、可控硅触发控制模块和控制电源组成。输入电源为交流三相电源输入，输入电源中的一相输入端和母线输出DC+之间设置有电阻RF和可控硅T4，电阻RF的一端和可控硅T4的阳极相连。输入电源的另一相连接到可控硅T1，可控硅T1在连接到母线输出DC+之间，连接设置有可控硅T2、可控硅T3、电容C1和电阻R1，可控硅T1又连接可控硅，可控硅T2又连接可控硅，可控硅T3又连接可控硅，电容C1又连接到电容Cn，电阻R1又连接到电阻Rn，可控硅、电容Cn和电阻Rn在连接到母线输出DC-的同时，又连接到与输入电源相连接的可控硅触发控制模块，可控硅触发控制模块连接到控制电源。本实用新型包括串接在三相交流输入其中任一相输入端和母线输出DC+之间的一个电阻RF和一个可控硅T4，电阻RF的一端和可控硅T4的阳极相连接。一个过零检测与可控硅输出控制的控制模块。三相相位检测的可控硅控制模块的一个输入端连接三相交流电源的输入，另一个输入端与电源模块相连，三相相位检测的可控硅控制模块的一个输出端与三相交流半控桥的可控硅的触发极相连，另一个输出与预充电回路的可控硅触发极相连。
本实用新型所述的变频器可控硅整流控制装置，整体结构简单，生产成本较低，性能稳定，在有效实现现有功能的情况下可以延长设备的使用寿命，减少故障率。本实用新型与现有技术相比，增加了预充电回路的可控制性，并整流可控硅触发控制模块，过零触发通过硬件直接产生，减少控制系统产生误触发的现象，并且不占用控制MCU的资源，不用进行软件编程与调试，控制安全可靠。
附图说明
附图1是本实用新型所述变频器可控硅整流控制装置的电路布置结构示意图。1—输入电源 2—电阻RF 3—可控硅T4 4—母线输出DC+ 5—可控硅T1 6—可控硅T2 7—可控硅T3 8—电容C1 9—电阻R1 10—可控硅 11—电容Cn 12—电阻Rn 13—母线输出DC- 14—可控硅触发控制模块 15—控制电源。
具体实施方式
现参照附图1，结合实施例说明如下：本实用新型所述的变频器可控硅整流控制装置，包括有输入电源1、电阻RF2、可控硅T4 3、可控硅T1 4、可控硅T2 5、可控硅T3 6、电容C1 7、电阻R1 8、母线输出DC+ 9、可控硅10、电容Cn11、电阻Rn 12、母线输出DC- 13、可控硅触发控制模块14和控制电源15组成。输入电源1为交流三相电源输入，输入电源1中的一相输入端和母线输出DC+ 4之间设置有电阻RF2和可控硅T4 3，电阻RF2的一端和可控硅T4 3的阳极相连。输入电源1的另一相连接到可控硅T1 5，可控硅T1 5在连接到母线输出DC+ 4之间，连接设置有可控硅T2 6、可控硅T3 7、电容C1 8和电阻R1 9，可控硅T1 5又连接可控硅10，可控硅T2 6又连接可控硅10，可控硅T3 7又连接可控硅10，电容C1 8又连接到电容Cn11，电阻R1 9又连接到电阻Rn 12，可控硅10、电容Cn 11和电阻Rn 12在连接到母线输出DC- 13的同时，又连接到与输入电源1相连接的可控硅触发控制模块14，可控硅触发控制模块14连接到控制电源15。本实用新型包括串接在三相交流输入其中任一相输入端和母线输出DC+ 4之间的一个电阻RF2和一个可控硅T4 3，电阻RF2的一端和可控硅T4 2的阳极相连接。一个过零检测与可控硅输出控制的控制模块。三相相位检测的可控硅控制模块的一个输入端连接三相交流电源的输入，另一个输入端与电源模块相连，三相相位检测的可控硅控制模块的一个输出端与三相交流半控桥的可控硅的触发极相连，另一个输出与预充电回路的可控硅触发极相连。本实用新型所述的变频器可控硅整流控制装置，整体结构简单，生产成本较低，性能稳定，在有效实现现有功能的情况下可以延长设备的使用寿命，减少故障率。本实用新型与现有技术相比，增加了预充电回路的可控制性，并整流可控硅触发控制模块，过零触发通过硬件直接产生，减少控制系统产生误触发的现象，并且不占用控制MCU的资源，不用进行软件编程与调试，控制安全可靠。
Claims (2)
1. 变频器可控硅整流控制装置，输入电源（1）为交流三相电源输入，其特征在于输入电源（1）中的一相输入端和母线输出DC+（4）之间设置有电阻RF（2）和可控硅T4（3），电阻RF（2）的一端和可控硅T4（3）的阳极相连；输入电源（1）的另一相连接到可控硅T1（5），可控硅T1（5）在连接到母线输出DC+（4）之间，连接设置有可控硅T2（6）、可控硅T3（7）、电容C1（8）和电阻R1（9），可控硅T1（5）又连接可控硅（10），可控硅T2（6）又连接可控硅（10），可控硅T3（7）又连接可控硅（10），电容C1（8）又连接到电容Cn（11），电阻R1（9）又连接到电阻Rn（12），可控硅（10）、电容Cn（11）和电阻Rn（12）在连接到母线输出DC-（13）的同时，又连接到与输入电源（1）相连接的可控硅触发控制模块（14），可控硅触发控制模块（14）连接到控制电源（15）。
2. 根据权利要求1所述的变频器可控硅整流控制装置，其特征在于串接在三相交流输入其中任一相输入端和母线输出DC+（4）之间的一个电阻RF（2）和一个可控硅T4（3），电阻RF（2）的一端和可控硅T4（2）的阳极相连接。
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2011
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