CN202141762U - 一种功率半导体器件结电容测试装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例公开了一种功率半导体器件结电容测试装置，包括结电容测试电路板，结电容测试电路板包括：两个输入电容测试点，其中，第一输入电容测试点通过短路电容与电源连接点相连，电源连接点与漏极测试点相连，第二输入电容测试点通过偏置电感接地；反馈电容测试点接地；输出电容测试点与栅极测试点相连，并通过阻断电阻与源极测试点相连；与电源连接点相连的高电压电流连接点和与栅极测试点相连的低电压电流连接点。本实用新型实施例提供的功率半导体器件结电容测试装置，将测试不同电容参数时的电路设置于同一电路板中，并根据需要选择测试的电容参数连通相应的测试点，简化了测试工作，提高了测试效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件测试领域，尤其涉及一种功率半导体结电容测试装置。
背景技术
功率半导体器件结电容参数是反映器件结构特性、动态开关时间的重要参数，一般包括输入电容、输出电容和反馈电容三项，测量不同的电容参数需要连接不同的外接测试电路。
目前测试功率半导体器件结电容采用的方法一般为：用测试探头或者鳄鱼夹在被测器件和电感电容电阻(LCR)测试仪之间连接线路。采用现有方法测试时，针对不同的被测结电容参数，需要使用不同的测试电路，测试工作较为繁琐，测试效率低。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供一种功率半导体器件结电容测试装置，目的在于解决现有测试方法效率低的问题。
一种功率半导体器件结电容测试装置，包括结电容测试电路板，所述结电容测试电路板包括：
两个输入电容测试点，其中，第一输入电容测试点通过短路电容与电源连接点相连，所述电源连接点与漏极测试点相连，第二输入电容测试点通过偏置电感接地；
反馈电容测试点，所述反馈电容测试点接地；
输出电容测试点，所述输出电容测试点与栅极测试点相连，并通过阻断电阻与源极测试点相连；
与所述电源连接点相连的高电压电流连接点和与所述栅极测试点相连的低电压电流连接点。
优选的，还包括：根据测试结电容参数的不同，将所述源极测试点分别与所述两个输入电容测试点、两个反馈电容测试点或两个输出电容测试点相连的开关组件。
优选的，还包括：
设置于所述结电容测试电路板外部的金属盒体；
设置于所述金属盒体上，放置待测器件，将待测器件的源极、栅极和漏极分别与结电容测试电路板上的源极测试点、栅极测试点和漏极测试点相连的测试夹具；
设置于所述金属盒体上的接口端，所述接口端包括：信号接口端和电源接口端，所述信号接口端包括依次设置于金属盒体上表面的高电流接口端、高电压接口端、低电压接口端和低电流接口端，所述高电压接口端和所述高电流接口端与所述高电压电流连接点相连，所述低电压接口端和所述低电流接口端与所述低电压电流连接点相连，所述电源接口端与所述电源连接点相连，所述电源连接点通过所述电源接口端与偏置直流电源相连；
还包括，与所述开关组件对应的开关触点。
优选的，所述接口端为带有刺刀螺母连接器BNC的同轴电缆接口。
本实用新型实施例提供的功率半导体器件结电容测试装置，将测试不同电容参数时的电路设置于同一电路板中，并根据需要选择测试的电容参数连通相应的测试点，与现有技术相比，用此装置测试时不需要再重新连接电路，简化了测试工作，提高了测试效率。
进一步的，将电路板放入金属盒体，避免了外部信号对测试信号的干扰，提高了测试的效率和精度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例公开的功率半导体器件结电容测试装置结构示意图；
图2为本实用新型实施例公开的功率半导体器件结电容测试装置的测试连接示意图；
图3为本实用新型实施例公开的又一功率半导体器件结电容测试装置结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例公开了一种功率半导体器件结电容测试装置，其结构如图1所示，包括结电容测试电路板，此电路板为PCB印刷电路板，包括：两个输入电容测试点，第一输入电容测试点11通过短路电容17与电源连接点110相连，电源连接点110与漏极测试点113相连，第二输入电容测试点12通过偏置电感18接地；两个反馈电容测试点，第一反馈电容测试点14接地，第二反馈电容测试点13相对于其它测试点为悬空设置；两个输出电容测试点，第一输出电容测试点16直接与栅极测试点111相连，并通过阻断电阻19与源极测试点112相连，第二输出电容测试点15相对于其它测试点为悬空设置，此外，还包括与所述电源连接点110相连的高电压电流连接点114和与所述栅极测试点111相连的低电压电流连接点115。
本实施例中的短路电容为0.1μF，偏置电感为1mH，阻断电阻为50K。本实施例并不限定其参数只能采用上述值，其可以根据测试器件的特性或测试场景的不同而具体设置。
用此装置测试功率半导体器件结电容的测试连接示意图如图2所示，其测试过程为：将待测器件的栅极、漏极、源极分别与装置中的栅极测试点111、漏极测试点113、源极测试点112相连，电源连接点110与外设偏置直流电源DC相连，电感、电容、电阻参数LCR测试仪的高电流端和高电压端与高电压电流连接点114相连，低电压电流连接点115与LCR测试仪的低电压端和低电流端相连，LCR测试仪的接地端接地。接通电源，当测试输入电容时，将源极测试点112与两个输入电容测试点连接，从而实现待测器件的漏极通过短路电容与其源极相连，源极通过偏置电感接地。当测试反馈电容时，将源极测试点112与两个反馈电容测试点连接，实现将待测器件的源极直接接地。当测试输出电容时，将源极测试点112与两个输出电容测试点相连，实现将待测器件的源极直接与栅极相连。每次的测试结果都通过LCR测试仪读出。
本实施例公开的功率半导体器件结电容测试装置，将测试不同电容参数需要的不同电路集成在一块PCB电路板上，测试时仅需要针对不同的电容参数改变电容测试点的连接方式即可，简化了测试工作，提高了测试的效率。
进一步地，如图1所示，本实施例公开的功率半导体器件结电容测试装置还包括开关组件116，根据测试结电容参数的不同，将所述源极测试点分别与所述两个输入电容测试点、两个反馈电容测试点或两个输出电容测试点相连，在测试不同的电容参数需要改变电路连接方式时，通过此开关组件116将源极测试点分别与两个输入电容测试点，或两个反馈电容测试点，或两个输出电容测试点相连。开关的设置使测试过程更加方便和快捷。
本实施例中的开关组件可以为指拨开关，也可以为三个独立的开关。
本实施例并不限定反馈电容测试点和输出电容测试点的个数为两个，由于图中所示第二反馈电容测试点和第二输出电容测试点相对于其他测试点为悬空设置，对于测试电路的结构并没有起到实际的连接作用，因此，可以只设定一个反馈电容测试点和一个输出电容测试点。
本实用新型实施例公开的又一功率半导体器件结电容测试装置的结构如图3所示，在图1所示的结电容测试电路板20的外部还可设置一个的金属盒体21，此金属盒体将电路板包于其中，金属盒体21上设置有放置待测器件的测试夹具22，此测试夹具22将待测器件的源极、栅极和漏极分别与结电容测试电路板上20的源极测试点、栅极测试点和漏极测试点相连。金属盒体21上还设置有接口端，接口端包括：四个信号接口端和一个电源接口端，四个信号接口分别为高电流接口端23、高电压接口端24、低电压接口端25、低电流接口端26，这四个接口端在金属盒体表面按顺序依次排列，其中高电压接口端和高电流接口端与电路板上的高电压电流连接点相连，低电压接口端和低电流接口端与电路板上的低电压电流连接点相连，电源接口端27与电路板上电源连接点相连，电源连接点通过电源接口端与偏置直流电源相连；另外金属盒体21上还设置有与电路板上开关组件相对应的开关触点28，此触点可以为电路板上开关自带的触点，也可以为与电路板上开关相连的外接触点，通过该触点实现对开关组件的控制。
上述实施例中，通过带屏蔽导线将结电容测试电路板的各个测试点、连接点与盒体的各个接口及夹具对应相连。
用此装置测试功率半导体器件结电容的过程为：将待测器件放入测试夹具中，将电源接口端与外置偏置直流电压源相连，高电流接口端、高电压接口端、低电压接口端、低电流接口端分别与LCR测试仪中相对应的端口相连。接通电源，测试不同的电容参数时，可通过开关触点选择不同的电路，测试结果通过LCR测试仪读出。
本实施例公开的装置，在测试电路板的外部设置一个金属盒体，将电路板包于金属盒体中，避免了测试时外部信号对高频测试信号产生干扰，在提高测试效率的同时，也提高了测试的精度。
进一步地，金属盒体表面的接口端可以为带有刺刀螺母连接器BNC的同轴电缆接口。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (4)
1.一种功率半导体器件结电容测试装置，其特征在于，包括结电容测试电路板，所述结电容测试电路板包括：
两个输入电容测试点，其中，第一输入电容测试点通过短路电容与电源连接点相连，所述电源连接点与漏极测试点相连，第二输入电容测试点通过偏置电感接地；
反馈电容测试点，所述反馈电容测试点接地；
输出电容测试点，所述输出电容测试点与栅极测试点相连，并通过阻断电阻与源极测试点相连；
与所述电源连接点相连的高电压电流连接点和与所述栅极测试点相连的低电压电流连接点。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：根据测试结电容参数的不同，将所述源极测试点分别与所述两个输入电容测试点、两个反馈电容测试点或两个输出电容测试点相连的开关组件。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括：
设置于所述结电容测试电路板外部的金属盒体；
设置于所述金属盒体上，放置待测器件，将待测器件的源极、栅极和漏极分别与结电容测试电路板上的源极测试点、栅极测试点和漏极测试点相连的测试夹具；
设置于所述金属盒体上的接口端，所述接口端包括：信号接口端和电源接口端，所述信号接口端包括依次设置于金属盒体上表面的高电流接口端、高电压接口端、低电压接口端和低电流接口端，所述高电压接口端和所述高电流接口端与所述高电压电流连接点相连，所述低电压接口端和所述低电流接口端与所述低电压电流连接点相连，所述电源接口端与所述电源连接点相连，所述电源连接点通过所述电源接口端与偏置直流电源相连；
还包括，与所述开关组件对应的开关触点。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述接口端为带有刺刀螺母连接器BNC的同轴电缆接口。
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| CN201120221050U CN202141762U (zh) | 2011-06-27 | 2011-06-27 | 一种功率半导体器件结电容测试装置 |
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Publications (1)
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102735942A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-17 | 中国科学院电工研究所 | 功率半导体器件寄生电容测试装置 |
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| CN108333433A (zh) * | 2018-01-08 | 2018-07-27 | 杭州长川科技股份有限公司 | 结电容参数测试电路及其测试方法 |
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2011
- 2011-06-27 CN CN201120221050U patent/CN202141762U/zh not_active Expired - Lifetime
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