CN202131105U - 多晶硅还原炉电极棒分布结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型多晶硅还原炉电极棒分布结构，包括底盘，所述底盘上设有进气口、电极座，所述电极座上安装有电极体，所述电极体上连接多晶硅棒，所述电极座在底盘上呈正多边形分布。本实用新型多晶硅还原炉电极棒分布结构，通过电极座、电极体、多晶硅棒的正多边形分布，以及进气口位于正多边形的中心位置，使得混合气进气均匀，流场稳定，进而使得还原炉内硅棒的生长均匀。同时，相同的多晶硅棒数量的前提下，可以有效减小多晶硅还原炉的直径，减小设备体积，降低设备制造成本并减少多晶硅厂房占地面积。
Description
技术领域
本实用新型专利涉及一种电极棒分布结构，尤其涉及一种用于多晶硅还原炉上的电极棒分布结构。
背景技术
目前在太阳能多晶硅领域应用最普遍的工艺路线是西门子法，作为西门子法生产多晶硅的核心设备，多晶硅还原炉内主要进行的反应如下：
SiHCl3+H2——Si+3HCl
2SiHCl3——Si+SiCl4+2HCl
上述反应实质上是气相沉积反应，反应所需的温度为1080度左右，沉积硅的载体就是硅棒，硅棒安装在电极棒顶部，通过向硅棒通电，使得硅棒发热，在硅棒外表面温度为1080度左右时进行硅的沉积。当硅棒数量较多时，硅棒间的辐射和硅棒对多晶硅还原炉内部气体流场的影响就非常明显。
现有技术普遍采用同心圆的方式进行硅棒的分布，这种布棒形式中心对称，对于流场和热场的均布起到一定的作用，但是实际使用情况证明，同心圆布棒形式内圈硅棒和外圈硅棒生长不均匀，并且最外圈硅棒的偏心现象很明显。
另外，随着设备制造技术的不断进步，多晶硅还原炉的大型化已经成为了趋势，从早期的9对棒（18根硅棒）还原炉发展到现在的36对棒（72根硅棒）、甚至48对棒（96根硅棒）还原炉，如果继续采用同心圆的布棒方式，那么多晶硅还原炉的直径会很大，不利于设备的制造。
实用新型内容
本实用新型提供的多晶硅还原炉电极棒分布结构，目的在于使得多晶硅还原炉内硅棒生长更加均匀，并且在多晶硅棒数量相同的情况下，减小多晶硅还原炉的直径，降低设备制造成本并减少多晶硅厂房占地面积。
为解决上述问题，本实用新型提供的多晶硅还原炉电极棒分布结构，包括
底盘；所述底盘上设有进气口、电极座，所述电极座上安装有电极体，所述电极体上连接多晶硅棒，所述电极座在底盘上呈正多边形分布。
作为本实用新型的一种优选方案，所述电极座与其相邻电极座的间距为200mm~400mm。作为本实用新型的一种优选方案，所述多晶硅棒通过顶部横梁连接，形成一对多晶硅棒，所述一对多晶硅棒之间的间距为200mm~400mm。
作为本实用新型的一种优选方案，所述电极座与其相邻电极座的间距为220~240mm，所述多晶硅棒之间的距离为220~240mm。
作为本实用新型的一种优选方案，所述进气口位于正多边形的中心。
本实用新型多晶硅还原炉电极棒分布结构，通过电极座、电极体、多晶硅棒的正多边形分布，以及进气口位于正多边形的中心位置，使得混合气进气均匀，流场稳定，进而使得还原炉内硅棒的生长均匀。同时，相同的多晶硅棒数量的前提下，可以有效减小多晶硅还原炉的直径，减小设备体积，降低设备制造成本并减少多晶硅厂房占地面积。
附图说明
图1为本实用新型多晶硅还原炉电极棒分布结构的示意图。
图2为本实用新型多晶硅还原炉电极棒分布结构的底盘俯视图。
附图标记。
| 1-底盘 | 2-钟罩 | 3-多晶硅棒 |
| 4-顶部横梁 | 5-电极座 | 6-出气口 |
| 7-进气口 | 8-电极体。 |
具体实施方式
以下结合较佳的具体实施例，对本实用新型作进一步说明。
如图1所示，本实用新型多晶硅还原炉电极棒分布结构，包括底盘1，钟罩2，钟罩2设置于底盘1之上，与底盘1形成反应器；底盘1上设有32个进气口7、1个出气口6、48个电极座5，电极座5上设有电极体8，多晶硅棒3，设置在所述电极体8上，两根多晶硅棒3通过顶部横梁4连接，形成一对多晶硅棒，本实施例共有24对多晶硅棒。
电极座5在底盘1上成多个正方形分布，每个电极座5与其相邻电极座5的间距为220mm。电极体8设置在电极座5上，使得在电极体8上设置同一对的多晶硅棒3的两根棒之间的间距为220mm，进气口7均位于每个正方形的中心。
Claims (5)
1.多晶硅还原炉的电极棒分布结构，其特征在于，包括：
底盘，
所述底盘上设有进气口、电极座，所述电极座上安装有电极体，所述电极体上连接多晶硅棒，
其特征在于：所述电极座在底盘上呈正多边形分布。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的电极棒分布结构，其特征在于：所述电极座与其相邻电极座的间距为200mm~400mm。
3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的电极棒分布结构，其特征在于：所述多晶硅棒通过顶部横梁连接，形成一对多晶硅棒，所述一对多晶硅棒之间的间距为200mm~400mm。
4.根据权利要求2或3所述的多晶硅还原炉的电极棒分布结构，其特征在于：所述电极座与其相邻电极座的间距为220~240mm。
5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的电极棒分布结构，其特征在于：所述进气口位于正多边形的中心。
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Publications (1)
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| CN202131105U true CN202131105U (zh) | 2012-02-01 |
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Country Status (1)
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN105271241A (zh) * | 2014-06-26 | 2016-01-27 | 江苏中能硅业科技发展有限公司 | 用于生产多晶硅的反应器 |
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2011
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| GR01 | Patent grant | ||
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Effective date of registration: 20181101 Address after: 226532 Changjiang town (Rugao port area), Rugao, Jiangsu, 1 Patentee after: Morimatsu (Jiangsu) Heavy Industry Co., Ltd. Address before: 201323 -1, 29 Jin Wen Road, Pudong New Area, Shanghai. Patentee before: Shanghai Morimatsu New Energy Equipment Co., Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20120201 |
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| CX01 | Expiry of patent term |