CN202084572U - 氮化物发光二极管的欧姆接触电极 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开的氮化物发光二极管的欧姆接触电极，由依次在氮化物半导体上的欧姆接触层、过渡层和金属铝层组成，或由依次在氮化物半导体上的欧姆接触层和金属铝层组成。该欧姆接触电极与氮化物半导体具有良好的粘附性能，导电性能好，后期LED封装金线和电极的焊接性能好，最重要的是Al电极的使用能有效降低发光二极管芯片的成本，利于LED产业化的发展。
Description
技术领域
本实用新型涉及发光二极管的欧姆接触电极，具体涉及氮化物发光二极管的欧姆接触电极。
背景技术
GaN作为第三代半导体材料，具有禁带宽度（3.4 eV），热导率高（1.3W（cm·K）），电子饱和漂移速率高（107cm/s），热稳定性好等特点，这些显著的优异特性是GaN器件在大功率、高温、高频和短波长（蓝光和紫外）等方面应用的基础。而欧姆接触和肖特基接触是器件制作的关键工艺和重要组成部分，对器件性能有重要的影响。
一般GaN基发光二极管芯片包含衬底，及在衬底上生长的n型GaN层，有源层和p型GaN层。为了便于打线外接正向电压使器件发光，通常在n，p型层表面形成欧姆接触。低的欧姆接触电阻需要更低的肖特基势垒高度或是半导体材料重掺杂来实现，或是两者相结合。因n型GaN功函数较小，制作n型GaN的欧姆接触相对容易，而制作低阻的p-GaN欧姆接触比较困难。一方面是难于生长重掺杂的p-GaN材料（p型浓度>1018cm-3）；另一方面是缺乏合适的接触金属材料，p-GaN材料的功函数很大（7.5eV）,而功函数最大的金属Pt只有5.65。所以一般做P型欧姆接触采用功函数较大的金属材料，N型欧姆接触采用功函数较小的金属材料。
Au具有优良的导电性和抗腐蚀能力，是理想的欧姆接触材料。但Au属贵金属价格昂贵，增加了LED制造成本。Al在地壳中储量第三，价格不到金的万分之一，且具有良好的导电性能（100nm厚度时，方阻0.33Ω）并且与金线可焊性好。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种电阻小，正向导电性好，可靠性能好，且生产成本低的氮化物发光二极管的欧姆接触电极。
为达上述目的，本实用新型有以下两种技术解决方案：
方案1
本实用新型的氮化物发光二极管的欧姆接触电极，由依次在氮化物半导体上的欧姆接触层、过渡层和金属铝层组成。
方案2
本实用新型的氮化物发光二极管的欧姆接触电极，由依次在氮化物半导体上的欧姆接触层和金属铝层组成。
上述两种方案中，氮化物半导体可以为氮化镓，铝镓氮，铝镓铟氮，铟镓氮氮化物半导，或掺镁的氮化物半导体或掺硅的氮化物半导体。
对于掺镁的氮化物半导体，则与掺镁的氮化物半导体接触的欧姆接触层是氧化铟锡，铂，铑，氧化锌，钯，氧化钯，镍，氧化镍，铬，或钌，厚度为1Å～1000Å。
对于掺硅的氮化物半导体，则与掺硅的氮化物半导体接触的欧姆接触层为氧化铟锡，铝，铑，氧化锌，钯，氧化钯，铬，钌或钛，厚度为1Å～1000Å。
两种方案中，金属铝层的厚度为102Å～105Å。
方案1中的过渡层可以是镍或钛。
本实用新型的氮化物发光二极管的欧姆接触电极可以采用电子束蒸发、热阻蒸发、脉冲激光沉积或磁控溅射制备。制得的欧姆接触电极可在氮气，氩气或其他还原性气体下，于100～600℃进行退火。
本实用新型的欧姆接触电极与氮化物半导体具有良好的粘附性能，导电性能好，后期LED封装金线和电极的焊接性能好，最重要的是Al电极的使用能有效降低发光二极管芯片的成本，利于LED产业化的发展。
附图说明
图1是方案1的氮化物发光二极管的欧姆接触电极示意图 ；
图2是方案2的氮化物发光二极管的欧姆接触电极示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进一步说明。
参照图1，本实用新型的氮化物发光二极管的欧姆接触电极，由依次在氮化物半导体1上的欧姆接触层2、过渡层3和金属铝层4组成。
参照图2，本实用新型的氮化物发光二极管的欧姆接触电极，由依次在氮化物半导体1上的欧姆接触层2和金属铝层4组成。
Claims (4)
1.氮化物发光二极管的欧姆接触电极，其特征在于由依次在氮化物半导体(1)上的欧姆接触层(2)、过渡层(3)和金属铝层(4)组成。
2.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管的欧姆接触电极，其特征是在于过渡层(3)是镍或钛；金属铝层(4)的厚度为 
3.氮化物发光二极管的欧姆接触电极，其特征是由依次在氮化物半导体(1)上的欧姆接触层(2)和金属铝层(4)组成。
4.根据权利要求3所述的氮化物发光二极管的欧姆接触电极，其特征是在于金属铝层(4)的厚度为 
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| CN202084572U true CN202084572U (zh) | 2011-12-21 |
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| CN2011200339436U Expired - Lifetime CN202084572U (zh) | 2011-01-31 | 2011-01-31 | 氮化物发光二极管的欧姆接触电极 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104319621A (zh) * | 2014-10-29 | 2015-01-28 | 山东华光光电子有限公司 | 一种半导体激光器芯片欧姆接触金属电极及其制备方法 |
| CN105826437A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-08-03 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种低成本发光二极管及其制作方法 |
| CN116130576A (zh) * | 2023-02-24 | 2023-05-16 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种mini LED芯片接触电极及制备方法 |
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2011
- 2011-01-31 CN CN2011200339436U patent/CN202084572U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN104319621A (zh) * | 2014-10-29 | 2015-01-28 | 山东华光光电子有限公司 | 一种半导体激光器芯片欧姆接触金属电极及其制备方法 |
| CN105826437A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-08-03 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种低成本发光二极管及其制作方法 |
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