CN202057609U - 一种多晶硅块检测装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种多晶硅块检测装置,包括工作台,所述工作台台面上从左往右依次设置有接收装置、发射装置、成像系统,所述接收装置、发射装置对应设置,接收装置、发射装置分别与成像系统连接,接收装置、发射装置之间设置有旋转台,所述旋转台一端连接有单轴伺服电机。本实用新型能够全方位地对多晶硅块进行检测,成像过程将自动标出杂质的位置所在,且平均每个硅块的检测时间不超过一分钟,加快了加工效率,提高了产品质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及多晶硅领域,尤其涉及一种多晶硅块检测装置。
背景技术
现有技术中,在多晶硅铸锭后,产品内部会出现不合格部分,如气孔、杂质、隐裂等。生产中如果多晶硅锭中有气孔、杂质、隐裂,则该产品为废品,如果继续对其加工,则浪费了大量的劳动力和生产成本。为了提高产品利用率,降低生产成本,需要在多晶硅铸锭后对其整体进行检测,测量出其中不合格部分,从而对其截断。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:提供一种检测速度快、测量准确,能够自动或手动对硅块前后左右上下各面进行全面检测并标出杂质的多晶硅块检测装置。
为了克服背景技术中存在的缺陷,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种多晶硅块检测装置,包括工作台,所述工作台台面上从左往右依次设置有接收装置、发射装置、成像系统,所述接收装置、发射装置对应设置,接收装置、发射装置分别与成像系统连接,接收装置、发射装置之间设置有旋转台。
根据本实用新型的另一个实施例,一种多晶硅块检测装置进一步包括所述发射装置为红外线发射装置。
根据本实用新型的另一个实施例,一种多晶硅块检测装置进一步包括所述旋转台一端连接有单轴伺服电机。
根据本实用新型的另一个实施例,一种多晶硅块检测装置进一步包括所述旋转台呈圆形。
本实用新型解决了背景技术中存在的缺陷,能够全方位地对多晶硅块进行检测,成像过程将自动标出杂质的位置所在,且平均每个硅块的检测时间不超过一分钟,加快了加工效率,提高了产品质量。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的优选实施例的结构示意图;
其中:1、工作台,2、发射装置,3、接收装置,4、旋转台,5、成像系统,6、多晶硅块。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示的一种多晶硅块检测装置,包括工作台1,所述工作台1台面上从左往右依次设置有接收装置3、发射装置2、成像系统5,所述接收装置3、发射装置2对应设置,接收装置3、发射装置2分别与成像系统5连接,接收装置3、发射装置2之间设置有旋转台4。
所述发射装置2为红外线发射装置,在特定光源和红外探测器的协助下,红外线能够穿透200mm深度的硅块,纯硅料几乎不吸收这个波段的波长,但是如果多晶硅块里面有微粒、夹杂、隐裂,则这些杂质吸收红外光,因此在成像系统5中将呈现出来,这些图像通过软件自动生成三维模型图像。其中,所述成像系统5中设置的参数包括光照亮度、对比度、伽马射线和一体化的时间设置、获取模式选择以及损坏像素管理。
使用时,将多晶硅块放在旋转台4上,发射装置2发射红外线,使多晶硅块6中的杂质吸收红外光,通过接收装置3将这些杂质在成像系统5中呈现出来。单轴伺服电机驱动旋转台4旋转,从而使多晶硅块6的各面都能得到检测,成像过程将自动标出杂质的位置所在,最后放到截断机上截断杂质部分。
以上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (4)
1.一种多晶硅块检测装置,其特征在于:包括工作台(1),所述工作台(1)台面上从左往右依次设置有接收装置(3)、发射装置(2)、成像系统(5),所述接收装置(3)、发射装置(2)对应设置,接收装置(3)、发射装置(2)分别与成像系统(5)连接,接收装置(3)、发射装置(2)之间设置有旋转台(4)。
2.如权利要求1所述的一种多晶硅块检测装置,其特征在于:所述发射装置(2)为红外线发射装置。
3.如权利要求1所述的一种多晶硅块检测装置,其特征在于:所述旋转台(4)一端连接有单轴伺服电机。
4.如权利要求1所述的一种多晶硅块检测装置,其特征在于:所述旋转台呈圆形。
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