CN202050563U - 反激式可调光led驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种反激式可调光LED驱动电路，包括输入整流滤波单元、反激开关单元、输出滤波单元、反馈采样单元、芯片控制单元、过冲吸收单元、驱动单元以及调光控制单元，其中输入整流滤波单元对交流输入电源进行整流滤波，反激开关单元进行反激开关控制，输出滤波单元进行滤波并产生直流输出电源以供电给至少一发光二极管(LED)，反馈采样单元连接直流输出电源以进行反馈采样，过冲吸收单元进行过冲吸收，芯片控制单元控制驱动单元以驱动所述反激开关单元，调光控制单元提供调光控制功能。因此，本反激调光驱动电路具备高功率因子、高电流精度、高效率的特点，并符合安规标准，适用于各类LED驱动电源，同时支持交流输入的三极交流开关(TRIAC)调光功能。

Description

反激式可调光LED驱动电路

技术领域

本实用新型涉及一种调光驱动电路，尤其是具有反激开关结构以提供高效率及保护功能的稳定电源并驱动发光二极管。 

背景技术

发光二极管(LED)由于具有发光效率高、使用寿命长的优点，因而在节能环保的风潮下，传统照明领域已逐渐利用LED取代已被广泛使用的白炽灯。 

虽然LED的驱动技术已发展得相当成熟，并具备了市场广泛推广的基础，但是在建置及置换的成本考虑下，LED要取代白炽灯便还需直接面对兼容于现有调光器的问题。以目前比较常见的调光器为例，是使用交流输入的前沿切相方式，也即一般用于驱动如白炽灯的纯电阻负载。然而，现有技术的缺点在于，当连接容性负载时，切相瞬间产生的电压对输入电容充电与线路中的电感会形成谐振，造成开关的误动作，使输入交流电压波形不稳定，因而对应驱动系统的输出产生LED灯闪或异音的问题，甚至严重时可能永久损坏系统器件，而使调光器无法正常工作。 

此外，现有的LED驱动开关电源方案普遍存在功率因子低，电流精度低等缺点，其中低功率因子会导致电网中的谐波能量变大，加重电网负担，另一方面，电流精度低会大幅影响LED的使用寿命。 

因此，需要一种电反激调光驱动电路，能提高功率因子并改善电流精度，以解决上述现有技术的问题。 

实用新型内容

本实用新型提供了一种反激式可调光LED驱动电路，用以将一交流输入电源转换成一直流输出电源，并供电给外部的至一发光二极管(LED)， 其特征在于，该反激式可调光LED驱动电路包括：一输入整流滤波单元，将所述交流输入电源经整流及滤波后转换成一第一信号，所述交流输入电源具有一第一交流端以及一第二交流端；一反激开关单元，连接所述第一信号，以进行反激开关控制并产生一第三信号、一第三辅助信号、一第四信号、一第五信号以及一第六信号；一输出滤波单元，连接所述第三信号以及所述第三辅助信号，以进行滤波并产生所述直流输出电源，且所述直流输出电源具有第一直流输出端以及第二直流输出端；一反馈采样单元，连接所述直流输出电源，以进行反馈采样并产生一第七信号；一芯片控制单元，连接所述第一信号、所述第五信号、所述第六信号以及所述第七信号，并控制及产生一第八信号，且由所述第一信及所述第五信号产生一集电极信号，并传送至所述反馈采样单元；一过冲吸收单元，具有一端以及另一端，所述过冲吸收单元的一端连接所述第一信号，所述过冲吸收单元的另一端连接所述第四信号，且所述过冲吸收单元用以进行过冲吸收控制；一驱动单元，具有一端以及另一端，所述驱动单元的一端连接所述第八信号，所述驱动单元的另一端连接一第九信号，所述第九信号进一步连接并驱动所述反激开关单元；以及一调光控制单元，连接所述第一信号，以进行调光控制，且一系统接地连接所述反激开关单元、所述输出滤波单元、所述反馈采样单元以及所述芯片控制单元，而另一系统接地连接所述输入整流滤波单元、所述反激开关单元、所述反馈采样单元、所述芯片控制单元以及所述调光控制单元。 

在所述的反激调光驱动电路中，所述输入整流滤波单元包括一保险丝、一输入串接电阻、一压敏电阻、一共模滤波电感、一前级电容、一后级电容、一整流桥以及一输入滤波电容，所述保险丝的一端连接所述第一交流端，所述保险丝的另一端连接所述压敏电阻的一端以及所述前级电容的一端，所述输入串接电阻的一端连接所述第二交流端，所述输入串接电阻的另一端连接所述压敏电阻的另一端以及所述前级电容的另一端，所述前级电容并联连接所述共模滤波电感的一侧，而所述后级电容并联连接所述共模滤波电感的另一侧，所述整流包括一第一二极管、一第二二极管、一第三二极管以及一第四二极管，所述第一二极管的一负极连接所述第二 二极管的一正极以及所述后级电容的一端，所述第三二极管的一负极连接所述第四二极管的一正极以及所述后级电容的另一端，而所述第一二极管的一正极、所述第三二极管的一正极以及所述输入滤波电容的一端连接所述系统接地，所述第二二极管的一负极以及所述第四二极管的一负极连接所述第一信号以及所述输入滤波电容的另一端。 

在所述的反激调光驱动电路中，所述反激开关单元包括一反激变压器、一晶体管以及一采样电阻，所述反激变压器连接所述第一信号、所述第三信号、所述第三辅助信号、所述第四信号、所述第五信号、所述系统接地以及所述另一系统接地，且所述反激变压器的一第一侧连接所述第一信号、所述第四信号、所述第五信号以及所述另一系统接地，而所述反激变压器的一第二侧连接所述第三信号、所述第三辅助信号以及所述系统接地，所述晶体管为一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，且所述晶体管的一漏极连接所述第四信号，所述晶体管的一栅极连接所述第九信号，所述晶体管的一源极以及所述采样电阻的一端连接所述第六信号，且所述采样电阻的另一端连接所述系统接地。 

在所述的反激调光驱动电路中，所述输出滤波单元包括一输出整流二极管、一第一滤波电容、一电流检测电阻以及一第二滤波电容，所述输出整流二极管的一正极连接所述第三信号，所述输出整流二极管的一负极、所述第一滤波电容的一端以及所述第二滤波电容的一端连接所述直流输出电源的第一直流输出端，所述第一滤波电容的另一端以及所述电流检测电阻的一端连接所述系统接地，所述电流检测电阻的一端以及所述二滤波电容的一端连接所述流输出电源的第二直流输出端。 

在所述的反激调光驱动电路中，所述反馈采样单元包括一反馈控制芯片、一光藕合限流电阻、一光藕合组件、一第一分压电阻、一第二分压电阻、一第一反馈电阻、一第一反馈电容、一第二反馈电阻、一第二反馈电容、一电流检测电阻、一第三滤波电容以及一发射极电阻，所述反馈控制芯片具有一电流控制端、一电压感测端、一电源输入端、一电源输出端、一接地端以及一电压控制端，用以对电压和电流进行采样控制，所述第一分压电阻的一端连接所述第一直流输出电源，所述第一分压电阻的另一 端、所述第二分压电阻的一端以及所述第一反馈电阻的一端连接所述反馈控制芯片的电压控制端，所述第一反馈电阻的另一端连接所述第一反馈电容的一端，而所述第一反馈电容的另一端连接所述反馈控制芯片的电源输出端，所述电流检测电阻的一端连接所述反馈控制芯片的电压感测端，所述电流检测电阻的另一端连接所述系统接地，所述第二反馈电阻的一端连接所述反馈控制芯片的电源输出端，所述第二反馈电阻的另一端连接所述第二反馈电容的一端，而所述第二滤波电容的另一端连接所述第二直流输出端以及所述反馈控制芯片的电流控制端，所述光藕合组件包含一光藕合晶体管及一发光二极管，所述光藕合晶体管的一集电极连接所述集电极信号，所述光藕合晶体管的一发射极以及所述发射极电阻的一端连接所述第七信号，所述发射极电阻的另一端连接所述系统接地，而所述发光二极管的一正极连接所述光藕合限流电阻的一端，所述光藕合限流电阻的另一端以及所述第三滤波电容的一端连接所述反馈控制芯片的电源输入端，而所述第三滤波电容的另一端连接所述系统接地，所述发光二极管的一负极、所述第一滤波电容的一端以及所述第二滤波电阻的一端连接所述反馈控制芯片的电源输出端，所述第二滤波电阻的另一端连接所述第二滤波电容的一端，而所述第二滤波电容的另一端连接所述反馈控制芯片的电源输入端以及所述第二直流输出端。 

在所述的反激调光驱动电路中，所述芯片控制单元包括一控制芯片、一电源滤波电容、一整流二极管、一感测电阻、一感测电容、一第一电阻、一第二电阻、一第三电阻、一第四电阻、一第五电阻、一第六电阻以及一比较电容，所述控制芯片为具有脉宽调制(PWM)功能的控制芯片，并具有一反馈端、一比较端、一多任务端、一感测端、一电源端、一驱动端、一接地端以及一检测端，所述第一电阻的一端连接所述第一信号，所述第一电阻的另一端连接所述第二电阻的一端以及所述控制芯片的多任务端，所述感测电阻的一端连接所述第六信号，所述感测电阻的另一端以及所述感测电容的一端连接所述控制芯片的一感测端，所述感测电容的另一端连接所述另一系统接地，所述控制芯片的电源端连接所述集电极信号，所述控制芯片的接地端连接所述另一系统接地，所述控制芯片的驱动端连 接所述第八信号，所述第六电阻的一端以及所述整流二极管的一正极连接所述第五信号，所述第六电阻的另一端连接所述控制芯片的检测端，所述整流二极管的一负极端连接所述电源滤波电容的一端，所述电源滤波电容的另一端连接所述系统接地，所述第三电阻的一端以及所述第四电阻的一端连接所述第七信号，而所述第三电阻的另一端连接所述另一系统接地，所述第四电阻的另一端以及所述比较电容的一端连接所述控制芯片的反馈端，而所述比较电容的另一端连接所述第五电阻的一端，且所述第五电阻的另一端连接所述控制芯片的比较端。 

在所述的反激调光驱动电路中，所述过冲吸收单元包括一稳压二极管，所述稳压二极管的一正极连接所述第一信号且所述稳压二极管的一负极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一过冲吸收电阻、一过冲吸收电容以及一过冲吸收二极管，所述过冲吸收电阻的一端以及所述过冲吸收电容的一端连接所述第一信号，所述过冲吸收电阻的另一端以及所述过冲吸收电容的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一稳压二极管以及一过冲吸收二极管，所述稳压二极管的一正极连接所述第一信号，所述稳压二极管的一负极连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一稳压二极管、一过冲吸收电阻、一过冲吸收电容以及一过冲吸收二极管，所述稳压二极管的一正极、所述过冲吸收电阻的一端以及所述过冲吸收电容的一端连接所述第一信号，所述稳压二极管的一负极、所述过冲吸收电阻的另一端以及所述过冲吸收电容的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一稳压二极管、一过冲吸收电阻以及一过冲吸收二极管，所述稳压二极管的一正极以及所述过冲吸收电阻的一端连接所述第一信号，所述稳压二极管的一负极以及所述过冲吸收电阻的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一稳压二极管、一过冲吸收电容以及一过冲吸收二极管，所述稳压二极管的一正极以及所述过冲吸收电容的一端连接所述第一信号，所 述稳压二极管的一负极以及所述过冲吸收电容的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一过冲吸收电阻、一过冲吸收电容、另一过冲吸收电阻以及一过冲吸收二极管，所述过冲吸收电阻的一端以及所述过冲吸收电容的一端连接所述第一信号，所述过冲吸收电阻的另一端以及所述过冲吸收电容的另一端连接所述另一过冲吸收电阻的一端，所述另一过冲吸收电阻的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一过冲吸收电阻、一过冲吸收电容、另一过冲吸收电阻以及一过冲吸收二极管，所述过冲吸收电阻的一端以及所述过冲吸收电容的一端连接所述第一信号，所述过冲吸收电阻的另一端以及所述过冲吸收电容的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述另一过冲吸收电阻的一端，所述另一过冲吸收电阻的另一端连接所述第四信号。 

在所述的反激调光驱动电路中，所述驱动单元包括一驱动电阻，所述驱动电阻的一端连接所述第八信号，且所述驱动电阻的另一端连接所述第九信号；或所述驱动单元包括一驱动电阻、另一驱动电阻以及一驱动二极管，所述驱动电阻的一端连接所述第八信号，且所述驱动电阻的另一端连接所述第九信号，所述驱动二极管的一负极连接所述第八信号，所述驱动二极管的一正极连接所述另一驱动电阻的一端，所述另一驱动电阻的一另一端连接所述第九信号；或所述驱动单元包括一驱动电阻、另一驱动电阻以及一驱动二极管，所述驱动电阻的一端连接所述第八信号，且所述驱动电阻的另一端连接所述第九信号，所述另一驱动电阻的一端连接所述第八信号，所述另一驱动电阻的另一端连接所述驱动二极管的一负极，所述驱动二极管的一正极连接所述第九信号；或所述驱动单元包括一驱动电阻以及一驱动二极管，所述驱动电阻的一端以及所述驱动二极管的一负极连接所述第八信号，且所述驱动电阻的另一端以及所述驱动二极管的一正极连接所述第九信号。 

在所述的反激调光驱动电路中，所述调光控制单元包括一第一调光电阻、一第二调光电阻、一第三调光电阻、一第四调光电阻、一第一调光晶 体管、一第二调光晶体管、一第一调光二极管、一第二调光二极管、一第一调光电容以及一第二调光电容，且所述第一调光晶体管为PNP晶体管，而第二调光晶体管为MOSFET，所述第一调光电阻的一端连接所述第一信号，所述第一调光电阻的另一端连接所述第一调光二极管的一正极、所述第二调光电阻的一端以及所述第一调光晶体管的一基极，所述第二调光电阻的另一端以及所述第一调光晶体管的一集电极连接所述另一系统接地，所述第一调光二极管的一负极连接所述第一调光晶体管的一发射极、所述第一调光电容的一端、所述第二调光二极管的一负极以及所述第二调光晶体管的一栅极。所述第一调光电容的另一端、所述第二调光二极管的一正极、所述第二调光晶体管的一源极以及所述第四调光电阻的一端连接所述另一系统接地，且所述第二调光晶体管的一漏极以及所述第四调光电阻的另一端连接所述另一系统接地，所述第三调光电阻的一端连接所述第一信号，所述第三调光电阻的另一端连接所述第二调光电容的一端，而所述第二调光电容的另一端连接所述另一系统接地。 

本反激调光驱动电路具备高功率因子、高电流精度、高效率的特点，并符合安规标准，适用于各类LED驱动电源，同时支持交流输入的三极交流开关(TRIAC)调光功能。 

附图说明

图1是本实用新型实施例中反激调光驱动电路的示意图； 

图2是本实用新型实施例中输入整流滤波单元的示意图； 

图3是本实用新型实施例中反激开关单元的示意图； 

图4是本实用新型实施例中输出滤波单元的示意图； 

图5是本实用新型实施例中反馈采样单元的示意图； 

图6是本实用新型实施例中芯片控制单元的示意图； 

图7是本实用新型实施例中过冲吸收单元的示意图； 

图8是本实用新型实施例中驱动单元的示意图；以及 

图9是本实用新型实施例中调光控制单元的示意图。 

具体实施方式

以下将对本实用新型以示范性实施的方式做更详细的说明，以使熟悉本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。 

参考图1，图1为本实用新型反激调光驱动电路的示意图。如图1所示，本实用新型的反激调光驱动电路1包括输入整流滤波单元10、反激开关单元20、输出滤波单元30、反馈采样单元40、芯片控制单元50、过冲吸收单元60、驱动单元70以及调光控制单元80，用以将交流输入电源VAC转换成直流输出电源VO，进而供电给外部的至少一LED(图中未示)。 

交流输入电源VAC具有第一交流端VAC+以及第二交流端VAC-，而直流输出电源VO具有第一直流输出端VO+以及第二直流输出端VO-。 

输入整流滤波单元10将交流输入电源VAC经整流及滤波后转换成第一信号V1。反激开关单元20连接第一信号V1以进行反激开关控制，并产生第三信号V3、第三辅助信号V3Y、第四信号V4、第五信号V5以及第六信号V6。输出滤波单元30连接第三信号V3以及第三辅助信号V3Y以进行滤波，并产生直流输出电源VO，且直流输出电源VO供电给外部的LED。 

反馈采样单元40连接直流输出电源VO及第五信号V5以进行反馈采样，并产生第七信号V7，而芯片控制单元50连接第一信号V1、第五信号V5、第六信号V6以及第七信号V7，并控制及产生第八信号V8，且由第一信号V1及第五信号V5产生集电极信号VC，并传送至反馈采样单元40。过冲吸收单元60的一端连接第一信号V1，过冲吸收单元60的另一端连接第四信号V4，用以进行过冲吸收控制。驱动单元70的一端连接第八信号V8，且驱动单元70的另一端连接第九信号V9，而第九信号V9进一步连接并驱动反激开关单元20。调光控制单元80连接第一信号V1，以进行调光控制。 

此外，一系统接地连接反激开关单元20、输出滤波单元30、反馈采样单元40以及芯片控制单元50，而另一系统接地连接反输入整流滤波单 元10、激开关单元20、反馈采样单元40、芯片控制单元50以及调光控制单元80。 

参考图2，图2为本实用新型输入整流滤波单元的示意图，其中输入整流滤波单元10包括保险丝FUSE、输入串接电阻R1X、压敏电阻MOV、共模滤波电感L1、前级电容CX1、后级电容CX2、整流桥BD1以及输入滤波电容C1。保险丝FUSE的一端连接第一交流端VAC+，保险丝FUSE的另一端连接压敏电阻MOV的一端以及前级电容CX1的一端。输入串接电阻R1X的一端连接第二交流端VAC-，输入串接电阻R1X的另一端连接EMI滤波器MOV的另一端以及前级电容CX1的另一端。前级电容CX1并联连接共模滤波电感L1的一侧，而所述后级电容CX2并联连接所述共模滤波电感L1的另一侧。 

整流桥BD1包括第一二极管DB1、第二二极管DB2、第三二极管DB3以及第四二极管DB4，其中第一二极管DB1的负极连接第二二极管DB2的正极以及后级电容CX2的一端，第三二极管DB3的负极连接第四二极管DB4的正极以及后级电容CX2的另一端，而第一二极管DB1的正极、第三二极管DB3的正极以及输入滤波电容C1的一端连接系统接地，第二二极管DB2的负极以及第四二极管DB4的负极连接第一信号V1以及输入滤波电容C1的另一端。 

参考图3，图3为本实用新型反激开关单元的示意图，其中反激开关单元20包括反激变压器T、晶体管Q1以及采样电阻RS，其中反激变压器T连接第一信号V1、第三信号V3、第三辅助信号V3Y、第四信号V4、第五信号V5、系统接地以及另一系统接地，且反激变压器T的第一侧连接第一信号V1、第四信号V4、第五信号V5以及另一系统接地，而反激变压器T的第二侧连接第三信号V3、第三辅助信号V3Y以及系统接地。晶体管Q1为MOSFET，且晶体管Q1的漏极连接第四信号V4，晶体管Q1的栅极连接第九信号V9，晶体管Q1的源极以及采样电阻RS的一端连接第六信号V6，且采样电阻RS的另一端连接系统接地。 

参考图4，图4为本实用新型输出滤波单元的示意图，其中输出滤波单元30包括输出整流二极管D3X、第一滤波电容C3X、电流检测电阻 R3X以及第二滤波电容C3Y，且输出整流二极管D3X的正极连接第三信号V3，输出整流二极管D3X的负极、第一滤波电容C3X的一端以及第二滤波电容C3Y的一端连接直流输出电源VO的第一直流输出端VO+，第一滤波电容C3X的另一端以及电流检测电阻R3X的一端连接系统接地。电流检测电阻R3X的另一端以及第二滤波电容C3Y的另一端连接直流输出电源VO的第二直流输出端VO-。此外，可针对不同的输出纹波要求而进一步增加π型滤波电路或共模滤波电路。 

参考图5，图5为本实用新型反馈采样单元的示意图，其中反馈采样单元40包括反馈控制芯片UC、光藕合限流电阻RTL、光藕合组件TL、第一分压电阻R41、第二分压电阻R42、第一反馈电阻R43、第一反馈电容C41、第二反馈电阻R44、第二反馈电容C42、限流电阻R45、第三滤波电容C43以及发射极电阻R46。 

反馈控制芯片UC具有电流控制端ICTRL、电压感测端VSENSE、电源输入端VCC、电源输出端VOUT、接地端GND以及电压控制端VCTRL，用以对电压和电流进行采样控制。 

第一分压电阻R41的一端连接第一直流输出电源VO+，第一分压电阻R41的另一端、第二分压电阻R42的一端以及第一反馈电阻R43的一端连接反馈控制芯片UC的电压控制端VCTRL。第一反馈电阻R43的另一端连接第一反馈电容C41的一端，而第一反馈电容C41的另一端连接反馈控制芯片UC的电源输出端VOUT。 

限流电阻R45的一端连接反馈控制芯片UC的电压感测端VSENSE，限流电阻R45的另一端连接系统接地。第二反馈电阻R44的一端连接反馈控制芯片UC的电源输出端VOUT，第二反馈电阻R44的另一端连接第二反馈电容C42的一端，而第二反馈电容C42的另一端连接第二直流输出端VO-以及反馈控制芯片UC的电流控制端ICTRL。 

光藕合组件TL包含光藕合晶体管及发光二极管，其中光藕合晶体管的集电极连接集电极信号VC，光藕合晶体管的发射极以及发射极电阻R46的一端连接第七信号V7，发射极电阻R46的另一端连接系统接地，而发光二极管的正极连接光藕合限流电阻RTL的一端，光藕合限流电阻 RTL的另一端以及第三滤波电容C43的一端连接反馈控制芯片UC的电源输入端VCC，而第三滤波电容C43的另一端连接系统接地。发光二极管的负极、第一滤波电容C41的一端以及第二滤波电阻R44的一端连接反馈控制芯片UC的电源输出端VOUT。第二滤波电阻R44的另一端连接第二滤波电容C42的一端，而第二滤波电容C42的另一端连接反馈控制芯片UC的电源输入端VCC以及第二直流输出端VO-。 

参考图6，图6为本实用新型芯片控制单元的示意图，其中芯片控制单元50包括控制芯片U1、电源滤波电容CV2、整流二极管DT、感测电阻R5X、感测电容C5X、第一电阻R51、第二电阻R52、第三电阻R53、第四电阻R54、第五电阻R55、第六电阻R56以及比较电容C5Y。 

控制芯片U1为具有脉冲宽度调变(PWM)功能的控制芯片，比如SN03A或类似功能的控制IC，其中控制芯片U1具有反馈端FB、比较端COMP、多任务端MULT、感测端CS、电源端VCC、驱动端GATE、接地端GND以及检测端ZCD。 

第一电阻R51的一端连接第一信号V1，第一电阻R51的另一端连接第二电阻R52的一端以及控制芯片U1的多任务端MULT。感测电阻R5X的一端连接第六信号V6，感测电阻R5X的另一端以及感测电容C5X的一端连接控制芯片U1的感测端CS，感测电容C5X的另一端连接另一系统接地。控制芯片U1的电源端VCC连接集电极信号VC，控制芯片U1的接地端GND连接另一系统接地，控制芯片U1的驱动端GATE连接第八信号V8。 

第六电阻R56的一端以及整流二极管DT的正极连接第五信号V5，第六电阻R56的另一端连接控制芯片U1的检测端ZCD，整流二极管DT的负极连接电源滤波电容CV2的一端，电源滤波电容CV2的另一端连接系统接地。第三电阻R53的一端以及第四电阻R54的一端连接第七信号V7，而第三电阻R53的另一端连接另一系统接地。第四电阻R54的另一端以及比较电容C5Y的一端连接控制芯片U1的反馈端FB，而比较电容C5Y的另一端连接第五电阻R55的一端，且第五电阻R55的另一端连接控制芯片U1的比较端COMP。 

因此，调整第二电阻R52可决定系统调光功能的输出电流，同时第二电阻R52可选择性的并联一颗电容滤波器，以避免某些情况下的干扰。检测端ZCD利用低电平的检测以决定每一个开关周期的开始，保证所谓临界连续的工作模式。 

参考图7，图7为本实用新型过冲吸收单元的示意图，其中过冲吸收单元60可包括稳压二极管TVS，其中稳压二极管TVS的正极连接第一信号V1且稳压二极管TVS的负极连接第四信号V4；或可包括过冲吸收电阻R、过冲吸收电容C以及过冲吸收二极管D，其中过冲吸收电阻R的一端以及过冲吸收电容C的一端连接第一信号V1，过冲吸收电阻R的另一端以及过冲吸收电容C的另一端连接过冲吸收二极管D的负极，过冲吸收二极管D的正极连接第四信号V4；或可包括稳压二极管TVS以及过冲吸收二极管D，其中稳压二极管TVS的正极连接第一信号V1，稳压二极管TVS的负极连接过冲吸收二极管D的负极，过冲吸收二极管D的正极连接第四信号V4；或可包括稳压二极管TVS、过冲吸收电阻R、过冲吸收电容C以及过冲吸收二极管D，其中稳压二极管TVS的正极、过冲吸收电阻R的一端以及过冲吸收电容C的一端连接第一信号V1，稳压二极管TVS的负极、过冲吸收电阻R的另一端以及过冲吸收电容C的另一端连接过冲吸收二极管D的负极，过冲吸收二极管D的正极连接第四信号V4；或可包括稳压二极管TVS、过冲吸收电阻R以及过冲吸收二极管D，其中稳压二极管TVS的正极以及过冲吸收电阻R的一端连接第一信号V1，稳压二极管TVS的负极以及过冲吸收电阻R的另一端连接过冲吸收二极管D的负极，过冲吸收二极管D的正极连接第四信号V4；或可包括稳压二极管TVS、过冲吸收电容C以及过冲吸收二极管D，其中稳压二极管TVS的正极以及过冲吸收电容C的一端连接第一信号V1，稳压二极管TVS的负极以及过冲吸收电容C的另一端连接过冲吸收二极管D的负极，过冲吸收二极管D的正极连接第四信号V4；或可包括过冲吸收电阻R、过冲吸收电容C、另一过冲吸收电阻R’以及过冲吸收二极管D，其中过冲吸收电阻R的一端以及过冲吸收电容C的一端连接第一信号V1，过冲吸收电阻R的另一端以及过冲吸收电容C的另一端连接另一过冲吸收电阻R’的一 端，另一过冲吸收电阻R’的另一端连接过冲吸收二极管D的负极，过冲吸收二极管D的正极连接第四信号V4；或可包括过冲吸收电阻R、过冲吸收电容C、另一过冲吸收电阻R’以及过冲吸收二极管D，其中过冲吸收电阻R的一端以及过冲吸收电容C的一端连接第一信号V1，过冲吸收电阻R的另一端以及过冲吸收电容C的另一端连接过冲吸收二极管D的负极，过冲吸收二极管D的正极连接另一过冲吸收电阻R’的一端，另一过冲吸收电阻R’的另一端连接第四信号V4。 

参考图8，图8为本实用新型驱动单元的示意图，其中驱动单元70可包括驱动电阻RG，其中驱动电阻RG的一端连接第八信号V8，且驱动电阻RG的另一端连接第九信号V9；或可包括驱动电阻RG、另一驱动电阻RG’以及驱动二极管DG，其中驱动电阻RG的一端连接第八信号V8，且驱动电阻RG的另一端连接第九信号V9，驱动二极管DG的负极连接第八信号V8，驱动二极管DG的正极连接另一驱动电阻RG’的一端，另一驱动电阻RG’的另一端连接第九信号V9；或可包括驱动电阻RG、另一驱动电阻RG’以及驱动二极管DG，其中驱动电阻RG的一端连接第八信号V8，且驱动电阻RG的另一端连接第九信号V9，另一驱动电阻RG’的一端连接第八信号V8，另一驱动电阻RG’的另一端连接驱动二极管DG的负极，驱动二极管DG的正极连接第九信号V9；或可包括驱动电阻RG以及驱动二极管DG，其中驱动电阻RG的一端以及驱动二极管DG的负极连接第八信号V8，且驱动电阻RG的另一端以及驱动二极管DG的正极连接第九信号V9。 

参考图9，图9为本实用新型调光控制单元的示意图，其中调光控制单元80包括第一调光电阻R81、第二调光电阻R82、第三调光电阻R83、第四调光电阻R84、第一调光晶体管Q81、第二调光晶体管Q82、第一调光二极管D81、第二调光二极管D82、第一调光电容C81以及第二调光电容C82，且第一调光晶体管Q81为PNP晶体管，第二调光晶体管Q82为MOSFET。 

第一调光电阻R81的一端连接第一信号V1，第一调光电阻R81的另一端连接第一调光二极管D81的正极、第二调光电阻R82的一端以及第一 调光晶体管Q81的基极。第二调光电阻R82的另一端以及第一调光晶体管Q81的集电极连接另一系统接地。 

第一调光二极管D81的负极连接第一调光晶体管Q81的发射极、第一调光电容C81的一端、第二调光二极管D82的负极以及第二调光晶体管Q82的栅极。第一调光电容C81的另一端、第二调光二极管D82的正极、第二调光晶体管Q82的源极以及第四调光电阻R84的一端连接另一系统接地，且第二调光晶体管Q82的漏极以及第四调光电阻R84的另一端连接另一系统接地。第三调光电阻R83的一端连接第一信号V1，第三调光电阻R83的另一端连接第二调光电容C82的一端，而第二调光电容C82的另一端连接另一系统接地。 

第四调光电阻R84的作用在于抑制调光器开启时瞬间输入回路中的冲击电流。例如，当TRIAC调光器开启时，第一调光电容C81为低电平，第二调光晶体管Q82的状态为截止，则对应第四调光电阻R84被串在回路中。此外，当调光器开启一段时间后，第一调光电容C81经第一调光电阻R81和第一调光二极管D81而充电至第二调光晶体管Q82的状态为开通，则对应第四调光电阻R84被Q2短接，可避免系统正常工作时第四调光电阻R84上额外的功率损耗。因输入的电压波形整流后的正弦，一个周期的后半周输入电压逐渐下降，则当第一调光电阻R81以及第二调光电阻R82的分压低到一定程度时，第一调光晶体管Q81会导通，第一调光电容C81放电，以保证在下一个周期开始的时候，第二调光晶体管Q82是处于截止状态。 

熟悉本领域技术人员在不偏离如所附权利要求书中所定义的本实用新型范围下，将会想到依据所显示及说明的实施例而修改及改变。 

Claims (9)

1.一种反激式可调光LED驱动电路，用以将一交流输入电源转换成一直流输出电源，并供电给外部的至一发光二极管(LED)，其特征在于，该反激式可调光LED驱动电路包括：

一输入整流滤波单元，将所述交流输入电源经整流及滤波后转换成一第一信号，所述交流输入电源具有一第一交流端以及一第二交流端；

一反激开关单元，连接所述第一信号，以进行反激开关控制并产生一第三信号、一第三辅助信号、一第四信号、一第五信号以及一第六信号；

一输出滤波单元，连接所述第三信号以及所述第三辅助信号，以进行滤波并产生所述直流输出电源，且所述直流输出电源具有第一直流输出端以及第二直流输出端；

一反馈采样单元，连接所述直流输出电源，以进行反馈采样并产生一第七信号；

一芯片控制单元，连接所述第一信号、所述第五信号、所述第六信号以及所述第七信号，并控制及产生一第八信号，且由所述第一信及所述第五信号产生一集电极信号，并传送至所述反馈采样单元；

一过冲吸收单元，具有一端以及另一端，所述过冲吸收单元的一端连接所述第一信号，所述过冲吸收单元的另一端连接所述第四信号，且所述过冲吸收单元用以进行过冲吸收控制；

一驱动单元，具有一端以及另一端，所述驱动单元的一端连接所述第八信号，所述驱动单元的另一端连接一第九信号，所述第九信号进一步连接并驱动所述反激开关单元；以及

一调光控制单元，连接所述第一信号，以进行调光控制，且一系统接地连接所述反激开关单元、所述输出滤波单元、所述反馈采样单元以及所述芯片控制单元，而另一系统接地连接所述输入整流滤波单元、所述反激开关单元、所述反馈采样单元、所述芯片控制单元以及所述调光控制单元。

2.根据权利要求1所述的反激式可调光LED驱动电路，其特征在于， 

所述输入整流滤波单元包括一保险丝、一输入串接电阻、一压敏电阻、一共模滤波电感、一前级电容、一后级电容、一整流桥以及一输入滤波电容，所述保险丝的一端连接所述第一交流端，所述保险丝的另一端连接所述压敏电阻的一端以及所述前级电容的一端，所述输入串接电阻的一端连接所述第二交流端，所述输入串接电阻的另一端连接所述压敏电阻的另一端以及所述前级电容的另一端，所述前级电容并联连接所述共模滤波电感的一侧，而所述后级电容并联连接所述共模滤波电感的另一侧，所述整流包括一第一二极管、一第二二极管、一第三二极管以及一第四二极管，所述第一二极管的一负极连接所述第二二极管的一正极以及所述后级电容的一端，所述第三二极管的一负极连接所述第四二极管的一正极以及所述后级电容的另一端，而所述第一二极管的一正极、所述第三二极管的一正极以及所述输入滤波电容的一端连接所述系统接地，所述第二二极管的一负极以及所述第四二极管的一负极连接所述第一信号以及所述输入滤波电容的另一端。

3.根据权利要求1所述的反激式可调光LED驱动电路，其特征在于，

所述反激开关单元包括一反激变压器、一晶体管以及一采样电阻，所述反激变压器连接所述第一信号、所述第三信号、所述第三辅助信号、所述第四信号、所述第五信号、所述系统接地以及所述另一系统接地，且所述反激变压器的一第一侧连接所述第一信号、所述第四信号、所述第五信号以及所述另一系统接地，而所述反激变压器的一第二侧连接所述第三信号、所述第三辅助信号以及所述系统接地，所述晶体管为一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，且所述晶体管的一漏极连接所述第四信号，所述晶体管的一栅极连接所述第九信号，所述晶体管的一源极以及所述采样电阻的一端连接所述第六信号，且所述采样电阻的另一端连接所述系统接地。

4.根据权利要求1所述的反激式可调光LED驱动电路，其特征在于，

所述输出滤波单元包括一输出整流二极管、一第一滤波电容、一滤波电阻以及一第二滤波电容，所述输出整流二极管的一正极连接所述第三信号，所述输出整流二极管的一负极、所述第一滤波电容的一端以及所述第 二滤波电容的一端连接所述直流输出电源的第一直流输出端，所述第一滤波电容的另一端以及所述滤波电阻的一端连接所述系统接地，所述滤波电阻的一端以及所述二滤波电容的一端连接所述流输出电源的第二直流输出端。

5.根据权利要求1所述的反激式可调光LED驱动电路，其特征在于，

所述反馈采样单元包括一反馈控制芯片、一光藕合限流电阻、一光藕合组件、一第一分压电阻、一第二分压电阻、一第一反馈电阻、一第一反馈电容、一第二反馈电阻、一第二反馈电容、一电流检测电阻、一第三滤波电容以及一发射极电阻，所述反馈控制芯片具有一电流控制端、一电压感测端、一电源输入端、一电源输出端、一接地端以及一电压控制端，用以对电压和电流进行采样控制，所述第一分压电阻的一端连接所述第一直流输出电源，所述第一分压电阻的另一端、所述第二分压电阻的一端以及所述第一反馈电阻的一端连接所述反馈控制芯片的电压控制端，所述第一反馈电阻的另一端连接所述第一反馈电容的一端，而所述第一反馈电容的另一端连接所述反馈控制芯片的电源输出端，所述电流检测电阻的一端连接所述反馈控制芯片的电压感测端，所述电流检测电阻的另一端连接所述系统接地，所述第二反馈电阻的一端连接所述反馈控制芯片的电源输出端，所述第二反馈电阻的另一端连接所述第二反馈电容的一端，而所述第二反馈电容的另一端连接所述第二直流输出端以及所述反馈控制芯片的电流控制端，所述光藕合组件包含一光藕合晶体管及一发光二极管，所述光藕合晶体管的一集电极连接所述集电极信号，所述光藕合晶体管的一发射极以及所述发射极电阻的一端连接所述第七信号，所述发射极电阻的另一端连接所述系统接地，而所述发光二极管的一正极连接所述光藕合限流电阻的一端，所述光藕合限流电阻的另一端以及所述第三滤波电容的一端连接所述反馈控制芯片的电源输入端，而所述第三滤波电容的另一端连接所述系统接地，所述发光二极管的一负极、所述第一反馈电容的一端以及所述第二反馈电阻的一端连接所述反馈控制芯片的电源输出端，所述第二反馈电阻的另一端连接所述第二反馈电容的一端，而所述第二反馈电容的另一端连接所述反馈控制芯片的电源输入端以及所述第二直流输出端。 

6.根据权利要求1所述的反激式可调光LED驱动电路，其特征在于，

所述芯片控制单元包括一控制芯片、一电源滤波电容、一整流二极管、一感测电阻、一感测电容、一第一电阻、一第二电阻、一第三电阻、一第四电阻、一第五电阻、一第六电阻以及一比较电容，所述控制芯片为具有脉宽调制(PWM)功能的控制芯片，并具有：

一反馈端、一比较端、一多任务端、一感测端、一电源端、一驱动端、一接地端以及一检测端，所述第一电阻的一端连接所述第一信号，所述第一电阻的另一端连接所述第二电阻的一端以及所述控制芯片的多任务端，所述感测电阻的一端连接所述第六信号，所述感测电阻的另一端以及所述感测电容的一端连接所述控制芯片的一感测端，所述感测电容的另一端连接所述另一系统接地，所述控制芯片的电源端连接所述集电极信号，所述控制芯片的接地端连接所述另一系统接地，所述控制芯片的驱动端连接所述第八信号，所述第六电阻的一端以及所述整流二极管的一正极连接所述第五信号，所述第六电阻的另一端连接所述控制芯片的检测端，所述整流二极管的一负极端连接所述电源滤波电容的一端，所述电源滤波电容的另一端连接所述系统接地，所述第三电阻的一端以及所述第四电阻的一端连接所述第七信号，而所述第三电阻的另一端连接所述另一系统接地，所述第四电阻的另一端以及所述比较电容的一端连接所述控制芯片的反馈端，而所述比较电容的另一端连接所述第五电阻的一端，且所述第五电阻的另一端连接所述控制芯片的比较端。

7.根据权利要求1所述的反激式可调光LED驱动电路，其特征在于，

所述过冲吸收单元包括一稳压二极管，所述稳压二极管的一正极连接所述第一信号且所述稳压二极管的一负极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一过冲吸收电阻、一过冲吸收电容以及一过冲吸收二极管，所述过冲吸收电阻的一端以及所述过冲吸收电容的一端连接所述第一信号，所述过冲吸收电阻的另一端以及所述过冲吸收电容的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一稳压二极管以及一过冲吸收二极管，所述稳压二极管的一正极连接所述第一信号，所述稳压二极管的一负极连接所 述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一稳压二极管、一过冲吸收电阻、一过冲吸收电容以及一过冲吸收二极管，所述稳压二极管的一正极、所述过冲吸收电阻的一端以及所述过冲吸收电容的一端连接所述第一信号，所述稳压二极管的一负极、所述过冲吸收电阻的另一端以及所述过冲吸收电容的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一稳压二极管、一过冲吸收电阻以及一过冲吸收二极管，所述稳压二极管的一正极以及所述过冲吸收电阻的一端连接所述第一信号，所述稳压二极管的一负极以及所述过冲吸收电阻的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一稳压二极管、一过冲吸收电容以及一过冲吸收二极管，所述稳压二极管的一正极以及所述过冲吸收电容的一端连接所述第一信号，所述稳压二极管的一负极以及所述过冲吸收电容的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一过冲吸收电阻、一过冲吸收电容、另一过冲吸收电阻以及一过冲吸收二极管，所述过冲吸收电阻的一端以及所述过冲吸收电容的一端连接所述第一信号，所述过冲吸收电阻的另一端以及所述过冲吸收电容的另一端连接所述另一过冲吸收电阻的一端，所述另一过冲吸收电阻的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述第四信号；或所述过冲吸收单元包括一过冲吸收电阻、一过冲吸收电容、另一过冲吸收电阻以及一过冲吸收二极管，所述过冲吸收电阻的一端以及所述过冲吸收电容的一端连接所述第一信号，所述过冲吸收电阻的另一端以及所述过冲吸收电容的另一端连接所述过冲吸收二极管的一负极，所述过冲吸收二极管的一正极连接所述另一过冲吸收电阻的一端，所述另一过冲吸收电阻的另一端连接所述第四信号。

8.根据权利要求1所述的反激式可调光LED驱动电路，其特征在于，

所述驱动单元包括一驱动电阻，所述驱动电阻的一端连接所述第八信号，且所述驱动电阻的另一端连接所述第九信号；或所述驱动单元包括一 驱动电阻、另一驱动电阻以及一驱动二极管，所述驱动电阻的一端连接所述第八信号，且所述驱动电阻的另一端连接所述第九信号，所述驱动二极管的一负极连接所述第八信号，所述驱动二极管的一正极连接所述另一驱动电阻的一端，所述另一驱动电阻的另一端连接所述第九信号；或所述驱动单元包括一驱动电阻、另一驱动电阻以及一驱动二极管，所述驱动电阻的一端连接所述第八信号，且所述驱动电阻的另一端连接所述第九信号，所述另一驱动电阻的一端连接所述第八信号，所述另一驱动电阻的另一端连接所述驱动二极管的一负极，所述驱动二极管的一正极连接所述第九信号；或所述驱动单元包括一驱动电阻以及一驱动二极管，所述驱动电阻的一端以及所述驱动二极管的一负极连接所述第八信号，且所述驱动电阻的另一端以及所述驱动二极管的一正极连接所述第九信号。

9.根据权利要求1所述的反激式可调光LED驱动电路，其特征在于，

所述调光控制单元包括一第一调光电阻、一第二调光电阻、一第三调光电阻、一第四调光电阻、一第一调光晶体管、一第二调光晶体管、一第一调光二极管、一第二调光二极管、一第一调光电容以及一第二调光电容，且所述第一调光晶体管为PNP晶体管，而第二调光晶体管为MOSFET，所述第一调光电阻的一端连接所述第一信号，所述第一调光电阻的另一端连接所述第一调光二极管的一正极、所述第二调光电阻的一端以及所述第一调光晶体管的一基极，所述第二调光电阻的另一端以及所述第一调光晶体管的一集电极连接所述另一系统接地，所述第一调光二极管的一负极连接所述第一调光晶体管的一发射极、所述第一调光电容的一端、所述第二调光二极管的一负极以及所述第二调光晶体管的一栅极。所述第一调光电容的另一端、所述第二调光二极管的一正极、所述第二调光晶体管的一源极以及所述第四调光电阻的一端连接所述另一系统接地，且所述第二调光晶体管的一漏极以及所述第四调光电阻的另一端连接所述另一系统接地，所述第三调光电阻的一端连接所述第一信号，所述第三调光电阻的另一端连接所述第二调光电容的一端，而所述第二调光电容的另一端连接所述另一系统接地。 

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