CN202034406U - 一种双层石英筒 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种双层石英筒，其包括构成石英筒外形的外筒体、设置在外筒体内且高度低于外筒体的内筒体以及水平设置在内筒体顶端的晶片承载台，内筒体与外筒体共底面，且二者的轴心线重合，所述外筒体在其低于晶片承载台的侧壁上开设有多个沿着外筒体的周向均匀分布的通气孔，在外筒体的内侧表面与内筒体的外侧表面之间形成有与通气孔连通的气体通道。本实用新型双层石英筒结构简单，且设计巧妙，采取该结构的反应器，即使在高压强和温度的条件下使用， 膜生长也始终处于层流气流下，保证膜生长效率和均匀性。

Description

一种双层石英筒
技术领域
本实用新型涉及一种双层石英筒，其用于半导体器件例如发光二极管的晶片的制造。
背景技术
半导体器件例如发光二极管的晶片的制造一般采用化学气相沉积工艺。该工艺通常在化学气相沉积反应器中进行。化学气相沉积反应器设计在获得半导体制造所需的高质量膜方面是关键因素。高质量膜沉积的气流动力学优选层流，以实现高生长效率和均匀性。目前的化学气相沉积反应器设计包括转盘反应器、行星式旋转反应器以及紧耦合喷嘴。这些反应器通常在低压和较低温度下运转良好，但是在高压强和温度的条件下使用时，大量热对流自然地发生，对生长工艺造成不利干扰。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种可作为发光二极管晶片反应器的双层石英筒。
为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：
一种双层石英筒，其包括构成石英筒外形的外筒体、设置在外筒体内且高度低于外筒体的内筒体以及水平设置在内筒体顶端的晶片承载台，内筒体与外筒体共底面，且二者的轴心线重合，所述外筒体在其低于晶片承载台的侧壁上开设有多个沿着外筒体的周向均匀分布的通气孔，在外筒体的内侧表面与内筒体的外侧表面之间形成有与通气孔连通的气体通道。
优选地，所述通气孔为6～10个；所述的双层石英筒还包括与外筒体配套使用用于封住外筒体的顶盖。
由于采用以上技术方案的实施，本实用新型与现有技术相比具有如下优点：
本实用新型双层石英筒结构简单，且设计巧妙，通过外筒体上的通气孔向筒内均匀通入化学沉积要求的化学气体，该化学气体经过气体通道后，进入到晶片承载台的上方，并继而均匀沉积在承载台的晶片上。采取该结构的反应器，即使在高压强和温度的条件下使用，膜生长也始终处于层流气流下，保证膜生长效率和均匀性。
附图说明
    下面结合具体的实施例，对本实用新型做进一步详细的说明。
图1为根据本实用新型的双层石英筒的结构示意图（半剖）；
图2为图1的俯视示意图；
图3根据本实用新型的双层石英筒的工作原理图；
其中：1、外筒体；2、内筒体；10、通气孔；3、晶片承载台；4、顶盖；8、气体通道。
具体实施方式
如图1和2所示，按照本实施例的双层石英筒包括构成石英筒外形的外筒体1、设置在外筒体1内且高度低于外筒体1的内筒体2以及水平设置在内筒体2顶端的晶片承载台3。内筒体2与外筒体1共底面，且二者的轴心线重合，所述外筒体1在其低于晶片承载台3的侧壁上开设有7个沿着外筒体1的周向均匀分布的通气孔10，在外筒体1的内侧表面与内筒体2的外侧表面之间形成有与通气孔10连通的气体通道8。
如图3所示，通过外筒体1上的通气孔10向筒内均匀通入化学沉积要求的化学气体，该化学气体经过气体通道8后，进入到晶片承载台3的上方，并继而均匀沉积在晶体承载台3的晶片上。采取该结构的反应器，即使在高压强和温度的条件下使用，膜生长也始终处于层流气流下，保证膜生长效率和均匀性。
以上对本实用新型做了详尽的描述，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型的精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。

Claims (4)

1.一种双层石英筒，其特征在于：所述双层石英筒包括构成所述石英筒外形的外筒体（1）、设置在所述外筒体（1）内且高度低于所述外筒体（1）的内筒体（2）以及水平设置在所述内筒体（2）顶端的晶片承载台（3），所述内筒体（2）与所述外筒体（1）共底面，且二者的轴心线重合，所述外筒体（1）在其低于所述晶片承载台（3）的侧壁上开设有多个沿着外筒体（1）的周向均匀分布的通气孔（10），在所述外筒体（1）的内侧表面与所述内筒体（2）的外侧表面之间形成有与所述通气孔（10）连通的气体通道（8）。
2.根据权利要求1所述的双层石英筒，其特征在于：所述通气孔（10）为6～10个。
3.根据权利要求2所述的双层石英筒，其特征在于：所述通气孔（10）为7个。
4.根据权利要求1所述的双层石英筒，其特征在于：所述双层石英筒还包括与所述外筒体（1）配套使用用于封住所述外筒体（1）的顶盖（4）。
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