CN202026457U - 一种驻极体的极化装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型适用于极化技术领域,提供了一种驻极体的极化装置,包括:依次串联连接的针状电极、直流高压电源及金属底座,所述针状电极与金属底座之间置有一对绕线方向相同、匝数相同、通电电流大小相同、线圈半径相同、两线圈间距大小与线圈半径等同的一对亥姆霍兹共轴线圈。本实用新型的驻极体的极化装置,通过一对亥姆霍兹共轴线圈,可很好的掌控极化时的电子束,对电子束实现准确的定位,从而可在极化驻极体时获得较多的深阱,并可以使电荷注入驻极体的膜体较深。
Description
技术领域
本实用新型属于极化技术领域,尤其涉及一种驻极体的极化装置。
背景技术
随着电子产业的飞速发展,驻极体电容式传声器的需求越来越大,功能也在不断提高、完善。在驻极体电容式传声器的生产制作工艺中,驻极体的极化工艺尤为关键。
目前,普通的驻极体的极化装置如图1所示,包括依次串联连接的金属底座103、直流高压电源104和针状电极101。在极化时,将待极化的镀覆有膜体的驻极体102置于金属底座103上进行极化,针状电极101在直流高压电源104下,可产生电子束射向待极化的驻极体102,但由于电子束射向驻极体102的充电区域的作用力在控制上的不确定因素,导致获得的深阱较少,电荷注入驻极体102的膜体较浅。
综上所述,普通的驻极体的极化装置在极化驻极体时获得的深阱较少,电荷注入驻极体的膜体也较浅。
实用新型内容
本实用新型实施例的目的在于提供一种驻极体的极化装置,旨在解决普通的驻极体的极化装置在极化驻极体时获得的深阱较少,电荷注入驻极体的膜体也较浅的问题。
本实用新型实施例是这样实现的,一种驻极体的极化装置,包括:
依次串联连接的针状电极、直流高压电源及金属底座,所述针状电极与金属底座之间置有一对绕线方向相同、匝数相同、通电电流大小相同、线圈半径相同、两线圈间距大小与线圈半径等同的一对亥姆霍兹共轴线圈。
进一步的,所述极化装置还包括:
与所述亥姆霍兹共轴线圈连接的直流供电电源。
更进一步的,所述针状电极置于所述亥姆霍兹共轴线圈中心线的中轴线上。
再进一步的,所述极化装置还包括:
置于所述金属底座外围的加热单元。
又进一步的,所述加热单元具体为高温管。
进一步的,所述针状电极和所述直流高压电源之间还串联连接有电流计。
更进一步的,所述亥姆霍兹共轴线圈的匝数为匝以上。
本实用新型实施例与现有技术相比,有益效果在于:通过一对亥姆霍兹共轴线圈,可很好的掌控极化时的电子束,对电子束实现准确的定位,从而可在极化驻极体时获得较多的深阱,并可以使电荷注入驻极体的膜体较深。
附图说明
图1是现有技术中普通的驻极体的极化装置的结构示意图;
图2是本实用新型实施例提供的驻极体的极化装置的结构示意图;
图3是本实用新型实施例提供的亥姆霍兹共轴线圈的结构示意图;
图4是亥姆霍兹共轴线圈的磁场分布的一个示意图;
图5是亥姆霍兹共轴线圈的磁场分布的另一个示意图;
图6是亥姆霍兹共轴线圈的磁场分布的又一个示意图;
图7是亥姆霍兹共轴线圈中通电电流的变化示意图;
图8是坐标轴示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
本实用新型实施例中,通过一对亥姆霍兹共轴线圈,可很好的掌控极化时的电子束,对电子束实现准确的定位,从而可在极化驻极体时获得较多的深阱。
本实用新型实施例提供的实施方案如下:
一种驻极体的极化装置,包括:
依次串联连接的针状电极、直流高压电源及金属底座,所述针状电极与金属底座之间置有一对绕线方向相同、匝数相同、通电电流大小相同、线圈半径相同、两线圈间距大小与线圈半径等同的一对亥姆霍兹共轴线圈。
以下结合具体实施例对本实用新型的实现进行详细描述:
请参阅图2,本实用新型实施例提供了一种驻极体的极化装置,包括:
依次串联连接的针状电极201、直流高压电源204及金属底座203,针状电极201与金属底座203之间置有一对绕线方向相同、匝数相同、通电电流大小相同、线圈半径相同、两线圈间距大小与线圈半径等同的一对亥姆霍兹共轴线圈205。
通过一对亥姆霍兹共轴线圈205,可很好的掌控极化时的电子束,对电子束实现准确的定位,从而可在极化驻极体时获得较多的深阱,并可以使电荷注入驻极体的膜体较深。
在本实用新型实施例中,上述通电电流以三角脉冲方式变化。
在本实用新型实施例中,极化装置还包括:
与亥姆霍兹共轴线圈205连接的直流供电电源208。
在本实用新型实施例中,亥姆霍兹共轴线圈205的匝数为50匝以上。
在极化时,将待极化的驻极体202置于金属底座203上。在应用中,针状电极201与驻极体202的距离在10mm以上。针状电极201与驻极体202之间的距离根据线圈大小和驻极体202的有效面积而定。
待极化的驻极体202上镀覆有膜体,膜体具体可采用FEP膜、PTFE膜或FEP和PTFE的复合膜。优选采用PTFE膜,在高温下极化时,其电荷的稳定性较好。
在本实用新型实施例中,针状电极201置于亥姆霍兹共轴线圈205中心线O1O2的中轴线上。
在应用中,针状电极201到亥姆霍兹共轴线圈205中心线O1O2的垂直距离在10mm-15mm。
在本实用新型实施例中,该极化装置还包括:
置于金属底座203外围的加热单元。
通过加热单元,当将待极化的驻极体202置于金属底座203上进行极化时,极化充电效果会更好。
其中,加热单元具体可为高温管,当将驻极体202置于金属底座203上进行极化时,高温管的温度可设置为150℃-190℃。当驻极体202极化完毕后,可将极化完毕的驻极体202置于室温下降温。
在本实用新型实施例中,针状电极201和直流高压电源204之间还串联连接有电流计206。
对本实用新型实施例的驻极体的极化装置的原理说明如下:
从电磁学原理我们可知,在电、磁场的共同作用下,电子(电子束)在电场作用下得到加速,而会具有一定的速度v的带电的电子(电子束)入射到均匀磁场B中当电子(电子束)的运动方向与磁场垂直时,受洛伦茨力的作用,电子(电子束)会在垂直于磁场的平面内作圆周运动,其洛伦茨力大小为: Fm=qv×B ,利于掌控电子(电子束),对电子束实现准确的定位,从而有效地应用到驻极体的极化工艺中。在驻极体的极化工艺中,首先要获得一个均匀的磁场。
本实用新型实施例的驻极体的极化装置,采用了一对亥姆霍兹共轴线圈,如图3所示,其绕线方向相同、匝数相同、通电电流I大小相同,线圈半径R相同,两线圈的间距a与线圈半径R相同。
如图4和图5所示,可见亥姆霍兹共轴线圈205间距a不等于线圈半径R时即a>R或者a<R时,亥姆霍兹共轴线圈205中心线O1O2的中轴线OZ上的磁场分布不均匀,如图6所示,当a=R时,中心线O1O2的中轴线OZ上的磁场分布均匀。
当两线圈中的通电电流I变大时,则电子(电子束)在垂直于磁场的平面内作圆周运动的半径就会变小,若该通电电流I是以如图7的方式变化时,则电子(电子束)在垂直于磁场的平面内作圆周运动的半径就会连续变化。
在具体应用中,T取值为0.03S-0.06S,△t取值为0.8S—1.5S;
T优选取值为0.5S,△t优选取值为1S,可使每一片驻极体202上的电位一致性较好,由于驻极的电荷基本上处于深势阱,所以通过该极化装置驻极的电荷稳定性较好。
当通电电流I到达Im后有△t的时间无电流流过,这时,电子(电子束)无洛伦茨力作用,会按照最后作用时的方向、速度继续运动,通过调控时间则可使电子(电子束)垂直向下向驻极体的膜体内驻极,因此可很好的掌控电子(电子束),准确的定出带电的电子(电子束)的位置,从而获得较多的阱深,并可使电荷注入驻极体102的膜体较深。
为了进一步的说明原理,举例说明如下:
将图3所示的亥姆霍兹共轴线圈置于图8所示的与XOY平面平行的平面内。当电子发射后,一进入磁场就会受洛伦次力作用而作圆周运动,由于磁场的方向则会向OY方向、或向YO方向运动。若向YO方向运动则经过π/2角,在该处向下运动,这时励磁电流停止,无洛伦次力作用,电子垂直向下到达xoz平面而进行驻极。若向OY方向运动则经过3/2π角,至另一相对的位置,这时励磁电流停止,无洛伦次力作用,电子垂直向下到达xoz平面的另一处进行驻极。△t:是考虑其作π或2π运转的时间;T:是垂直向下抵达待驻极物体的时间。因此需要控制时间以调整。专利中给出的控制时间计算,是与尺寸、电流、加的高压等有关,另外,在xoz平面上应用输送带,将驻极体定时输送到该线圈正下方进行驻极,便可解决垂直向下电子即使在不同位置处也仍可驻极的问题。
因为根据亥姆霍兹线圈中心线上磁场强度公式为:
B=2.024*(u0NI)/R ,其中u0=1.26*10^(-6) T·m/A .
因电子入射方向v垂直与磁场B,所以洛伦兹力:F1=qv×B;
电子绕圆心圆周运动的向心力:F2=[m*R^(4)*π^(2)]/(T^2)
因为电子做圆周运动,故需要洛伦兹力F1=向心力F2;
所以qvB=[m*R^(4)*π^(2)]/(T^2);
又因为B=2.024*( u0NI)/R;
所以qv*2.024*( u0NI)/R=[m*R^(4)*π^(2)]/(T^2) ①
又因为E=v/d, F=Eq=ma1。
所以vq/d=ma1,所以v=ma1d/q,代入①得:
a1d*2.0248* (u0NI)/R=[ R^(4)*π^(2)]/(T^2)
根据S=(a1t^2)/2,S=0.63,t=0.005,故a1=0.4
把u0=1.26*10^(-6),N=50,I=10,R=0.004,d=0.01,a1=0.4。所以T=(0.00000079/a1)^(1/2)=45ms。
本实用新型的驻极体的极化装置,通过一对亥姆霍兹共轴线圈,可很好的掌控极化时的电子束,对电子束实现准确的定位,从而可在极化驻极体时获得较多的阱深,并可以使电荷注入驻极体的膜体较深。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种驻极体的极化装置,包括:
依次串联连接的针状电极(201)、直流高压电源(204)及金属底座(203),其特征在于,所述针状电极(201)与金属底座(203)之间置有一对绕线方向相同、匝数相同、通电电流大小相同、线圈半径相同、两线圈间距大小与线圈半径等同的一对亥姆霍兹共轴线圈(205)。
2.如权利要求1所述的极化装置,其特征在于,所述极化装置还包括:
与所述亥姆霍兹共轴线圈(205)连接的直流供电电源(208)。
3.如权利要求2所述的极化装置,其特征在于,所述针状电极(201)置于所述亥姆霍兹共轴线圈(205)中心线的中轴线上。
4.如权利要求1至3中任一项所述的极化装置,其特征在于,所述极化装置还包括:
置于所述金属底座(203)外围的加热单元。
5.如权利要求4所述的极化装置,其特征在于,所述加热单元具体为高温管。
6.如权利要求4所述的极化装置,其特征在于,所述针状电极(201)和所述直流高压电源(204)之间还串联连接有电流计(206)。
7.如权利要求1所述的极化装置,其特征在于,所述亥姆霍兹共轴线圈(205)的匝数为50匝以上。
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CN105036064B (zh) * | 2015-07-13 | 2017-02-01 | 北京理工大学 | 一种高深宽比结构驻极体的射线极化装置及其极化方法 |
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