CN201995126U - 一种径向磁路同轴扬声器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种径向磁路同轴扬声器，包括扬声器支架，所述扬声器支架下设有径向磁路结构，径向磁路结构包括导磁体、永磁体，所述导磁体呈环状，中间开有一环形槽，所述永磁体呈环状，悬置于导磁体的环形槽中，所述扬声器支架上设有中低音振膜和中低音音圈，所述径向磁路结构上设有球顶高音振膜和高音音圈。本实用新型由于径向磁路具有良好的瞬态响应能力，有效保证了同轴扬声器的音质，同时中低音音圈、高音音圈与永磁体之间S极和N极正好形成一个闭合的磁回路结构，从而避免了漏磁的发生。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种同轴扬声器。
背景技术
在扬声器的设计中，同轴扬声器以其点声源优秀的定位能力为扬声器的佼佼者，但经常因为导磁的磁间隙问题而产生的漏磁以及磁通量不均衡、导磁不足等影响扬声器的音质效果。
发明内容
本实用新型所要解决的问题是提供一种径向磁路同轴扬声器。
本实用新型所采用的技术方案是：径向磁路同轴扬声器包括扬声器支架，所述扬声器支架下设有径向磁路结构，径向磁路结构包括导磁体、永磁体，所述导磁体呈环状，中间开有一环形槽，所述永磁体呈环状，悬置于导磁体的环形槽中，所述扬声器支架上设有中低音振膜和中低音音圈，所述径向磁路结构上设有球顶高音振膜和高音音圈。
本实用新型的有益效果是：本实用新型由于径向磁路具有良好的瞬态响应能力，有效保证了同轴扬声器的音质，同时中低音音圈、高音音圈与永磁体之间S极和N极正好形成一个闭合的磁回路结构，从而避免了漏磁的发生。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明：
图1为本实用新型具体实施方式的剖视结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，径向磁路同轴扬声器包括扬声器支架1，扬声器支架1下设有径向磁路结构，径向磁路结构包括导磁体2、永磁体3，导磁体2呈环状，中间开有一环形槽4，永磁体3呈环状，悬置于导磁体2的环形槽4中，扬声器支架上设有中低音振膜5和中低音音圈6，中低音音圈6和永磁体3形成磁感应，推动中低音振膜5发出中低音，径向磁路结构上设有球顶高音振膜7和高音音圈8，高音音圈8和永磁体3形成磁感应，推动球顶高音振膜7发出高音，中低音音圈6、高音音圈8与永磁体3之间S极和N极正好形成一个闭合的磁回路结构，从而避免了漏磁的发生。
Claims (1)
1.一种径向磁路同轴扬声器，其特征在于：所述径向磁路同轴扬声器包括扬声器支架，所述扬声器支架下设有径向磁路结构，径向磁路结构包括导磁体、永磁体，所述导磁体呈环状，中间开有一环形槽，所述永磁体呈环状，悬置于导磁体的环形槽中，所述扬声器支架上设有中低音振膜和中低音音圈，所述径向磁路结构上设有球顶高音振膜和高音音圈。
Priority Applications (1)
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| CN2011200547655U CN201995126U (zh) | 2011-03-04 | 2011-03-04 | 一种径向磁路同轴扬声器 |
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| CN2011200547655U CN201995126U (zh) | 2011-03-04 | 2011-03-04 | 一种径向磁路同轴扬声器 |
Publications (1)
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| CN201995126U true CN201995126U (zh) | 2011-09-28 |
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Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN201995126U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107465977A (zh) * | 2017-09-29 | 2017-12-12 | 钟礼通 | 同心轴辐射磁路扬声器 |
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2011
- 2011-03-04 CN CN2011200547655U patent/CN201995126U/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190904 Address after: 514300 Block D, Eco-Industrial Zone, Fengshun County, Meizhou City, Guangdong Province Patentee after: Guangdong Wansheng science and Technology Co., Ltd. Address before: 514300 Tongpan Village, Tangkeng Town, Fengshun County, Meizhou City, Guangdong Province Patentee before: Lark (Fengshun) Electronics Co., Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110928 Termination date: 20200304 |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |