CN201946605U - 一种n型多晶硅电池片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种电池片，特别涉及一种N型多晶硅电池片。该N型多晶硅电池片，包括电池片，电池片上端设有银铝电极，下端设有银电极，电池片包括从上到下的SiNx抗反射层、P+射极层、N型硅片、N+射极层及SiNx抗发射层，其特征是：在SiNx抗反射层与P+射极层之间设有一层SiO2钝化层。因此，本实用新型的有益效果是：N型硅片材料金属杂质比较少，因此N型硅片材料比P型硅片材料有比较长的少数载子寿命和扩散长度，以N型硅片为基材做成的N型多晶硅电池比P型硅片为基材做成的P型多晶硅电池容易获得比较高的电池转换效率，电池片转换效率提高到17.3％-17.5％。
Description
(一)技术领域
本实用新型涉及一种电池片，特别涉及一种N型多晶硅电池片。
(二)背景技术
多晶硅电池片，是太阳能电池片的一种，是相对环保的一种电池片。电池片一般分为单晶硅、多晶硅和非晶硅，单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池，它的构造和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面，这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料，生产成本较高，多晶硅电池片其成本远低于单晶硅电池，而效率又高于非晶硅薄膜电池。
目前全世界生产多晶硅电池片九成以上均以生产P型多晶硅电池片为主，传统的P型多晶硅电池是在N+射极层直接使用PECVD镀上SiNx抗反射层，这样高温会破坏N+射极层，且P型多晶硅电池片转换率低。
(三)发明内容
本实用新型为了弥补现有技术的不足，提供了一种转换效率提高的N型多晶硅电池片。
本实用新型是通过如下技术方案实现的：
一种N型多晶硅电池片，包括电池片，电池片上端设有银铝电极，下端设有银电极，电池片包括从上到下的SiNx抗反射层、P+射极层、N型硅片、N+射极层及SiNx抗发射层，其特殊之处在于：在SiNx抗反射层与P+射极层之间设有一层SiO2钝化层。
在电池片正面P+射极层利用湿氧化学工艺形成SiO2钝化层保护P+射极层，避免下一道工艺在使用PECVD镀上SiNx抗反射层时，因为高温而破坏P+射极层，不同于传统的P型多晶硅电池是在N+射极层直接使用PECVD镀上SiNx抗反射层。
因此，本实用新型的有益效果是：N型硅片材料金属杂质比较少，因此N型硅片材料比P型硅片材料有比较长的少数载子寿命和扩散长度，以N型硅片为基材做成的N型多晶硅电池比P型硅片为基材做成的P型多晶硅电池容易获得比较高的电池转换效率，电池片转换效率提高到17.3％-17.5％。
(四)附图说明
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
图1为P型多晶硅电池片的结构示意图；
图2为本实用新型N型多晶硅电池片的结构示意图。
图中，1P型硅片，2银电极，3铝电极，4N+射极层，5SiNx抗反射层，6N型硅片，7银铝电极，8SiO2钝化层，9P+射极层。
(五)具体实施方式
附图为本实用新型的一种具体实施例。该实施例包括电池片，电池片上端设有银铝电极7，下端设有银电极2，电池片包括从上到下的SiNx抗反射层5、P+射极层9、N型硅片6、N+射极层4及SiNx抗发射层5，在SiNx抗反射层5与P+射极层9之间设有一层SiO2钝化层8。
P型多晶硅电池片，包括电池片，电池片上端设有银电极2，下端设有铝电极3，电池片包括从上到下的SiNx抗反射层5、N+射极层4及P型硅片1。
本实用新型的N型多晶硅电池片是采用如下步骤生产的：(1)制绒，(2)磷扩散，(3)硼扩散(4)抗反射，(5)丝网印刷，(6)烧结，步骤(3)与(4)之间还包括步骤(3-1)在P+射极层表面制备一8nm的SiO2钝化层，步骤(4)抗反射中，在SiO2钝化层上面和N+射极层(4)下面分别镀上一层70nm厚的SiNx抗发射层。因此，本实用新型的有益效果是：N型硅片材料金属杂质比较少，因此N型硅片材料比P型硅片材料有比较长的少数载子寿命和扩散长度，以N型硅片为基材做成的N型多晶硅电池比P型硅片为基材做成的P型多晶硅电池容易获得比较高的电池转换效率，电池片转换效率提高到17.3％-17.5％。
Claims (1)
1.一种N型多晶硅电池片，包括电池片，电池片上端设有银铝电极(7)，下端设有银电极(2)，电池片包括从上到下的SiNx抗反射层(5)、P+射极层(9)、N型硅片(6)、N+射极层(4)及SiNx抗发射层(5)，其特征是：在SiNx抗反射层(5)与P+射极层(9)之间设有一层SiO2钝化层(8)。
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2011
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