CN201926700U - 一种过零检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种过零检测电路,市电网络的火线连接一桥式整流电路D的第一引脚所述市电网络的零线接所述桥式整流电路D的第三引脚,所述桥式整流电路D的第二引脚通过一电阻R1连接一光耦IC1的一输入端,所述桥式整流电路D的第四引脚连接所述光耦IC1的另一输入端,所述光耦IC1的一输出端接电源,所述光耦IC1的另一输出端通过一电阻R2连接三极管Q1的基极并通过电阻R5接地,所述三极管Q1的集电极通过一电阻R3连接三极管Q1的基极,所述三极管Q1的集电极接检测端口P1.0,本实用新型的电路结构简单,使用方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种应用电路,具体的涉及一种过零检测电路。
背景技术
现有的电路中的过零检测电路形形色色种类繁多,但大多结构复杂,功能复杂,而在一些只需要功能单一的应用场合下,往往是采用复杂电路结构的过零检测电路来完成单一的过零检测功能,这样一方面成本会有所提高,另外一方面,电路结构一旦复杂化后,其背后的不稳定因素也在增加,如此便在无形之中降低了产品合格率。
实用新型内容
为克服现有技术中的不足,本实用新型的目的在于提供一种结构简单的过零检测电路。
为了解决上述技术问题,实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种过零检测电路,市电网络的火线连接一桥式整流电路D的第一引脚所述市电网络的零线接所述桥式整流电路D的第三引脚,所述桥式整流电路D的第二引脚通过一电阻R1连接一光耦IC1的一输入端,所述桥式整流电路D的第四引脚连接所述光耦IC1的另一输入端,所述光耦IC1的一输出端接电源,所述光耦IC1的另一输出端通过一电阻R2连接三极管Q1的基极并通过电阻R5接地,所述三极管Q1的集电极通过一电阻R3连接三极管Q1的基极,所述三极管Q1的集电极接检测端口P1.0。
进一步的,所述光耦IC1的两输入端之间跨接有电阻R4和电容C1。
进一步的,所述三极管Q2的发射极接地、集电极通过电阻R6接电源,所述三极管Q2的基极与发射极之间跨接有电阻R7和电容C2。
进一步的,所述三极管Q1的集电极通过电阻R8接电源。
本实用新型的过零检测电路的工作过程如下:
当所述火线L和零线N两端输入220V市电,经过桥式整流电路D整流,此时再经过光耦IC1,使光耦IC1导通,当光耦IC1导通后将信号传送至三极管Q1的基极,信号经过三极管Q1的处理,再将此信号送至三极管Q12,最终由三极管Q2的集电极输出送至检测端口P1.0,检测芯片通过此电路来检测过零信号。
本实用新型具有以下优点:
本实用新型的过零检测电路的结构简单,使用方便。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为本实用新型的过零检测电路的电路原理图。
图中标号说明:1、第一引脚,2、第二引脚,3、第三引脚,4、第四引脚。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型的技术实施过程做进一步说明。
参见图1所示,一种过零检测电路,市电网络的火线连接一桥式整流电路D的第一引脚1,所述市电网络的零线接所述桥式整流电路D的第三引脚3,所述桥式整流电路D的第二引脚2通过一电阻R1连接一光耦IC1的一输入端,所述桥式整流电路D的第四引脚4连接所述光耦IC1的另一输入端,所述光耦IC1的一输出端接电源,所述光耦IC1的另一输出端通过一电阻R2连接三极管Q1的基极并通过电阻R5接地,所述三极管Q1的集电极通过一电阻R3连接三极管Q1的基极,所述三极管Q1的集电极接检测端口P1.0。
进一步的,所述光耦IC1的两输入端之间跨接有电阻R4和电容C1。
进一步的,所述三极管Q2的发射极接地、集电极通过电阻R6接电源,所述三极管Q2的基极与发射极之间跨接有电阻R7和电容C2。
进一步的,所述三极管Q1的集电极通过电阻R8接电源。
上述实施例只是为了说明本实用新型的技术构思及特点,其目的是在于让本领域内的普通技术人员能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡是根据本实用新型内容的实质所作出的等效的变化或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
Claims (4)
1.一种过零检测电路,其特征在于:市电网络的火线连接一桥式整流电路D的第一引脚(1),所述市电网络的零线接所述桥式整流电路D的第三引脚(3),所述桥式整流电路D的第二引脚(2)通过一电阻R1连接一光耦IC1的一输入端,所述桥式整流电路D的第四引脚(4)连接所述光耦IC1的另一输入端,所述光耦IC1的一输出端接电源,所述光耦IC1的另一输出端通过一电阻R2连接三极管Q1的基极并通过电阻R5接地,所述三极管Q1的集电极通过一电阻R3连接三极管Q1的基极,所述三极管Q1的集电极接检测端口P1.0。
2.根据权利要求1所述的过零检测电路,其特征在于:所述光耦IC1的两输入端之间跨接有电阻R4和电容C1。
3.根据权利要求1所述的过零检测电路,其特征在于:所述三极管Q2的发射极接地、集电极通过电阻R6接电源,所述三极管Q2的基极与发射极之间跨接有电阻R7和电容C2。
4.根据权利要求1所述的过零检测电路,其特征在于:所述三极管Q1的集电极通过电阻R8接电源。
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