CN201904327U - 带选择性棕氧化层的引线框架 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种带选择性棕氧化层的引线框架,它包括设有包封区域(2)的引线框架主体(1),所述的引线框架主体(1)上设有棕氧化层(3),所述的棕氧化层(3)仅覆盖引线框架主体(1)上的包封区域(2)。该带选择性棕氧化层的引线框架制作节省成本且使用方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体元件的基础材料的技术领域,具体讲是一种用于装载芯片并加以塑封的带选择性棕氧化层的引线框架。
背景技术
引线框架是制作生产半导体元件的基础材料,一般制作引线框架的基材为铜合金。在引线框架上装载芯片和打导线之后,利用树脂塑封料对芯片加以包封,形成一整体的半导体元件,由此可知,包封区域只占引线框架一部分。为加强对芯片的保护,防止水汽对芯片的侵蚀,塑封料和引线框架间的结合力越大越好,因此,通常会对引线框架的铜表面做化学药水处理,形成一层棕氧化层,加大表面粗糙度,从而增强和塑封料的结合力。而现有技术中都是对引线框架的整体做表面棕氧化处理,消耗的化学药水多,而塑封料的溢料部分也会和引线框架上的非包封区域结合,在引线框架的客户使用端,不容易去除残胶,且由于棕氧化层为绝缘体,还需要对引线框架的非包封区域做退棕氧化层的处理,较为繁琐且成本很高。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是,克服以上现有技术的缺陷,提供一种节省成本且使用方便的带选择性棕氧化层的引线框架。
本实用新型的技术解决方案是,提供一种具有以下结构的带选择性棕氧化层的引线框架:它包括设有包封区域的引线框架主体,所述的引线框架主体上设有棕氧化层,所述的棕氧化层仅覆盖引线框架主体上的包封区域。
采用以上结构后,本实用新型带选择性棕氧化层的引线框架与现有技术相比,具有以下优点:在引线框架主体上选择性的设置棕氧化层(即带选择性的棕氧化层),具体只在引线框架主体上的棕氧化层仅覆盖包封区域,引线框架主体上的其余部分没有棕氧化层,这样,既能节省化学药水,又能避免在客户端进行退棕氧化层处理的工序,使用较为简便,而且即使塑封料的溢料与引线框架主体的其余部分结合,也会由于其结合力不强而很容易去除,不管是生产成本还是使用成本均较低。
附图说明
附图为本实用新型带选择性棕氧化层的引线框架的结构示意图;
如图所示,1、引线框架主体;2、包封区域;3、棕氧化层;4、芯片部;5、小焊点;6、散热部;7、管脚;8、连接部。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
如附图所示,本实用新型的带选择性棕氧化层的引线框架,它包括设有包封区域2的引线框架主体1,所述的引线框架主体1一般都包括芯片部4、小焊点5以及管脚7,上述的引线框架主体1上设有棕氧化层3,这里包封区域2是指芯片安装之后,引线框主体1上必须用塑封料进行包封的区域。棕氧化是在引线框架主体1的铜合金表面经过咬蚀形成粗糙表面,然后在粗糙表面形成一层棕色的有机膜层,该有机膜层有增大表面积的效果,能加强树脂塑封料硬化后的固着力,减少树脂塑封料中硬化剂(Dicy)对裸铜面的攻击,另外,棕氧化层含二价铜较多,故性质也较稳定,从而提高了产品的稳定性。
在本实用新型中,上述的棕氧化层3仅覆盖引线框架主体1上的包封区域2,引线框架主体1上无需用塑封料包封的区域没有棕氧化层3。
所述的包封区域2包括芯片部4和小焊点5。通常来说,上述的的包封区域2包括芯片部4和小焊点5,芯片部4与管脚7之间的连接部8上位于两个小焊点5之间的部分也设有棕氧化层3。
在行业常用的部分型号的引线框架中,芯片部4的背面暴露在塑封料外,行业称为半包封引线框架,这些型号的芯片部4的背面不在包封区域2内,不设棕氧化层3。例如行业通用型号T0-251/252,该型号的引线框架属于半包封引线框架,所述芯片部4的背面暴露在包封塑料外,不在包封区域2内,不设棕氧化层3。但如果在芯片部4和小焊点5上有电镀层,如银或镍,则因为棕氧化处理药水只与引线框架铜合金表面发生反应,电镀层不受影响,也不会覆盖上棕氧化层。
作为常规的公知常识,有些型号的引线框架上设有散热部6,而有些型号则没有设置散热部6,很显然,本实用新型的技术方案均适用。如本实施例中的引线框架主体1上就设有散热部6。
用化学药水对引线框架主体1进行处理形成棕氧化层3的工艺为常规技术,在此不再累述。
上述实施例只是本实用新型的较佳实施例,不可看成是对本实用新型保护范围的限制,本实用新型的具体结构允许有变化,它适用于领域所有通用型号的引线框架。
Claims (1)
1.一种带选择性棕氧化层的引线框架,它包括设有包封区域(2)的引线框架主体(1),所述的引线框架主体(1)上设有棕氧化层(3),其特征在于:所述的棕氧化层(3)仅覆盖引线框架主体(1)上的包封区域(2)。
Priority Applications (1)
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Publications (1)
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Country Status (1)
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2010
- 2010-12-01 CN CN 201020654191 patent/CN201904327U/zh not_active Expired - Lifetime
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