CN201854171U - 一种用于高压变频器功率元件的母排结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种用于高压变频器功率元件的母排结构,包括n+1层绝缘层和n片铜极板,该铜极板和绝缘层交错布置,并且两端布置绝缘层,其中,n是大于1的整数。采用该结构的母排结构,利用铜极板和绝缘层交错布置,两侧设置绝缘层,可以吸收功率元件IGBT瞬态产生的尖峰,从而省去使用专门的吸收电容,降低整个装置的制造成本。同时,本技术方案中的铜极板有两片时,其中一片铜极板横向布置,另一片铜极板竖向布置,可以增加电容容量。

Description

一种用于高压变频器功率元件的母排结构 
技术领域
本实用新型涉及一种高压变频器的电压输入及转换装置,具体来说,涉及一种用于高压变频器功率元件的母排结构。 
背景技术
高压变频器的高压,是通过多组功率单元串联的方式进行升压来达到所需高压输出的,因此单个功率单元输出的额定电压,就决定了所需的单元数的多少。如果每个单元都将输出的电压开到最大,那么单元的个数就会相应的减少。同时,功率单元的数目不能降到很少,否则不利于高压变频器的多电平输出,增加整体电压的谐波含量。一旦谐波含量超标就会对电网造成影响。采用功率单元串联结构的多电平方式就能够很好的解决这个问题,例如,在10KV的高压变频器中采用8组或9组单元串联的方式,每个单元的直流供电电压达到850V至1000V。这样的高压输入条件,对直流供电的稳定性和绝缘性提出很严格的要求;另一方面,作为直流输入的电解电容为串联结构,而单个电解电容体积庞大。采用传统的连接方式,电感量大,瞬态由功率元件绝缘栅双极型功率管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)产生的尖峰要用专用的吸收电容来吸收,否则就没有对功率元件产生任何的保护作用, 
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于高压变频器功率元件的母排结构,以克服功率元件IGBT瞬态产生的尖峰,省去专用的吸收电容,增加直流供电的稳定性。 
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是: 
一种用于高压变频器功率元件的母排结构,其特征在于,包括n+1层绝缘层和n片铜极板,该铜极板和绝缘层交错布置,并且两端布置绝缘层,其中,n是大于1的整数。 
该铜极板和绝缘层交错布置,并且两端布置绝缘层。 
所述的铜极板是两片,绝缘层是三层。 
所述的铜极板一片横向布置,另一片竖向布置。 
与现有技术相比,采用上述结构的母排结构,利用铜极板和绝缘层交错布置,两侧设置绝缘层,可以吸收功率元件IGBT瞬态产生的尖峰,从而省去使用专门的吸收电容,降低整个装置的制造成本。同时,本技术方案中的铜极板有两片时,其中一片铜极板横向布置,另一片铜极板竖向布置,可以增加电容容量。 
附图说明
图1是本实用新型的侧视图。 
图2是本实用新型的另一种结构的侧视图 
图中,1、绝缘层,2、铜极板。 
具体实施方式
如图1所示,本实用新型的一种用于高压变频器功率元件的母排结构,包括n+1层绝缘层1和n片铜极板2,该铜极板2和绝缘层1交错布置,并且两端布置绝缘层1,其中,n是大于1的整数。铜极板2和绝缘层1之间采用热熔的方式进行固定连接。绝缘层1的数量不限,铜极板2的数量比绝缘层1少一层。但是以布置两片铜极板2和三层绝缘层1为佳。这样的数量组合,可以使得母排结构比较紧凑,避免体积过大,占用空间。 
由于,整个母排结构耐压和绝缘主要取决于铜极板2之间的绝缘层1,而在铜极板2之间只有一层绝缘层1,所以对于绝缘材料的强度有很高要求。本技术方案中,绝缘层1优选绝缘聚酯材料。绝缘层1的厚度为3密耳至10密耳。 
如图2所示,当采用两片铜极板2的时候,其中一片铜极板2横向布置,另一片铜极板2竖向布置。横向布置的铜极板2可以达到增加电容容量目的,竖向布置的铜极板2可以为负极接线端子引线。 
本技术方案的母排结构是为外部提供直流电压源的。在使用时,母排结构一端连接整流桥中,另一端连接电容,电容再连接在功率元件上。采用本实用新型的母排结构后,既可以减少杂散电感,又可以增加积附电容。这样对于由功率元件IGBT所产生的尖峰可以不用任何吸收电容就可以工作,从而降低了成本。 
在实际运用中,本技术方案的母排结构的工作性能完全满足实际需要。在功率元件的工作环境中,绝缘层1并没有因温度的升高而出现变形或被击穿的现象。通过进行28KV的60min的试验,该高压变频器完全符合技术要求。 

Claims (5)

1.一种用于高压变频器功率元件的母排结构,其特征在于,包括n+1层绝缘层(1)和n片铜极板(2),该铜极板(2)和绝缘层(1)交错布置,并且两端布置绝缘层(1),其中,n是大于1的整数。
2.按照权利要求1所述的用于高压变频器功率元件的母排结构,其特征在于,所述的铜极板(2)片数是两片,绝缘层(1)层数是三层。
3.按照权利要求2所述的用于高压变频器功率元件的母排结构,其特征在于,所述的铜极板(2)一片横向布置,另一片竖向布置。
4.按照权利要求1至3中任一项所述的用于高压变频器功率元件的母排结构,其特征在于,所述的绝缘层(1)采用绝缘聚酯材料制作而成。
5.按照权利要求4所述的用于高压变频器功率元件的母排结构,其特征在于,所述的绝缘层(1)厚度为3密耳至10密耳。 
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Assignor: CEEG (Jiangsu) Co., Ltd.

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