CN201853792U - 一种低三阶交调同轴—微带转换装置 - Google Patents

一种低三阶交调同轴—微带转换装置 Download PDF

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易晶珑
卢洪光
全愉
李圣君
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JIANGSU JST RADIO FREQUENCY SYSTEM CO., LTD.
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Abstract

本实用新型公开一种低三阶交调同轴—微带转换装置,包括导带(1)、底板(2)、面板(3)、同轴内导体(4)和同轴外导体(5),所述面板(3)上设置有圆形冲孔(6),所述同轴内导体(4)穿过所述面板(3)固定在所述导带(1)上,其特征在于:所述圆形冲孔(6)的直径略大于所述同轴外导体(5)的外径,与所述同轴外导体(5)连接的法兰盘(7)固定在所述面板(3)的背面上。本实用新型通过改变转换接头法兰盘与面板的连接方式,从而改变同轴外导体内壁的高频电流路径,高频电流从法兰盘表面经边缘流入底板,不通过冲孔处的缝隙,因此产生的IM3较小,IM3<-107dBm,可达-118dBm。

Description

一种低三阶交调同轴—微带转换装置
技术领域
 本实用新型涉及移动通信(GSM、CDMA)基站天线装置,具体涉及一种低三阶交调同轴—微带转换装置。
背景技术
以空气为介质的微带天线具有生产快捷、成本较低、性能良好等特点。在移动通信系统中广泛作为基站天线。这类天线主要由底板及导带(合称微带传输线)、辐射体及同轴—微带转换接头等组成。工作时,高频电流由同轴馈入通过微带线耦合到辐射体上产生一定形状的电磁场,以满足通信要求。三阶交调(IM3=-107dBm)是这类天线的主要技术指标之一,而IM3不达标是一个“老大难”问题。所谓“老”是多年没有解决;所谓“大”是天线用量巨大,对通信质量影响大;所谓“难”是IM3产生机理不清楚,工作不少成效不大。
为了解决天线IM3问题,发明人对其中的同轴—微带转换装置进行了测试。
现有的同轴—微带转换装置由转换接头(包括同轴内、外导体及法兰盘)、底板、面板和导带连接组成,如图1所示:其中导带和底板为2mm厚铝板,面板由底板弯折而成,上有一圆形冲孔,直径等于同轴外导体内径。与同轴外导体连接的法兰盘安装在面板正面,通过螺钉紧固,同轴内导体穿过面板上的冲孔与导带连接,通过螺母紧固。转换接头通常由黄铜制作,内导体镀银,外导体及法兰盘镀三元合金。面板上的圆形冲孔及面板未经电镀处理。此时用专用测试设备测试的IM3平均约为-98dBm,性能较差。
导致较高IM3的主要因素有:一、冲孔周围有毛刺;二、冲孔变形;三冲孔处与法兰连接不够紧密,缝隙较大。因而当同轴外导体内壁上的高频电流通过这些毛刺和缝隙时产生较高的IM3。
为解决这个问题,可旋紧螺钉加大接触压力,或在转换接头的法兰上加一凸起的小环,但改善不明显。也可采用电镀去毛刺或加厚底板减小变形的方法,但此方法成本将明显增高。
发明内容
实用新型目的:本实用新型的目的在于针对现有技术的不足,提供一种在不明显提高成本的前提下显著降低三阶交调的同轴—微带转换装置。
技术方案:本实用新型所述的低三阶交调同轴—微带转换装置,如图2所示,包括导带、底板、面板、同轴内导体、同轴外导体和法兰盘。所述面板上设置有圆形冲孔,所述同轴内导体穿过所述面板固定在所述导带上,所述圆形冲孔的直径略大于所述同轴外导体的外径,与所述同轴外导体连接的法兰盘固定在所述面板的背面上。
所述法兰盘为较大的方形法兰盘,为了减小微带特性阻抗的变化,同时有利于与同轴的匹配,并进一步减小IM3,所述法兰盘的靠近所述底板的一边设置有斜坡。
所述导带在斜坡处进行弯折以保持此处特性阻抗不变。
所述同轴内导体通过螺母固定在所述导带上。
所述法兰盘通过较粗的螺钉固定在所述面板的背面上。
所述底板为2mm厚的铝板,面板由底板弯折而成。
本实用新型转换接头的法兰盘安装在面板的背面,在法兰盘边缘和面板之间形成一个缝隙,其优点有四个:
(1)、缝隙处铝板表面光滑无毛刺,法兰盘同样如此; 
(2)、缝隙处铝板不易变形,接触缝隙较小;
(3)、缝隙较长,有利于高频电流通过;
(4)、紧固螺钉压力大,缝隙小。
有益效果:本实用新型与现有技术相比,其有益效果是:1、实用新型人通过改变法兰盘与面板的连接方式,从而改变同轴外导体内壁的高频电流路径,高频电流从法兰盘表面经边缘流入底板,不通过冲孔处的缝隙,因此产生的IM3可小到-118dBm;2、本实用新型方形法兰盘的一边有斜坡,可减小微带特性阻抗的变化,有利于与同轴的匹配,也有利于减小IM3;3、采用本实用新型装置可大幅提高现有基站天线IM3性能,若再配合改善辐射体的IM3就能基本解决微带型基站天线IM3不达标的问题;4、本实用新型装置成本低廉,性价比高;5、本实用新型的新颖思路对其它频段其它用途的(有IM3指标要求的)各类天线和器件也具有重要价值。
附图说明
图1为现有的同轴—微带转换装置的结构示意图;
图2为本实用新型的低三阶交调同轴—微带转换装置的结构示意图;
图3为方形法兰盘结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图,通过一个最佳实施例,对本实用新型技术方案进行详细说明,但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。
实施例:一种低三阶交调同轴—微带转换装置,包括导带1、底板2、面板3、同轴内导体4和同轴外导体5,所述底板2为2mm厚的铝板,所述面板3由底板2弯折而成,所述面板3上设置有圆形冲孔6,所述同轴内导体4穿过所述面板3通过螺母固定在所述导带1上,所述圆形冲孔6的直径略大于所述同轴外导体5的外径,与所述同轴外导体5连接的法兰盘7通过螺钉固定在所述面板3的背面上;所述法兰盘7为方形法兰盘,其靠近所述底板2的一边设置有斜坡。
下面通过对比测试进一步说明本实用新型装置的性能。在导带、铝板材质相同表面未经处理的条件下,工作频段为900MHz。
第一组:采用现有同轴—微带转换装置。
第二组:采用本实用新型同轴—微带转换装置,但法兰盘未设置斜坡。
第三组:本实施例所述的低三阶交调同轴—微带转换装置。
检测结果:第一组装置的IM3的测试平均值为-98dBm,第二组装置的IM3的测试平均值为-115dBm,第三组装置的IM3的测试平均值为-118dBm。
由此可见,本实用新型低三阶交调同轴—微带转换装置的IM3性能比现有技术有大幅提高。
如上所述,尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型,但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下,可对其在形式上和细节上作出各种变化。

Claims (6)

1.一种低三阶交调同轴—微带转换装置,包括导带(1)、底板(2)、面板(3)、同轴内导体(4)和同轴外导体(5),所述面板(3)上设置有圆形冲孔(6),所述同轴内导体(4)穿过所述面板(3)固定在所述导带(1)上,其特征在于:所述圆形冲孔(6)的直径略大于所述同轴外导体(5)的外径,与所述同轴外导体(5)连接的法兰盘(7)固定在所述面板(3)的背面(32)上。
2.根据权利要求1所述的低三阶交调同轴—微带转换装置,其特征在于:所述法兰盘(7)为方形法兰盘。
3. 根据权利要求2所述的低三阶交调同轴—微带转换装置,其特征在于:所述法兰盘(7)的靠近所述底板(2)的一边设置有斜坡。
4. 根据权利要求1所述的低三阶交调同轴—微带转换装置,其特征在于:所述同轴内导体(4)通过螺母固定在所述微带(1)上。
5. 根据权利要求1所述的低三阶交调同轴—微带转换装置,其特征在于:所述法兰盘(7)通过螺钉固定在所述面板(3)的背面上。
6. 根据权利要求1所述的低三阶交调同轴—微带转换装置,其特征在于:所述底板和所述面板为未经表面电镀处理的2mm厚的铝板。
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