CN201812042U - 基于具有辐射记忆功能的光致发光图像板的辐射成像系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于辐射测量技术领域，具体涉及一种基于具有辐射记忆功能的光致发光图像板的辐射成像系统，包括遮光框体、针孔准直器、位置灵敏光探测模块、控制和图像处理模块，所述针孔准直器位于遮光框体前端，位置灵敏光探测模块置于遮光框体后端并且其光探测面正对针孔准直器，控制和图像处理模块与位置灵敏光探测模块相连。在针孔准直器和位置灵敏光探测模块之间还置有由具有辐射记忆功能的光致发光材料制成的图像板；在所述遮光框体的后端置有与所述光致发光材料相对应的激发光源；在所述遮光框体后端置有快门。本实用新型所提供的辐射成像系统能够对强度极低的X射线或者伽玛射线进行测量，可以广泛应用于低辐射场所的辐射强度与分布测量。
Description
技术领域
本实用新型属于辐射测量技术领域，具体涉及一种基于具有辐射记忆功能的光致发光图像板的辐射成像系统。
背景技术
医院核医学科可以通过分析放射性核素在人体器官内的分布图像，诊断病人心脑血管疾病、肿瘤等各种器官疾病。用于X射线或者伽玛射线的射线源分布测量的辐射成像测量系统，通常叫做伽玛相机，首先在核医学领域发展起来。
目前为止已经有很多医疗器械公司开发出了用于人体X射线或者伽玛射线分布测量的伽玛相机系统。这些伽玛相机主要由准直器，闪烁晶体板，以及位置灵敏光探测器件组成。
准直器的材料一般为原子序数很大，对X射线或者伽玛射线阻挡效果非常好的金属材料，比如铅，钨等。准直器种类主要有平行孔准直器，针孔准直器，发散型准直器，汇聚型准直器；用于限制进入伽玛相机视野的入射射线的方向以及范围。
射线经过准直器后到达闪烁晶体板。闪烁晶体的材料主要为NaI(Tl)晶体，也可以是CsI或BGO等。射线在闪烁晶体中发生能量沉积，沉积的能量又以荧光的方式在能量沉积的位置释放出来。
闪烁晶体板后面的位置灵敏光探测器件，可以测量出荧光释放的位置以及强度，从而达到成像的目的。位置灵敏光探测器件可以是单个的位置灵敏光电倍增管，或者位置灵敏光电倍增管阵列。位置灵敏光电倍增管的入射窗通过光导贴近闪烁晶体板，达到测量目的。位置灵敏光探测器件也可以是电荷耦合器件(CCD)或者CMOS。
目前发展起来的这类伽玛相机系统，可以用于X射线辐射场或者伽玛辐射场的实时成像测量。核医学应用中，由于人体内的放射性水平通常较高，可以利用这类伽玛相机系统方便的得到核素在体内静态以及动态连续的分布图像。但是，将这类伽玛相机系统用于核工业领域的放射性分布测量，比如某个场所的放射性污染分布图像测量时，则经常会遇到困难。比如待测量场所或者对象的辐射水平很低，低于现有的这类伽玛相机系统的最低探测下限时，那么，将测量不到放射源的分布图像。在现有的这类系统下，通过延长测量时间的方法，也不会有明显的效用，因为这并不能提高测量的信噪比。
实用新型内容
(一)实用新型目的
本实用新型目的在于解决现有技术中伽马相机系统无法探测微弱辐射信号的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种基于具有辐射记忆功能的光致发光图像板的辐射成像系统，包括遮光框体、针孔准直器、位置灵敏光探测模块、控制和图像处理模块，所述针孔准直器位于遮光框体前端，位置灵敏光探测模块置于遮光框体后端并且其光探测面正对针孔准直器，控制和图像处理模块与位置灵敏光探测模块相连，关键在于：在所述针孔准直器和位置灵敏光探测模块之间还置有由具有辐射记忆功能的光致发光材料制成的图像板；在所述遮光框体的后端置有与所述光致发光材料相对应的激发光源；在所述遮光框体后端置有快门。
所述针孔准直器的针孔处还置有遮光片，所述遮光片由易于透过X射线和伽玛射线的材料制成。
制作图像板所用的具有辐射记忆功能的光致发光材料是Al2O3:C。
所述图像板靠近针孔准直器的一侧涂有避光材料或者覆盖有一层铝箔。
所述图像板可以在遮光框体内沿着辐射测量系统中心轴方向前后移动。
所述激发光源呈圆状均匀分布在位置灵敏光探测模块的周围。
所述位置灵敏光探测模块包括遮光外壁和置于其中的光电探测器，面向图像板的一端置有能够过滤激发光的滤光片，其靠近控制和图像处理模块的一端置有电源接口和数据接口；所述光电探测器是位置灵敏光电倍增管。
所述位置灵敏光探测模块包括遮光外壁和置于其中的光电探测器，面向图像板的一端置有能够过滤激发光的滤光片，其靠近控制和图像处理模块的一端置有电源接口和数据接口；所述光电探测器是CCD或者CMOS，并且在所述滤光片和CCD或者CMOS之间置有锥形光纤成像束。
所述位置灵敏光探测模块包括遮光外壁和置于其中的光电探测器，面向图像板的一端置有能够过滤激发光的滤光片，其靠近控制和图像处理模块的一端置有电源接口和数据接口；所述光电探测器是CCD或者CMOS，并且在所述滤光片和CCD或者CMOS之间置有成像透镜组，所述CCD或者CMOS的感光芯片位于成像透镜组的像平面上。
(三)有益效果
由于所述具有辐射记忆功能的光致发光材料做成的图像板可以将入射X射线或者伽玛射线的沉积能量存储为荧光中心进行长时间的累积，该信号累积的过程中，由于位置灵敏光探测模块处于关闭状态，不会增加电子学噪声，是一个可以显著提高信噪比的过程，因此本实用新型所提供的辐射成像系统能够对强度极低的X射线或者伽玛射线进行测量，可以广泛应用于低辐射场所的辐射强度与分布测量。
附图说明
图1为基于具有辐射记忆功能的光致发光图像板的辐射成像系统的结构图；
图2为图1中位置灵敏光测量器件的第一具体实例；
图3为图1中位置灵敏光测量器件的第二具体实例；
图4为图1中位置灵敏光测量器件的第三具体实例；
图5为位置灵敏光测量器件进行数据读取时的系统内部构造图；
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本实用新型做进一步说明。
实施例一
本实施例提供的基于具有辐射记忆功能的光致发光图像板的辐射成像系统，如图1所示，包括遮光框体5、针孔准直器1、位置灵敏光探测模块2、控制和图像处理模块9等。所述针孔准直器1位于遮光框体5前端，位置灵敏光探测模块2置于遮光框体5后端并且其光探测面正对针孔准直器1，控制和图像处理模块9与位置灵敏光探测模块2相连，关键在于，在所述针孔准直器1和位置灵敏光探测模块2之间还置有由具有辐射记忆功能的光致发光材料做成的图像板7；在所述遮光框体5的后端置有与所述光致发光材料相对应的激发光源3；在所述遮光框体5后端还置有快门4。
被测量的X射线或者伽玛射线放射源发出的射线，通过针孔准直器1的针孔，进入测量系统。所述针孔准直器1具有视野大、成像小的特点，针孔准直器1采用可以屏蔽辐射的原子序数很大的金属材料制成，如铅、钨等。针孔准直器1的针孔处还置有很薄的遮光片，所述遮光片由遮光并且易于透过X射线和伽玛射线的材料制成，比如铝箔等。
从针孔准直器1的针孔入射的X射线或者伽玛射线由图像板7进行记录，图像板7由固定架6安装在遮光框体5内。所述图像板7由能够把入射X射线或者伽玛射线转换成荧光信号的具有辐射记忆功能的光致发光(Optical Stimulated Luminescence，OSL)材料制成，上述材料组分优选为Al2O3:C，或者也可以选择其它类型的具有辐射记忆功能的光致发光材料。上述具有辐射记忆功能的光致发光材料能在入射点处将入射X射线或者伽玛射线的沉积能量转换成荧光中心进行累积，沉积能量越大，产生的荧光中心就越多。在辐射水平很低的场合下，可以增大该辐射成像测量系统的测量时间，使光致发光材料中沉积足够多的能量，存储足够多的荧光中心，以准备之后用位置灵敏光探测模块2读取。
在图像板7上靠近针孔准直器1的一侧涂有避光材料或者覆盖有一层铝箔。这是因为辐射成像测量系统内部使用的光致发光材料对可见光是敏感的，可见光的照射会导致光致发光材料记录到的入射射线能量信号的衰减。而且对于后面的位置灵敏光探测模块，使用的位置灵敏光电倍增管或者电荷耦合器件，也是需要避光的。
激发光源3置于遮光框体5的后端，呈圆状均匀分布在位置灵敏光探测模块2的周围。针对本实施例中制作图像板7所采用的Al2O3:C，采用波长为500nm左右的发光二极管阵列作为激发光源。在图像板7被电离辐射曝光一定时间后，开启该发光二极管，对图像板7上存储的荧光中心进行激发，使图像板7产生波长为420nm左右的荧光，被位置灵敏光探测模块2读取。通过调整发光二极管阵列中发光二极管发光的强度分布，以及周围的反射条件，可以保证照射到图像板7表面的光是均匀分布的。
所述位置灵敏光探测模块2包括遮光外壁、电源接口15、数据接口16和光电探测器，面向图像板7的一端置有能够过滤激发光的滤光片8，其靠近控制和图像处理模块9的一端置有电源接口15和数据接口16。本实施例中所采用的光电探测器是位置灵敏光电倍增管14，如图2所示，利用位置灵敏光电倍增管14测量图像板7上的退激荧光信号时，将图像板7尽量贴近激发光滤光片8进行测量。用于过滤激发光的滤光片8位于图像板7与位置灵敏光电倍增管14之间并紧贴位置灵敏光电倍增管14的探测面。针对波长为500nm左右的激发光源3和荧光波长范围在420nm左右的图像板7，本实施例中所采用的滤光片8是截止波长为440nm的短波通滤光片，只允许光致发光材料退激时发出的荧光透过，而使激发光源3发出的激发光无法到达位置灵敏光电倍增管14。
位置灵敏光探测模块2与遮光框体5的接口处、电源接口15和数据接口16处均进行密闭遮光处理。针孔准直器1、遮光框体5和图像板7上覆盖的铝箔一起实现对整个测量系统的避光。
控制模块主要用于对辐射成像测量系统内部一些机械机构，以及开关电路的控制。控制模块负责对激发光源3的开关的控制。控制模块还控制光致发光材料图像板7沿辐射成像测量系统轴方向的位移，达到控制测量视野，以及将图像板7尽量贴近位置灵敏光测量器件的目的。控制模块还需要控制安装在图像板7和激发光滤光片8之间的遮光快门4，在位置灵敏光测量器件没有进行读数测量时，需要始终将这个遮光快门4关闭，以实现对位置灵敏光测量器件的遮光状态。图像处理模块用于分析从位置灵敏光探测模块2得到的数据，实现最终的对放射源分布的成像功能。图像处理模块通常要和控制模块联合配合运行，以达到最佳成像效果。
在利用上述辐射成像系统进行X射线或者伽玛辐射场的辐射成像测量时，首先根据需要测量视野的大小，通过控制模块调整好固定架6离针孔准直器1的距离，激发光源3和快门4均处于关闭状态。经过一定的时间照射后，图像板7通过X射线或者伽玛射线的沉积能量，存储了辐射源强度分布的图像信息。然后通过控制模块打开避光门4，并将固定架6向右移动至贴近位置灵敏光探测模块2，如图5所示。此时打开激发光源3，图像板7上存储的荧光中心受激发射出的荧光信号被位置灵敏光探测模块2测量，并通过后面的图像处理模块，得到放射源分布的图像。辐射成像测量完成后，通过控制模块关闭激发光源3和快门4。
在进行下一次测量之前，需要将先一次测量剩余的信号消除。信号消除也采用光致激发的方法，所采用的信号消除光源也为该发光二极管阵列，不同的是，当该发光二极管阵列作为激发光源时，开启的数量比较少，开启的时间也比较短；而当该发光二极管阵列作为信号消除光源时，则全部开启，而且开启时间较长，可以对图像板进行高强度长时间的照射。
辐射成像测量完成后，通过控制模块关闭激发光源3，关闭避光门4。如果需要进行下次测量，则通过控制模块打开所有发光二极管，照射光致发光材料图像板7一段较长的时间后，关闭光源，之后即可进行下一次测量。
本实施例提供的的辐射成像测量系统，可以根据辐射场的强弱，调节单次读取光致发光材料上存储的分布图像信号的时间间隔，从而在保证成像质量的同时，实现连续的成像测量。
实施例二
其他技术方案不变，与实施例一的区别在于：
本实施例中所采用的光电探测器是电荷耦合器件(CCD)或者CMOS 12，并且在所述滤光片8和CCD/CMOS 12之间置有锥形光纤成像束10，如图3所示。图像板7受激发出的荧光信号通过锥形光纤成像束10耦合到CCD/CMOS 12的表面并被测量，同时保留了位置信息以及强度信息。
实施例三
其他技术方案不变，与实施例一的区别在于：
本实施例中所采用的光电探测器是电荷耦合器件(CCD)或者CMOS 12，在所述滤光片8和CCD/CMOS 12之间置有成像透镜组13，所述CCD/CMOS 12的感光芯片位于成像透镜组13的像平面上，如图4所示。图像板7受激发出的荧光信号通过锥形成像透镜组13成像到CCD/CMOS 12的表面并被测量，同时保留了位置信息以及强度信息。
以上内容是结合优选的实施例对本实用新型所做的具体说明，不能认定本实用新型的具体实施方式仅限于这些说明。对本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演和变换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
Claims (9)
1.一种基于具有辐射记忆功能的光致发光图像板的辐射成像系统，包括遮光框体(5)、针孔准直器(1)、位置灵敏光探测模块(2)、控制和图像处理模块(9)，所述针孔准直器(1)位于遮光框体(5)前端，位置灵敏光探测模块(2)置于遮光框体(5)后端并且其光探测面正对针孔准直器(1)，控制和图像处理模块(9)与位置灵敏光探测模块(2)相连，其特征在于：在所述针孔准直器(1)和位置灵敏光探测模块(2)之间还置有由具有辐射记忆功能的光致发光材料制成的图像板(7)；在所述遮光框体(5)的后端置有与所述光致发光材料相对应的激发光源(3)；在所述遮光框体(5)后端置有快门(4)。
2.根据权利要求1所述的辐射成像系统，其特征在于：所述针孔准直器(1)的针孔处还置有遮光片，所述遮光片由易于透过X射线和伽玛射线的材料制成。
3.根据权利要求1所述的辐射成像系统，其特征在于：制作图像板(7)所用的具有辐射记忆功能的光致发光材料是Al2O3:C。
4.根据权利要求1所述的辐射成像系统，其特征在于：所述图像板(7)靠近针孔准直器(1)的一侧涂有避光材料或者覆盖有一层铝箔。
5.根据权利要求1所述的辐射成像系统，其特征在于：所述图像板(7)可以在遮光框体(5)内沿着辐射测量系统中心轴方向前后移动。
6.根据权利要求1所述的辐射成像系统，其特征在于：所述激发光源(3)呈圆状均匀分布在位置灵敏光探测模块(2)的周围。
7.根据权利要求1～6所述的辐射成像系统，其特征在于：所述位置灵敏光探测模块(2)包括遮光外壁和置于其中的光电探测器，面向图像板(7)的一端置有能够过滤激发光的滤光片(8)，其靠近控制和图像处理模块(9)的一端置有电源接口(15)和数据接口(16)；所述光电探测器是位置灵敏光电倍增管(14)。
8.根据权利要求1～6所述的辐射成像系统，其特征在于：所述位置灵敏光探测模块(2)包括遮光外壁和置于其中的光电探测器，面向图像板(7)的一端置有能够过滤激发光的滤光片(8)，其靠近控制和图像处理模块(9)的一端置有电源接口(15)和数据接口(16)；所述光电探测器是CCD或者CMOS(12)，并且在所述滤光片(8)和CCD或者CMOS(12)之间置有锥形光纤成像束(10)。
9.根据权利要求1～6所述的辐射成像系统，其特征在于：所述位置灵敏光探测模块(2)包括遮光外壁和置于其中的光电探测器，面向图像板(7)的一端置有能够过滤激发光的滤光片(8)，其靠近控制和图像处理模块(9)的一端置有电源接口(15)和数据接口(16)；所述光电探测器是CCD或者CMOS(12)，并且在所述滤光片(8)和CCD或者CMOS(12)之间置有成像透镜组(13)，所述CCD或者CMOS(12)的感光芯片位于成像透镜组(13)的像平面上。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110427 Termination date: 20120914 |